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一正方形金屬框ABCD水平向右勻速進(jìn)入一勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁場(chǎng)的邊界平行于對(duì)角線AD邊，如圖所示，則金屬框進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)的過程中，下列圖象中正確的是：（垂直紙面向里為磁通量的正方向、逆時(shí)針方向?yàn)殡娏鞯恼颍ā　。?table style="margin-left:0px;width:650px;">
A．
魔方格
B．
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相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來源：不詳 題型：多選題

一正方形金屬框ABCD水平向右勻速進(jìn)入一勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁場(chǎng)的邊界平行于對(duì)角線AD邊，如圖所示，則金屬框進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)的過程中，下列圖象中正確的是：（垂直紙面向里為磁通量的正方向、逆時(shí)針方向?yàn)殡娏鞯恼颍ā　。?table style="margin-left:0px;width:100%;">A．
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科目：高中物理 來源：2008年廣東省潮州市高考物理二模試卷（解析版） 題型：選擇題

一正方形金屬框ABCD水平向右勻速進(jìn)入一勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁場(chǎng)的邊界平行于對(duì)角線AD邊，如圖所示，則金屬框進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)的過程中，下列圖象中正確的是：（垂直紙面向里為磁通量的正方向、逆時(shí)針方向?yàn)殡娏鞯恼颍?）

A．
B．
C．
D．

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科目：高中物理 來源： 題型：

（2008?潮州二模）一正方形金屬框ABCD水平向右勻速進(jìn)入一勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁場(chǎng)的邊界平行于對(duì)角線AD邊，如圖所示，則金屬框進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)的過程中，下列圖象中正確的是：（垂直紙面向里為磁通量的正方向、逆時(shí)針方向?yàn)殡娏鞯恼颍ā　。?/div>

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

如圖所示，金屬線框abcd置于光滑水平桌面上，其右方存在一個(gè)有理想邊界的方向豎直向下的矩形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū),磁場(chǎng)寬度大于線圈寬度。金屬線框在水平恒力F作用下向右運(yùn)動(dòng)，ab邊始終保持與磁場(chǎng)邊界平行。ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)線框恰好能做勻速運(yùn)動(dòng)。則下列說法中正確的是 
A．線框進(jìn)入磁場(chǎng)過程，F做的功大于線框內(nèi)增加的內(nèi)能
B．線框完全處于磁場(chǎng)中的階段，F做的功大于線框動(dòng)能的增加量
C．線框穿出磁場(chǎng)過程中，F做的功等于線框中增加的內(nèi)能
D．線框穿出磁場(chǎng)過程中，F做的功小于線框中增加的內(nèi)能

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖甲所示，光滑絕緣的水平面上一矩形金屬線圈abcd的質(zhì)量為m、電阻為R、面積為S，ad邊長(zhǎng)度為L(zhǎng)，其右側(cè)是有左右邊界的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁場(chǎng)方向垂直紙面向外，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B，ab邊長(zhǎng)度與有界磁場(chǎng)區(qū)域?qū)挾认嗟�，在t=0時(shí)刻線圈以初速度v0進(jìn)入磁場(chǎng)，在t=T時(shí)刻線圈剛好全部進(jìn)入磁場(chǎng)且速度為vl，此時(shí)對(duì)線圈施加一沿運(yùn)動(dòng)方向的變力F，使線圈在t=2T時(shí)刻線圈全部離開該磁場(chǎng)區(qū)，若上述過程中線圈的v-t圖象如圖乙所示，整個(gè)圖象關(guān)于t=T軸對(duì)稱．則下列各項(xiàng)正確的是（　　）

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科目：高中物理 來源：2011-2012學(xué)年湖北省黃岡市團(tuán)風(fēng)中學(xué)高三（下）周練物理試卷（4.6）（解析版） 題型：選擇題

如圖甲所示，光滑絕緣的水平面上一矩形金屬線圈abcd的質(zhì)量為m、電阻為R、面積為S，ad邊長(zhǎng)度為L(zhǎng)，其右側(cè)是有左右邊界的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁場(chǎng)方向垂直紙面向外，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B，ab邊長(zhǎng)度與有界磁場(chǎng)區(qū)域?qū)挾认嗟�，在t=0時(shí)刻線圈以初速度v進(jìn)入磁場(chǎng)，在t=T時(shí)刻線圈剛好全部進(jìn)入磁場(chǎng)且速度為vl，此時(shí)對(duì)線圈施加一沿運(yùn)動(dòng)方向的變力F，使線圈在t=2T時(shí)刻線圈全部離開該磁場(chǎng)區(qū)，若上述過程中線圈的v-t圖象如圖乙所示，整個(gè)圖象關(guān)于t=T軸對(duì)稱．則下列各項(xiàng)正確的是（ ）

