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請(qǐng)回答以下問題：

    （1）若C是可用作自來水消毒的氣體，D、E是氧化物,D轉(zhuǎn)化為E時(shí)，增加氧的質(zhì)量

20．（8分）如圖，各物質(zhì)有下列轉(zhuǎn)化關(guān)系：

①寫出由純SiHCl₃制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式___________________________；www. Ks5 u.c om

②整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水無氧。SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl

和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式_____________________，H₂還原

SiHCl₃過程中若混O₂，可能引起的后果是____________________________；

    （2）下列有關(guān)硅材料的說法正確的是________________（填字母）：

A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承

C．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點(diǎn)很高

D．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

E．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料――光導(dǎo)纖維

（3）硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象_________________________________________。

19．（10分）硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問題：

    （1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷（SiHCl₃）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過程示意圖如下：

（6）Z的最高價(jià)氧化物為無色液體，0.25 mol該物質(zhì)與一定量水混合得到一種稀溶液，

并放出QkJ的熱量。寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式：_______________________。

18．（10分）W、X、Y、Z是原子序數(shù)依次增大的同―短周期元素，W、X是金屬元素，Y、Z是非金屬元素。

    （1）W、X各自的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物可以反應(yīng)生鹽和水，該反應(yīng)的離子方程式

         為__________________________________________________；

    （2）W與Y可形成化合物W₂Y，該化合物的電子式為__________________________；

    （3）Y的低價(jià)氧化物通入Z單質(zhì)的水溶液中，發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_____________：

    （4）比較Y、Z氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性：____________>___________（用分子式表示）；

    （5）W、X、Y、Z四種元素簡(jiǎn)單離子的離子半徑由大到小的順序是：

         ______________>_____________>______________>_____________；

17．（9分）請(qǐng)回答下列化工知知識(shí)．  

    （1）脫除天然氣中的硫化氫既能減少環(huán)境污染，又可回收硫資源。硫化氫與FeCl₃溶液   反應(yīng)生成單質(zhì)硫，其離子方程式為 ________________________________；如果用過量NaOH溶液吸收硫化氫后，以石墨作電極電解該溶液可回收硫，其電解總    反應(yīng)方程式（忽略氧的氧化還原）為 __________________________________，該方法的優(yōu)點(diǎn)是______________________________________________________；

    （2）電解飽和食鹽水常用離子膜電解槽和隔膜電解槽。陽離子膜和隔膜均允許通過的

分子或離子是______________，電解槽中的陽極材料為 ____________________；

    （3）第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、CaAs等是人工合成的新型半導(dǎo)體材料，

         其晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似。在GaN晶體中，每個(gè)Ga原子與____________個(gè)N原

子相連，與同一個(gè)Ga原子相連的N原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為_____________。

請(qǐng)回答下列問題：

    （1）儀器中裝入的試劑：C__________、D__________；

    （2）連接好裝置后應(yīng)首先___________，其方法是__________：

（3）“加熱反應(yīng)管E”和“從A瓶逐滴滴加液體”這兩步操作應(yīng)該先進(jìn)行的是_________，

在這兩步之間還應(yīng)進(jìn)行的操作 ________________________;

    （4）從實(shí)驗(yàn)中測(cè)得了下列數(shù)據(jù)

①空E管的質(zhì)量a                   ②E管和WO₃的總質(zhì)量b

         ③反應(yīng)后E管和W粉的總質(zhì)量c （冷卻到室溫稱量）

         ④反應(yīng)前F管及內(nèi)盛物的總質(zhì)量d     ⑤反應(yīng)后F管及內(nèi)盛物的總質(zhì)量e

         由以上數(shù)據(jù)可以列出計(jì)算W的相對(duì)原子質(zhì)量的兩個(gè)不同計(jì)算式（除W外，其他涉

及的元素的相對(duì)原子質(zhì)量均為已知）：

         計(jì)算式1：A_r（W）＝____________：計(jì)算式2：A_r（W）＝___________。

16．（10分）某課外小組利用H₂還原黃色的WO₃粉末測(cè)定W的相對(duì)原子質(zhì)量，下圖是測(cè)定裝置的示意圖，A中的試劑是鹽酸。

15．下列說法中正確的是(    )

    A．離子晶體中每個(gè)離子周圍均吸引著6個(gè)帶相反電荷的離子

    B．金屬導(dǎo)電的原因是在外電場(chǎng)作用下金屬產(chǎn)生自由電子，電子定向移動(dòng)

    C．分子晶體的熔沸點(diǎn)很低，常溫下都呈液態(tài)或氣態(tài)

    D．原子晶體中的各相鄰原子都以共價(jià)鍵相結(jié)合

第Ⅱ卷（非選擇題，共55分）