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如圖所示,邊長為L的正方形導(dǎo)線框底邊水平,且平行于正下方的磁場邊界,正下方的勻強(qiáng)磁場寬度均為L,磁感強(qiáng)度等值反向,兩磁場區(qū)域緊鄰.當(dāng)線框底邊進(jìn)入磁場I區(qū)域時(shí),導(dǎo)線框恰好做勻速運(yùn)動(dòng),這時(shí)導(dǎo)線框的電功率為P.則當(dāng)導(dǎo)線框底邊剛進(jìn)入磁場II區(qū)域時(shí),下列結(jié)論正確的是( 。
A.導(dǎo)線框作加速運(yùn)動(dòng),其加速度為g/2
B.導(dǎo)線框作減速運(yùn)動(dòng),其加速度大小為3g
C.導(dǎo)線框作減速運(yùn)動(dòng),其瞬時(shí)電功率為2P
D.導(dǎo)線框作減速運(yùn)動(dòng),其瞬時(shí)電功率為4P
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BD
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相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

精英家教網(wǎng)如圖所示,邊長為L的正方形導(dǎo)線框底邊水平,且平行于正下方的磁場邊界,正下方的勻強(qiáng)磁場寬度均為L,磁感強(qiáng)度等值反向,兩磁場區(qū)域緊鄰.當(dāng)線框底邊進(jìn)入磁場I區(qū)域時(shí),導(dǎo)線框恰好做勻速運(yùn)動(dòng),這時(shí)導(dǎo)線框的電功率為P.則當(dāng)導(dǎo)線框底邊剛進(jìn)入磁場II區(qū)域時(shí),下列結(jié)論正確的是( 。

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科目:高中物理 來源:上海模擬 題型:多選題

如圖所示,邊長為L的正方形導(dǎo)線框底邊水平,且平行于正下方的磁場邊界,正下方的勻強(qiáng)磁場寬度均為L,磁感強(qiáng)度等值反向,兩磁場區(qū)域緊鄰.當(dāng)線框底邊進(jìn)入磁場I區(qū)域時(shí),導(dǎo)線框恰好做勻速運(yùn)動(dòng),這時(shí)導(dǎo)線框的電功率為P.則當(dāng)導(dǎo)線框底邊剛進(jìn)入磁場II區(qū)域時(shí),下列結(jié)論正確的是( 。
A.導(dǎo)線框作加速運(yùn)動(dòng),其加速度為g/2
B.導(dǎo)線框作減速運(yùn)動(dòng),其加速度大小為3g
C.導(dǎo)線框作減速運(yùn)動(dòng),其瞬時(shí)電功率為2P
D.導(dǎo)線框作減速運(yùn)動(dòng),其瞬時(shí)電功率為4P
精英家教網(wǎng)

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科目:高中物理 來源:2004年上海市南匯區(qū)高考物理一模試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖所示,邊長為L的正方形導(dǎo)線框底邊水平,且平行于正下方的磁場邊界,正下方的勻強(qiáng)磁場寬度均為L,磁感強(qiáng)度等值反向,兩磁場區(qū)域緊鄰.當(dāng)線框底邊進(jìn)入磁場I區(qū)域時(shí),導(dǎo)線框恰好做勻速運(yùn)動(dòng),這時(shí)導(dǎo)線框的電功率為P.則當(dāng)導(dǎo)線框底邊剛進(jìn)入磁場II區(qū)域時(shí),下列結(jié)論正確的是( )
A.導(dǎo)線框作加速運(yùn)動(dòng),其加速度為g/2
B.導(dǎo)線框作減速運(yùn)動(dòng),其加速度大小為3g
C.導(dǎo)線框作減速運(yùn)動(dòng),其瞬時(shí)電功率為2P
D.導(dǎo)線框作減速運(yùn)動(dòng),其瞬時(shí)電功率為4P

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科目:高中物理 來源: 題型:

一邊長為L的正方形閉合金屬導(dǎo)線框,其質(zhì)量為m,回路電阻為R,圖中M、N、P為磁場區(qū)域的邊界,且均為水平,上下兩部分磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度均為B,方向如圖所示. 圖示位置線框的底邊與M重合.現(xiàn)讓線框由圖示位置由靜止開始下落,線框在穿過N和P兩界面的過程中均為勻速運(yùn)動(dòng).若已知M、N之間的高度差為h1,h1>L,線框下落過程中線框平面始終保持豎直,底邊始終保持水平,重力加速度為g.求:
(1)N與P之間的高度差h2;
(2)在整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱.

