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（1 ） 如圖，某同學用游標為20分度的卡尺測量一金屬圓板的直徑為cm．

（2）某同學在研究平拋運動的實驗中，他在豎直墻上記錄了拋物線軌跡的一部分，如圖所示，O點不是拋出點，X軸沿水平方向，由圖中所給的數(shù)據(jù)求：①小球平拋的初速度是m/s；②從拋出點到B點所經(jīng)歷的時間是s．g取10m/s2．
（3）一打點計時器固定在斜面上，一小車拖著穿過打點計時器的紙帶從斜面滑下，打出的紙帶的一段如圖所示，在紙帶上每5個點取一個計數(shù)點，依打點先后編為0、1、2、3、4、5、6，每兩相鄰計數(shù)點之間的時間間隔為0.1s．
①小車在計數(shù)點5所對應的速度大小為v=m/s．（保留三位有效數(shù)字）
②小車沿斜面下滑的加速度大小a=m/s²．（保留三位有效數(shù)字）
③如果當時電網(wǎng)中交變電流的頻率變大，而做實驗的同學并不知道，那么加速度的
測量值與實際值相比（選填：“偏大”、“偏小”或“不變”）．
④若斜面光滑，請用以上數(shù)據(jù)的字母表示出斜面傾角的表達式？（重力加速度g已知）．

（2012?南充二模）A、B兩物體疊放在一起，放在光滑的水平面上，從靜止開始受到一變力的作用，該力與時間的關系如圖所示，A、B始終相對靜止，則下列說法正確的是（　　）

電梯是人們?nèi)粘＝?jīng)常乘坐的設備．如圖所示是質量為m的某人乘坐電梯豎直上樓過程的示意圖．該人乘坐電梯上樓-般經(jīng)過三個過程：先由某一樓層從靜止開始加速上升、達到某一速度v后再以速度V勻速上升，最后再從速度v減速上升到另一樓層靜止．則關于該人上樓的過程中，下列說法正確的是（　�。�

（2012?南充二模）質點做直線運動的v-t 圖象如圖所示，規(guī)定t=0時刻，質點位于O點，且水平向右為正方向，則該質點在前9s內(nèi)（　　）

發(fā)電機轉子是匝數(shù)n=100，邊長L=20cm的正方形線圈，置于磁感應強度B=0.5T的勻強磁場中，繞著垂直磁場方向的軸以ω=100π（rad/s）的角速度轉動，當轉到線圈平面與磁場方向垂直時開始計時．線圈的電阻r=1Ω，外電路電阻R=99Ω．試求：
（1）寫出交變電流瞬時值表達式；
（2）外電阻上消耗的功率；
（3）從計時開始，線圈轉過

π

3

過程中，通過外電阻的電荷量是多少？

正方形金屬線框abcd，每邊長l=0.1m，總質量m=0.1kg，回路總電阻R=0.02Ω，用細線吊住，線的另一端跨過兩個定滑輪，掛著一個質量為M=0.14kg的砝碼．線框上方為一磁感應強度B=0.5T的勻強磁場區(qū)，如圖，線框abcd在砝碼M的牽引下做加速運動，當線框上邊ab進入磁場后立即做勻速運動．接著線框全部進入磁場后又做加速運動（g=10m/s²）．問：
（1）線框勻速上升時磁場對線框的作用力多大？
（2）線框勻速上升時速度多大？
（3）線框上升過程中產(chǎn)生了多少電熱？

如圖所示，在平靜的水面下有一點光源s，點光源到水面的距離為H，水對該光源發(fā)出的單色光的折射率為n．
（a）在水面上方觀看時，只有一個圓形區(qū)域可以有光透出，該圓的半徑為多少？為什么？
（b）該單色光在真空中的波長為λ₀，該光在水中的波長為多少？

在“用雙縫干涉測量光的波長”的實驗中，準備了下列器材：
A．白光光源，B．雙縫片，C．單縫片，D．濾光片，E．毛玻璃屏．
實驗步驟有：
①取下遮光筒右側的元件，調節(jié)光源高度，使光束能直接沿遮光筒軸線把屏照亮；
②按合理順序在光具座上放置各光學元件，并使各元件的中心位于遮光筒的軸線上；
③用米尺測量雙縫到屏的距離；
④用測量頭測量數(shù)條亮紋間的距離．

（1）把它們安裝在光具座上時，合理的順序依次是ADE；（填字母即可）
（2）在操作步驟②時還應注意：單雙縫間距5-10cm，單縫和雙縫互相平行；
（3）將測量頭的分劃板中心刻線與某亮紋中心對齊，將該亮紋定為第1條亮紋，記錄讀數(shù)：然后同方向轉動測量頭，使分劃板中心刻線與第7條亮紋中心對齊，記下此時示數(shù)，求得相鄰亮紋的間距△x=1.925mm；
（4）已知雙縫間距d=2.0×10^-4m，測得雙縫到屏的距離L=0.600m，求得所測單色光波長為nm．

在用插針法測定玻璃磚折射率的實驗中，甲、乙、丙三位同學在紙上畫出的界面ab、cd與玻璃磚位置的關系分別如圖①、②和③所示，其中甲、丙同學用的是矩形玻璃磚，乙同學用的是梯形玻璃磚．他們的其他操作均正確，且均以ab、cd為界面畫光路圖．

則甲同學測得的折射率與真實值相比（填“偏大”、“偏小”或“不變”），乙同學測得的折射率與真實值相比（填“偏大”、“偏小”或“不變”），丙同學測得的折射率與真實、值相比．

導體框架abcd構成的平面與水平面成θ角，質量為m的導體棒PQ與導體軌道ad、bc接觸良好而且相互垂直．軌道ad、bc平行，間距為L．a(chǎn)bQp回路的面積為S，總電阻為R且保持不變．勻強磁場方向垂直框架平面斜向上，其變化規(guī)律如圖乙所示．導體棒PQ始終處于靜止狀態(tài)，圖乙中為0己知量，B₀足夠大，則（　�。