在光滑絕緣水平面的P點(diǎn)正上方O點(diǎn)固定了一電荷量為+Q的正點(diǎn)電荷,在水平面上的N點(diǎn),由靜止釋放質(zhì)量為m,電荷量為-q的負(fù)檢驗(yàn)電荷,該檢驗(yàn)電荷經(jīng)過P點(diǎn)時(shí)速度為v,圖中θ=60°,規(guī)定電場(chǎng)中P點(diǎn)的電勢(shì)為零。則在+Q形成的電場(chǎng)中
A.N點(diǎn)電勢(shì)高于P點(diǎn)電勢(shì)
B.N點(diǎn)電勢(shì)為![]()
C.P點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度大小是N點(diǎn)的2倍
D.檢驗(yàn)電荷在N點(diǎn)具有的電勢(shì)能為![]()
B
解析::在+Q形成的電場(chǎng)中,N點(diǎn)電勢(shì)低于P點(diǎn)電勢(shì),選項(xiàng)A錯(cuò)誤;負(fù)檢驗(yàn)電荷的機(jī)械能與電勢(shì)能之和保持不變,負(fù)檢驗(yàn)電荷在N點(diǎn)電勢(shì)能等于mv2/2,N點(diǎn)電勢(shì)為
,選項(xiàng)B正確D錯(cuò)誤;由圖中幾何關(guān)系,ON=2OP,由點(diǎn)電荷電場(chǎng)強(qiáng)度公式,P點(diǎn)電場(chǎng)強(qiáng)度大小是N點(diǎn)的4倍,選項(xiàng)C錯(cuò)誤。
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