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科目:高中物理 來源: 題型:

一邊長為L的正方形閉合金屬導(dǎo)線框,其質(zhì)量為m,回路電阻為R.圖中MN、P為磁場區(qū)域的邊界,且均為水平,上下兩部分磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度均為B,方向如圖所示. 圖示位置線框的底邊與M重合. 現(xiàn)讓線框由圖示位置由靜止開始下落,線框在穿過NP兩界面的過程中均為勻速運(yùn)動(dòng). 若已知M、N之間的高度差為h1,h2>L. 線框下落過程中線框平面始終保持豎直,底邊結(jié)終保持水平,重力加速度為g. 求:

   (1)NP之間的高度差h2;

   (2)在整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱.

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科目:高中物理 來源: 題型:

一邊長為L的正方形閉合金屬導(dǎo)線框,其質(zhì)量為m,回路電阻為R,圖中M、N、P為磁場區(qū)域的邊界,且均為水平,上下兩部分磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度均為B,方向如圖所示,圖示位置線框的底邊與M重合,現(xiàn)讓線框由圖示位置由靜止開始下落,線框在穿過N和P兩界面的過程中均為勻速運(yùn)動(dòng),若已知M、N之間的高度差為h1,h1>L,線框下落過程中線框平面始終保持豎直,底邊始終保持水平,重力加速度為g,求:

(1)N與P之間的高度差h2

(2)在整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中,線框中產(chǎn)生的焦耳熱。

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,質(zhì)量為m,電阻為R,邊長為L的正方形閉合單匝導(dǎo)線框,從距離有水平邊界的勻強(qiáng)磁場上方某一高度h由靜止開始自由下落,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,線框下落過程中其底邊始終保持水平,線框平面保持與磁場方向垂直。為使該線框在進(jìn)入磁場過程中作勻速運(yùn)動(dòng),則它開始下落的高度h          。在線框全部進(jìn)入磁場的過程中,通過導(dǎo)線截面的電量q            。

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科目:高中物理 來源:2012屆北京市西城區(qū)南區(qū)高二下學(xué)期期末質(zhì)量檢測物理試卷(帶解析) 題型:計(jì)算題

(16分)如圖所示,一邊長L=10cm的正方形金屬導(dǎo)體框abcd,從某一高度h m處開始豎直向下自由下落,其下邊進(jìn)入只有水平上邊界的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1.0T。線框進(jìn)入磁場時(shí),線框平面保持與磁場垂直,線框底邊保持水平。已知正方形線框abcd的質(zhì)量m=0.1kg,電阻R=0.02,自下邊ab進(jìn)入磁場直到上邊cd也進(jìn)入磁場時(shí)為止,整個(gè)線框恰好能夠保持做勻速直線運(yùn)動(dòng)。若g=10m/s2,不計(jì)空氣阻力,求:

(1)線框下落的高度h;
(2)線框在上述進(jìn)入磁場的過程中感應(yīng)電流產(chǎn)生的焦耳熱Q。

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科目:高中物理 來源:2011-2012學(xué)年北京市西城區(qū)南區(qū)高二下學(xué)期期末質(zhì)量檢測物理試卷(解析版) 題型:計(jì)算題

(16分)如圖所示,一邊長L=10cm的正方形金屬導(dǎo)體框abcd,從某一高度h m處開始豎直向下自由下落,其下邊進(jìn)入只有水平上邊界的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1.0T。線框進(jìn)入磁場時(shí),線框平面保持與磁場垂直,線框底邊保持水平。已知正方形線框abcd的質(zhì)量m=0.1kg,電阻R=0.02,自下邊ab進(jìn)入磁場直到上邊cd也進(jìn)入磁場時(shí)為止,整個(gè)線框恰好能夠保持做勻速直線運(yùn)動(dòng)。若g=10m/s2,不計(jì)空氣阻力,求:

(1)線框下落的高度h;

(2)線框在上述進(jìn)入磁場的過程中感應(yīng)電流產(chǎn)生的焦耳熱Q。

 

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:計(jì)算題

(16分)如圖所示,一邊長L=10cm的正方形金屬導(dǎo)體框abcd,從某一高度h m處開始豎直向下自由下落,其下邊進(jìn)入只有水平上邊界的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1.0T。線框進(jìn)入磁場時(shí),線框平面保持與磁場垂直,線框底邊保持水平。已知正方形線框abcd的質(zhì)量m=0.1kg,電阻R=0.02,自下邊ab進(jìn)入磁場直到上邊cd也進(jìn)入磁場時(shí)為止,整個(gè)線框恰好能夠保持做勻速直線運(yùn)動(dòng)。若g=10m/s2,不計(jì)空氣阻力,求:

(1)線框下落的高度h;
(2)線框在上述進(jìn)入磁場的過程中感應(yīng)電流產(chǎn)生的焦耳熱Q。

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同步練習(xí)冊答案