科目：gzwl 來源： 題型：
（2012?浙江模擬）在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定了一電荷量為+Q的正點(diǎn)電荷，在水平面上的N點(diǎn)，由靜止釋放質(zhì)量為m，電荷量為-q的負(fù)檢驗電荷，該檢驗電荷經(jīng)過P點(diǎn)時速度為v，圖中θ=60°，規(guī)定電場中P點(diǎn)的電勢為零．則在+Q形成的電場中（ ?。?/div>科目：gzwl 來源： 題型：
如圖所示，在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定了一電荷量為+Q的正點(diǎn)電荷，在水平面上的N點(diǎn)，由靜止釋放質(zhì)量為m，電荷量為-q的負(fù)檢驗電荷，該檢驗電荷經(jīng)過P點(diǎn)時速度為v，圖中θ=60°，規(guī)定電場中P點(diǎn)的電勢為零．則在+Q形成的電場中（ ?。?/div>科目：gzwl 來源： 題型：
在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定了一電荷量為+Q的正點(diǎn)電荷，在水平面上的N點(diǎn)，由靜止釋放質(zhì)量為m，電荷量為-q的負(fù)檢驗電荷，該檢驗電荷經(jīng)過P點(diǎn)時速度為v，圖中θ=60°，M點(diǎn)為ON連線的中點(diǎn)，規(guī)定電場中P點(diǎn)的電勢為零．則在+Q形成的電場中（ ）科目：gzwl 來源：2012-2013學(xué)年浙江省高三上學(xué)期期中考試物理試卷（解析版） 題型：選擇題
在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定了一電荷量為+Q的正點(diǎn)電荷，在水平面上的N點(diǎn)，由靜止釋放質(zhì)量為m，電荷量為—q的負(fù)檢驗電荷，該檢驗電荷經(jīng)過P點(diǎn)時速度為v，圖中θ=60°，規(guī)定電場中P點(diǎn)的電勢為零．則在+Q形成的電場中：( )
A．N點(diǎn)電勢高于P點(diǎn)電勢
B．P點(diǎn)電場強(qiáng)度大小是N點(diǎn)的2倍
C． N點(diǎn)電勢為
D．檢驗電荷在N點(diǎn)具有的電勢能為
科目：gzwl 來源： 題型：
（2012年3月山東省淄博市一模）在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定了一電荷量為+Q的正點(diǎn)電荷，在水平面上的N點(diǎn)，由靜止釋放質(zhì)量為m，電荷量為-q的負(fù)檢驗電荷，該檢驗電荷經(jīng)過P點(diǎn)時速度為v，圖中θ=60°，規(guī)定電場中P點(diǎn)的電勢為零。則在+Q形成的電場中
A．N點(diǎn)電勢高于P點(diǎn)電勢
B．N點(diǎn)電勢為
C．P點(diǎn)電場強(qiáng)度大小是N點(diǎn)的2倍
D．檢驗電荷在N點(diǎn)具有的電勢能為
科目：gzwl 來源：陜西省西安市五校2010屆第二次模擬考試（理綜）物理部分 題型：選擇題
在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定了一電荷量為+Q的正點(diǎn)電荷，在水平面上的N點(diǎn)，由靜止釋放質(zhì)量為m，電荷量為-q的負(fù)檢驗電荷，該檢驗電荷經(jīng)過P點(diǎn)時速度為v，圖中θ=60°，規(guī)定電場中P點(diǎn)的電勢為零。則在+Q形成的電場中
A．N點(diǎn)電勢高于P點(diǎn)電勢
B．N點(diǎn)電勢為
C．P點(diǎn)電場強(qiáng)度大小是N點(diǎn)的2倍
D．檢驗電荷在N點(diǎn)具有的電勢能為
科目：gzwl 來源： 題型：
在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定了一電荷量為+Q的正點(diǎn)電荷，在水平面上的N點(diǎn)，由靜止釋放質(zhì)量為m，電荷量為-q的負(fù)檢驗電荷，該檢驗電荷經(jīng)過P點(diǎn)時速度為v，圖中θ=60°，規(guī)定電場中P點(diǎn)的電勢為零。則在+Q形成的電場中
A．N點(diǎn)電勢高于P點(diǎn)電勢
B．N點(diǎn)電勢為
C．P點(diǎn)電場強(qiáng)度大小是N點(diǎn)的2倍
D．檢驗電荷在N點(diǎn)具有的電勢能為
科目：gzwl 來源：2011-2012學(xué)年山東省淄博市高三第一次模擬考試物理卷（解析版） 題型：選擇題
在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定了一電荷量為+Q的正點(diǎn)電荷，在水平面上的N點(diǎn)，由靜止釋放質(zhì)量為m，電荷量為-q的負(fù)檢驗電荷，該檢驗電荷經(jīng)過P點(diǎn)時速度為v，圖中θ=60°，規(guī)定電場中P點(diǎn)的電勢為零。則在+Q形成的電場中
A．N點(diǎn)電勢高于P點(diǎn)電勢
B．N點(diǎn)電勢為
C．P點(diǎn)電場強(qiáng)度大小是N點(diǎn)的2倍
D．檢驗電荷在N點(diǎn)具有的電勢能為
科目：gzwl 來源：2013屆山東省淄博一中高三12月階段性檢測物理試卷（帶解析） 題型：單選題
在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定了一電荷量為+Q的正點(diǎn)電荷，在水平面上的N點(diǎn)，由靜止釋放質(zhì)量為m、電荷量為-q的帶電小球，小球經(jīng)過P點(diǎn)時速度為v，圖中θ=60°，規(guī)定電場中P點(diǎn)的電勢為零。則在+Q形成的電場中（ ）
