| A. | a點(diǎn)的電勢(shì)比b點(diǎn)的低 | |
| B. | a點(diǎn)的電場強(qiáng)度比b點(diǎn)的小 | |
| C. | 檢驗(yàn)電荷-q在a點(diǎn)的電勢(shì)能比在b點(diǎn)的大 | |
| D. | 將檢驗(yàn)電荷-q從a點(diǎn)移到b點(diǎn)的過程中,電場力做負(fù)功 |
分析 電場線的疏密表示場強(qiáng)的大;a點(diǎn)所在的電場線從Q出發(fā)到不帶電的金屬球終止,所以a點(diǎn)的電勢(shì)高于金屬球的電勢(shì),而b點(diǎn)所在處的電場線從金屬球發(fā)出到無窮遠(yuǎn),所以金屬球的電勢(shì)高于b點(diǎn)的電勢(shì);電勢(shì)越高的地方,負(fù)電荷具有的電勢(shì)能越小.
解答 解:A、a點(diǎn)所在的電場線從Q出發(fā)到不帶電的金屬球終止,所以a點(diǎn)的電勢(shì)高于金屬球的電勢(shì),而b點(diǎn)所在處的電場線從金屬球發(fā)出到無窮遠(yuǎn),所以金屬球的電勢(shì)高于b點(diǎn)的電勢(shì),所以a點(diǎn)的電勢(shì)比b點(diǎn)的電勢(shì)高.故A錯(cuò)誤;
B、電場線的疏密表示場強(qiáng)的大小,據(jù)圖可知,a點(diǎn)的場強(qiáng)比b點(diǎn)的場強(qiáng)大,故B錯(cuò)誤;
C、電勢(shì)越高的地方,負(fù)電荷具有的電勢(shì)能越小,即負(fù)電荷在a點(diǎn)的電勢(shì)能較b點(diǎn)小,故C錯(cuò)誤;
D、由上知,-q在a點(diǎn)的電勢(shì)能較b點(diǎn)小,則把-q電荷從電勢(shì)能小的a點(diǎn)移動(dòng)到電勢(shì)能大的b點(diǎn),電勢(shì)能增大,電場力做負(fù)功.故D正確.
故選:D.
點(diǎn)評(píng) 該題考查電場線的特點(diǎn)與電場力做功的特點(diǎn),解題的關(guān)鍵是電場力做正功,電勢(shì)能減。浑妶隽ψ鲐(fù)功,電勢(shì)能增加.
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
| A. | 總是順時(shí)針 | B. | 總是逆時(shí)針 | ||
| C. | 先順時(shí)針后逆時(shí)針 | D. | 先逆時(shí)針后順時(shí)針 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
| A. | 小球做勻速直線運(yùn)動(dòng) | B. | 小球下落的加速度為$\frac0olnkmg{{T}^{2}}$ | ||
| C. | 小球在位置“3”的速度為$\frac{7d}{2T}$ | D. | 位置“1”是小球釋放的初始位置 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
| A. | 物體的速度越大,加速度也越大 | |
| B. | 物體的速度為零時(shí),加速度也為零 | |
| C. | 物體速度的變化量越大,加速度越大 | |
| D. | 物體的速度變化越快,加速度越大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
| A. | a=μg | B. | a=$\frac{2μg}{3}$ | C. | a=$\frac{μg}{3}$ | D. | a=$\frac{F}{2m}$-$\frac{μg}{3}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
| 時(shí)刻/s | 1.0 | 2.0 | 3.0 | 5.0 | 7.0 | 9.5 | 10.5 |
| 速度/m•s-1 | 3 | 6 | 9 | 12 | 12 | 9 | 3 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
| A. | 用透明的標(biāo)準(zhǔn)樣板和單色光檢查平面的平整度是利用了光的衍射 | |
| B. | 如果做振動(dòng)的質(zhì)點(diǎn)所受的合外力總是指向平衡位置,質(zhì)點(diǎn)的運(yùn)動(dòng)就是簡諧運(yùn)動(dòng) | |
| C. | 變化的電場周圍不一定產(chǎn)生變化的磁場 | |
| D. | 狹義相對(duì)論認(rèn)為,在慣性參考系中,光速與光源、觀察者間的相關(guān)運(yùn)動(dòng)無關(guān) |
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