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1．下列實驗操作與安全事故處理錯誤的是

A．使用水銀溫度計測量燒杯中水浴溫度時，不慎打破水銀球，用滴管將水銀吸出放入水封的小瓶中，殘碎的溫度計插入裝有硫粉的廣口瓶中

B．用試管夾從試管底由下往上夾住距試管口約1/3處，手持試管夾長柄末端進(jìn)行加熱

C．制備乙酸乙酯時，將乙醇和乙酸依次加入到濃硫酸中

D．把玻管插入橡膠塞孔時，用厚布護(hù)手，緊握用水濕潤的玻管插入端，緩慢旋進(jìn)孔中

25．(10分)(1)中學(xué)教材上圖示了NaCl晶體結(jié)構(gòu)，它向三維空間延伸得到完美晶體。NiO(氧化鎳)晶體的結(jié)構(gòu)與NaCl相同(如圖8)，Ni²⁺與最鄰近O^2-的核間距離為a×10^-8cm，計算NiO晶體的密度(已知NiO的摩爾質(zhì)量為74.7g·mol^-1)。 　

(2)天然的和絕大部分人工制備的晶體都存在各種缺陷。例如在某種NiO晶體中就存在如圖7所示的缺陷：一個Ni²⁺空缺，另有兩個Ni²⁺被兩個Ni³⁺所取代。其結(jié)果晶體仍呈電中性，但化合物中Ni和O的比值卻發(fā)生了變化。某氧化鎳品組成為Ni_0.97O，試計算該晶體中Ni³⁺與Ni²⁺的離子數(shù)之比。

24．(12分)鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱(△H)，化學(xué)反應(yīng)的△H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù)，回答下列問題：

(1)比較下列兩組物質(zhì)的熔點高低(填“>”或“<”)

　　 SiC__________Si； SiCl₄___________SiO₂

(2)能不能根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷單質(zhì)Si 和化合物SiCl₄的熔點高低？____________(填“能”或“不能”)，原因是__________________________

　　 ______________________________________________________________

(3)工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制�。�

　　 SiCl₄(g) + 2H₂(g)^高溫 　Si(s)+4HCl(g)

　　 計算該反應(yīng)的反應(yīng)熱△H為__________________________

23．(12分)A、B、C、D、E、F為六種短周期元素，它們核電荷數(shù)依次遞增。已知：B原子核外最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的兩倍，電子總數(shù)是E原子總數(shù)的1/2，F(xiàn)是同周期元素中原子半徑最小的元素；D^2-與E²⁺的電子層結(jié)構(gòu)相同。B與D可以形成三原子化合物甲。A是非金屬元素，且A、C、F可形成離子化合物乙。請回答：

(1)C單質(zhì)的電子式_________，F(xiàn)元素原子的電子排布式_____________，

E元素的原子結(jié)構(gòu)示意圖是__________________

(2)化合物乙中含有的化學(xué)鍵是____________________________

(3)化合物甲為固體時屬于________晶體，E單質(zhì)在一定條件下與甲反應(yīng)的化學(xué)方程式為_________________________________________________。

22．(16分)根據(jù)下列五種元素的第一至第四電離能數(shù)據(jù)(單位：kJ/mol)，

回答下面各題：

(1)在周期表中，最可能處于同一族的是___________

A．Q和R　 　B．S和T　 　C．T和U　 　　D．R和T　 　E．R和U

(2)下列離子的氧化性最弱的是____________

A．S²⁺　　 　　　　B．R²⁺　　 　　　C．T³⁺D．U⁺

(3)下列元素中，化學(xué)性質(zhì)和物理性質(zhì)最像Q元素的是____________

A．硼　　 　　　　B．鈹　　 　　　　C．氦　　 　　D．氫　　　　

(4)T元素最可能是_______區(qū)元素，其氯化物的化學(xué)式為___________________

(5)如果R、S、T是同周期的三種主族元素，則它們的原子序數(shù)由小到大的順序是________________________，　 其中元素_______的第一電離能反常高的原因是

_________________________________________________________。

21．(10分)寫出下列元素基態(tài)原子的電子排布式：

　 (1) N 　　　　　　　　　　　　　　　(2)Ne　　　　　　　　　　　　　　

　 (3) S　　　　　　　　　　　　　　　 (4)Ca　　　　　　　　　　　　　　

　 (5)Cu　　　　　　　　　　　　　　

20. 在x mol石英晶體中，含有Si-O鍵數(shù)是　 (　　 )

　 A.x mol　　 B.2x mo}

　 C.3 x mol　　 D.4x mol

第Ⅱ卷 (非選擇題共 60 分)

19. 下列敘述正確的是　　　 　　　　　　　　　　　　　　(　　 )

A．同周期元素中，VIIA 族元素的原子半徑最大

B．VIA 族元素的原子，其半徑越大，越容易得到電子

C．室溫時，零族元素的單質(zhì)都是氣體

D．同一周期中，堿金屬的第一電離能最小

18．下列關(guān)于主族元素的說法正確的是　　　　　　　　　

A．主族元素的原子核外電子最后填入的能級是s能級　　　 　　

B．主族元素的原子核外電子最后填入的能級是s能級或p能級　　　

C．主族元素的最外層電子數(shù)等于主族的序數(shù)　　　

D．主族元素的價電子數(shù)有可能超過最外層電子數(shù)

17．X、Y兩元素可形成XY₃型共價化合物，則X、Y最外層的電子排布可能是

A．X：3s²3p¹　 Y：3s²3p⁵ 　　　 　　　　B．X：2s²2p³　　 　 Y：2s²2p⁴

C．X：3s²3p¹　 Y：2s²2p⁵ 　　　 　　　　D．X：2s²2p³　　 Y：1s¹