| A．N點(diǎn)電勢高于P點(diǎn)電勢 |
B．N點(diǎn)電勢為 |
| C．P點(diǎn)電場強(qiáng)度大小是N點(diǎn)的2倍 |
D．檢驗電荷在N點(diǎn)具有的電勢能為 |
科目：gzwl 來源：2012屆度安徽省合肥市高三第一次教學(xué)質(zhì)量檢測物理卷 題型：選擇題
在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定了一電荷量為+Q的正點(diǎn)電荷，在水平面上的N點(diǎn)，由靜止釋放電荷量為-q的負(fù)檢驗電荷，其質(zhì)量為m，該檢驗電荷經(jīng)過P點(diǎn)時速度為v，圖中θ=60°，規(guī)定電場中P點(diǎn)的電勢為零。則在+Q形成的電場中（ ）
A．N點(diǎn)電勢高于P點(diǎn)電勢
B．P點(diǎn)電場強(qiáng)度大小是N點(diǎn)的2倍
C．N點(diǎn)電勢為
D．檢驗電荷在N點(diǎn)具有的電勢能為
科目：gzwl 來源： 題型：
在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定了一電荷量為+Q的正點(diǎn)電荷，在水平面上的N點(diǎn)，由靜止釋放質(zhì)量為m，電荷量為-q的負(fù)檢驗電荷，該檢驗電荷經(jīng)過P點(diǎn)時速度為v，圖中θ=60°，規(guī)定電場中P點(diǎn)的電勢為零。則在+Q形成的電場中
A．N點(diǎn)電勢高于P點(diǎn)電勢
B．N點(diǎn)電勢為
C．P點(diǎn)電場強(qiáng)度大小是N點(diǎn)的2倍
D．檢驗電荷在N點(diǎn)具有的電勢能為
科目：gzwl 來源：2013屆山東省濟(jì)寧市泗水一中高三12月月考質(zhì)量檢測物理試卷（帶解析） 題型：單選題
在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定了一電荷量為+Q的正點(diǎn)電荷，在水平面上的N點(diǎn)，由靜止釋放質(zhì)量為m，電荷量為-q的負(fù)檢驗電荷，該檢驗電荷經(jīng)過P點(diǎn)時速度為v，圖中
，M點(diǎn)為ON連線的中點(diǎn)，規(guī)定電場中P點(diǎn)的電勢為零。則在+Q形成的電場中 （ ）
| A．M點(diǎn)電勢等于P點(diǎn)電勢 | B．N點(diǎn)電勢為 |
| C．P點(diǎn)電場強(qiáng)度大小是N點(diǎn)的2倍 | D．檢驗電荷在N點(diǎn)具有的電勢能為 |
科目：gzwl 來源：臨沂三模 題型：多選題
| mv2 |
| 2q |
| 1 |
| 2 |
科目：gzwl 來源：不詳 題型：單選題
| mv2 |
| 2q |
| 1 |
| 2 |
科目：gzwl 來源：2011-2012學(xué)年安徽省合肥市高三（上）第一次質(zhì)檢物理試卷（解析版） 題型：選擇題
科目：gzwl 來源：2013年山東省臨沂市高考物理三模試卷（解析版） 題型：選擇題
如圖所示，在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定了一電荷量為+Q的正點(diǎn)電荷，在水平面上的N點(diǎn)，由靜止釋放質(zhì)量為m，電荷量為-q的負(fù)檢驗電荷，該檢驗電荷經(jīng)過P點(diǎn)時速度為v，圖中θ=60°，規(guī)定電場中P點(diǎn)的電勢為零．則在+Q形成的電場中（ ）
科目：gzwl 來源： 題型：
（2012年3月山東省淄博市一模）在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定了一電荷量為+Q的正點(diǎn)電荷，在水平面上的N點(diǎn)，由靜止釋放質(zhì)量為m，電荷量為-q的負(fù)檢驗電荷，該檢驗電荷經(jīng)過P點(diǎn)時速度為v，圖中θ=60°，規(guī)定電場中P點(diǎn)的電勢為零。則在+Q形成的電場中
A．N點(diǎn)電勢高于P點(diǎn)電勢
B．N點(diǎn)電勢為
C．P點(diǎn)電場強(qiáng)度大小是N點(diǎn)的2倍
D．檢驗電荷在N點(diǎn)具有的電勢能為
科目：gzwl 來源： 題型：
在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定了一電荷量為+Q的正點(diǎn)電荷，在水平面上的N點(diǎn)，由靜止釋放電荷量為-q的負(fù)檢驗電荷，其質(zhì)量為m，該檢驗電荷經(jīng)過P點(diǎn)時速度為v，圖中θ=60°，規(guī)定電場中P點(diǎn)的電勢為零。則在+Q形成的電場中（ ）
A．N點(diǎn)電勢高于P點(diǎn)電勢
B．P點(diǎn)電場強(qiáng)度大小是N點(diǎn)的2倍
C．N點(diǎn)電勢為
D．檢驗電荷在N點(diǎn)具有的電勢能為
科目：gzwl 來源：山東省月考題 題型：不定項選擇
科目：gzwl 來源： 題型：
如圖所示，在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定了一電荷量為+Q的正點(diǎn)電荷，在水平面上的N點(diǎn)，由靜止釋放質(zhì)量為m，電荷量為-q的負(fù)檢驗電荷，該檢驗電荷經(jīng)過P點(diǎn)時速度為v，圖中θ=60°，規(guī)定電場中P點(diǎn)的電勢為零.則在+Q形成的電場中
A．N點(diǎn)電勢高于P點(diǎn)電勢
B．N點(diǎn)電勢為
C．P點(diǎn)電場強(qiáng)度大小是N點(diǎn)的4倍
D．檢驗電荷在N點(diǎn)具有的電勢能為
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