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11．下列物質(zhì)性質(zhì)變化規(guī)律與化學(xué)鍵鍵能無(wú)關(guān)的是：

①HF、HCl 、HBr、HI的熱穩(wěn)定性依次減弱　　 ②NH₃易液化

③F₂、C1₂、Br₂、I₂的熔、沸點(diǎn)逐漸升高　　　　 ④H₂S的熔沸點(diǎn)小于H₂O的熔、沸點(diǎn)　

⑤NaF、NaCl、NaBr、NaI的熔點(diǎn)依次減低

　A．①③④　　　　　 B．③④　　　　　 C．②③④　　　　 D．全部

10．下列有關(guān)化學(xué)鍵與晶體結(jié)構(gòu)說(shuō)法正確的是：

A．兩種元素組成的分子中一定只有極性鍵

B．離子化合物的熔點(diǎn)一定比共價(jià)化合物的高

C．非金屬元素組成的化合物一定是共價(jià)化合物

D．含有陰離子的化合物一定含有陽(yáng)離子

9．設(shè)N_A表示阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說(shuō)法正確的是：　　　

A．由²H和¹⁸O所組成的水11g，其中所含的中子數(shù)為5N_A

B．標(biāo)準(zhǔn)狀況下，22.4L CH₄中所含C－H鍵數(shù)為4N_A

C．在1L0.1mol/L的CH₃COOH溶液中，所含CH₃COOH分子數(shù)為0.1N_A

D．1 mol 二氧化硅晶體中含Si-O鍵的數(shù)目為4 N_A

8．晶胞是構(gòu)成晶體的基本重復(fù)單元。在二氧化硅晶胞中有8個(gè)硅原子位于立方晶胞的8個(gè)頂角，有6個(gè)硅原子位于晶胞的6個(gè)面心，還有4個(gè)硅原子與16個(gè)氧原子在晶胞內(nèi)構(gòu)成4個(gè)硅氧四面體，它們均勻錯(cuò)開(kāi)排列于晶胞內(nèi)。根據(jù)圖示二氧化硅晶胞結(jié)構(gòu)，每個(gè)晶胞內(nèi)所含“SiO₂”基元數(shù)為 ：　　

A．4個(gè)　　　　　　　 B．6個(gè)　　　　　　　 C．8個(gè)　　　　 D．18個(gè)

7．石墨是層狀晶體，每一層內(nèi)碳原子結(jié)構(gòu)如圖所示，如果將每對(duì)相鄰原子間的化學(xué)鍵看成是一個(gè)化學(xué)鍵，則石墨晶體每一層內(nèi)碳原子數(shù)與碳-碳化學(xué)鍵數(shù)目的比是：

　A．1∶1　　　　　　 B．1∶2　　　　　　 C．1∶3　 　　　　　D．2∶3

6．下列化學(xué)用語(yǔ)表示正確的是：　

A．鉀原子結(jié)構(gòu)示意圖：　　　　　 B．CCl₄的電子式：　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

C．HClO的結(jié)構(gòu)式：H－Cl－O　　　　　　　 D．MgCl₂的電子式：

5．有關(guān)等物質(zhì)的量的原子和原子，下列敘述中，正確的是：

①含有相同數(shù)目的原子②含有相同物質(zhì)的量的質(zhì)子③屬于同種元素④具有相同的質(zhì)量　 ⑤中子數(shù)相等⑥電子數(shù)相等⑦完全燃燒消耗氧氣的質(zhì)量相等⑧具有幾乎相同的化學(xué)性質(zhì)

A．只有①②③　　　 B．只有②③⑤　　　 C．除④⑤外都正確　　　 D．全正確

4．若某基態(tài)原子的外圍電子排布為4d¹5s²，則下列說(shuō)法正確的是：

A．該元素位于周期表第5周期第IB族　　B．該元素原子核外有5個(gè)電子層

C．該元素原子最外層共有3個(gè)電子　　D．該元素原子M層上共有8個(gè)電子

3．下列各組物質(zhì)熔點(diǎn)高低的比較，正確的是：

A．晶體硅>金剛石>碳化硅　　　 　　　 　B．CsCl>KCl>NaCl　　

C．SiO₂>CO₂>He　　　　　　　　 　　　 　D．Br₂> I₂>He

2．下列敘述中正確的是：

A．同周期元素中，ⅦA族元素的原子半徑最大

B．ⅥA族元素的原子，其半徑越大，越容易得到電子

C．當(dāng)各軌道處于全滿、半滿、全空時(shí)原子較穩(wěn)定

D．同一周期中，堿金屬元素的第一電離能最大