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精英家教網(wǎng)將導體放在勻強磁場中,當通有電流時,在導體的兩個側面會出現(xiàn)電勢差,此現(xiàn)象稱為霍爾效應.利用霍爾效應原理可以制造磁強計、測量磁場的磁感應強度.磁強計的原理如圖所示,電路中有一段金屬導體,它的橫截面積是邊長為a的正方形,放在沿x正方向的勻強磁場中,導體中通有沿y方向、電流強度為I電流,已知導體單位體積中的自由電子數(shù)為n,電子電量為e,導體導電過程中,自由電子所做的定向移動可認為是勻速運動,測出導體上下兩側面間的電勢差為U,則( 。
A、上側面比下側面電勢高
B、上側面比下側面電勢低
C、磁感應強度B=
neaU
I
D、磁感應強度B=
naU
eI

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精英家教網(wǎng)圖示是金屬材料制成霍爾元件示意圖,下面說法正確的是( 。
A、把溫度這個熱學量轉換成電阻這個電學量B、把磁感應強度這個磁學量轉換成電壓這個電學量C、M點的電勢比N點的電勢高D、N點的電勢比M點的電勢高

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精英家教網(wǎng)圖是霍爾元件的工作原理示意圖,用d表示薄片的厚度,k為霍爾系數(shù),對于一個霍爾元件d、k為定值,如果保持I恒定,則可以驗證UH隨B的變化情況.以下說法中正確的是(  )
A、將永磁體的一個磁極逐漸靠近霍爾元件的工作面,UH將變大B、在測定地球兩極的磁場強弱時,霍爾元件的工作面應保持與地面垂直C、在測定地球赤道上的磁場強弱時,霍爾元件的工作面應保持水平D、改變磁感線與霍爾元件工作面的夾角,UH將會發(fā)生變化

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精英家教網(wǎng)隨著社會生產(chǎn)的發(fā)展,環(huán)境污染也越來越嚴重.為減少環(huán)境污染,技術人員在排污管末端安裝了如圖所示的流量計.該裝置由絕緣材料制成,長、寬、高分別為a、b、c,左右兩端開口.在垂直于上下底面方向加磁感應強度為B的勻強磁場,在前后兩個內(nèi)側面分別固定有金屬板作為電極.污水充滿管口從左向右流經(jīng)該裝置時,電壓表將顯示兩個電極間的電壓U.若用Q表示污水流量(單位時間內(nèi)排出的污水體積),下列說法中正確的是( 。
A、污水流動過程中,前金屬電極表面比后金屬電極表面電勢高B、污水流動過程中,前金屬電極表面比后金屬電極表面電勢低C、污水流量Q與U成正比D、污水流量Q與U2成正比

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精英家教網(wǎng)利用霍爾效應制作的霍爾元件,廣泛應用于測量和自動控制等領域.如圖是霍爾元件的工作原理示意圖,磁感應強度B垂直于霍爾元件的工作面向下,通入圖示方向的電流I,C、D兩側面會形成電勢差UCD,下列說法中正確的是( 。
A、電勢差UCD僅與材料有關B、若霍爾元件的載流子是自由電子,則電勢差UCD<0C、僅增大C、D間的寬度(B,I不變)時,電勢差UCD變大D、在測定地球赤道上方的地磁場強弱時,元件的工作面應保持水平

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精英家教網(wǎng)為了測量某化肥廠的污水排放量,技術人員在該廠的排污管末端安裝了如圖所示的流量計,該裝置由絕緣材料制成,長、寬、高分別為a、b、c,左右兩端開口,在垂直于上下表面方向加磁感應強度為B的勻強磁場,在前后兩個內(nèi)側面固定有金屬板作為電極,污水充滿管口從左向右流經(jīng)該裝置時,電壓表將顯示兩個電極間的電壓U.若用Q表示污水流量 (單位時間內(nèi)排出的污水體積),下列說法正確的是(  )
A、若污水中負離子較多,則前內(nèi)側面比后內(nèi)側面電勢高
B、若污水中正離子較多,則前內(nèi)側面比后內(nèi)側面電勢高
C、污水的流速v=
U
Bb
D、污水流量Q只與B、U、c有關

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精英家教網(wǎng)霍爾元件是一種廣泛應用于各領域的磁傳感器,如在翻蓋手機中,常用來控制翻蓋時開啟或關閉運行程序.小梅同學在測試某霍爾元件特性時,通以如圖所示方向電流,磁場方向垂直工作面,寬為d(M、N間距離),厚為h(圖中上下面距離),當MN兩端將出現(xiàn)電壓UMN,則( 。
A、MN兩端電壓UMN僅與磁感應強度B有關B、已知該霍爾元件形成電流的自由電荷是電子,則MN兩端電壓UMN<0C、若增大霍爾元件寬度d,則MN兩端電壓UMN一定增大D、通過控制磁感應強度B可以改變MN兩端電壓UMN

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精英家教網(wǎng)為了利用海洋資源,海洋工作者有時根據(jù)水流切割地磁場所產(chǎn)生的感應電動勢來測量海水的流速.假設海洋某處的地磁場豎直分量為B=0.5×10-4T,水流是南北流向,如圖將兩個電極豎直插入此處海水中,且保持兩電極的連線垂直水流方向.若兩極相距L=10m,與兩電極相連的靈敏電壓表的讀數(shù)為U=2mV,則海水的流速大小為(  )
A、40 m/sB、4 m/sC、0.4 m/sD、4×10-3m/s

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精英家教網(wǎng)半導體中參與導電的電流載體稱為載流子.N型半導體的載流子是帶負電的電子,P型半導體的載流子是帶正電的“空穴”,如圖所示,一塊厚度為d、寬度為L的長方形半導體樣品,置于方向如圖所示、磁感應強度大小為B的勻強磁場中,當半導體樣品中通以向右的電流強度為I的恒定電流時,樣品上、下底面出現(xiàn)恒定電勢差U,且上表面帶正電、下表面帶負電.設半導體樣品中每個載流子帶電荷量為q,半導體樣品中載流子的密度(單位體積內(nèi)載流子的個數(shù))用n表示(已知電流I=nqvS,其中v為載流子定向移動的速度,S為導體橫截面積),則下列關于樣品材料類型的判斷和其中載流子密度n大小的表達式正確的是
( 。
A、是N型半導體,n=
BI
qdU
B、是P型半導體,n=
BI
qdU
C、是N型半導體,n=
BI
qLU
D、是P型半導體,n=
BI
qLU

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精英家教網(wǎng)如圖所示是霍爾元件的工作原理示意圖,如果用d表示薄片的厚度,k為霍爾系數(shù),對于一UH個霍爾元件d、k為定值,如果保持電流I恒定,則可以驗證UH隨B的變化情況.以下說法中正確的是( 。
A、將永磁體的一個磁極逐漸靠近霍爾元件的工作面時,將變大B、在測定地球兩極的磁場強弱時,霍爾元件的工作面應保持水平C、在測定地球赤道上的磁場強弱時,霍爾元件的工作面應保持水平D、改變磁感線與霍爾元件工作面的夾角,UH將發(fā)生變化

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