A．0-T時(shí)間內(nèi)，線圈內(nèi)產(chǎn)生的焦耳熱是
B．從0-2T過程中，外力對(duì)線框做的功之和為W1=0
C．T-2T過程中，外力F做的功為
D．2T時(shí)刻，線圈剛要離開磁場(chǎng)前，外力F的大小為

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科目：高中物理 來源：模擬題 題型：不定項(xiàng)選擇

如圖甲所示，光滑絕緣的水平面上一矩形金屬線圈abcd的質(zhì)量為m、電阻為R、面積為S，ad邊長(zhǎng)度為L，其右側(cè)是有左右邊界的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，磁場(chǎng)方向垂直紙面向外，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B，ab邊長(zhǎng)度與有界磁場(chǎng)區(qū)域?qū)挾认嗟�，�?EM>t=0時(shí)刻線圈以初速度v0進(jìn)入磁場(chǎng)，在t=T時(shí)刻線圈剛好全部進(jìn)入磁場(chǎng)且速度為v1，此時(shí)對(duì)線圈施加一沿運(yùn)動(dòng)方向的變力F，使線圈在t=2T時(shí)刻線圈全部離開該磁場(chǎng)區(qū)，若上述過程中線圈的v-t圖象如圖乙所示，整個(gè)圖象關(guān)于t=T軸對(duì)稱．則下列各項(xiàng)正確的是：
[     ]
A．0-T時(shí)間內(nèi)，線圈內(nèi)產(chǎn)生的焦耳熱是
B．從0-2T過程中，外力對(duì)線框做的功之和為
C．T-2T過程中，外力F做的功為
D．2T時(shí)刻，線圈剛要離開磁場(chǎng)前，外力F的大小為

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科目：高中物理 來源： 題型：

精英家教網(wǎng)如圖所示，金屬線框abcd置于光滑水平桌面上，其右方存在一個(gè)有理想邊界的方向豎直向下的矩形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)，磁場(chǎng)寬度大于線圈寬度．金屬線框在水平恒力F作用下向右運(yùn)動(dòng)，ab邊始終保持與磁場(chǎng)邊界平行．a(chǎn)b邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)線框恰好能做勻速運(yùn)動(dòng)．則下列說法中正確的是（　�。�
A、線框進(jìn)入磁場(chǎng)過程，F(xiàn)做的功大于線框內(nèi)增加的內(nèi)能B、線框完全處于磁場(chǎng)中的階段，F(xiàn)做的功大于線框動(dòng)能的增加量C、線框穿出磁場(chǎng)過程中，F(xiàn)做的功等于線框中產(chǎn)生的焦耳熱D、線框穿出磁場(chǎng)過程中，F(xiàn)做的功小于線框中產(chǎn)生的焦耳熱

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科目：高中物理 來源：(課標(biāo)人教版)2010年《高考風(fēng)向標(biāo)》物理　第10章　電磁感應(yīng)測(cè)試題 人教版 題型：013

如圖所示，金屬線框abcd置于光滑水平桌面上，其右方存在一個(gè)有理想邊界的方向豎直向下的矩形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)，磁場(chǎng)寬度大于線圈寬度．金屬線框在水平恒力F作用下向右運(yùn)動(dòng)，ab邊始終保持與磁場(chǎng)邊界平行．ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)線框恰好能做勻速運(yùn)動(dòng)．則下列說法中正確的是

[　　]

A．線框進(jìn)入磁場(chǎng)過程，F做的功大于線框內(nèi)增加的內(nèi)能

B．線框完全處于磁場(chǎng)中的階段，F做的功大于線框動(dòng)能的增加量

C．線框穿出磁場(chǎng)過程中，F做的功等于線框中增加的內(nèi)能

D．線框穿出磁場(chǎng)過程中，F做的功小于線框中增加的內(nèi)能

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科目：高中物理 來源： 題型：

如圖所示，金屬線框abcd置于光滑水平桌面上，其右方存在一個(gè)有理想邊界的方向豎直向下的矩形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū),磁場(chǎng)寬度大于線圈寬度。金屬線框在水平恒力F作用下向右運(yùn)動(dòng)，ab邊始終保持與磁場(chǎng)邊界平行。ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)線框恰好能做勻速運(yùn)動(dòng)。則下列說法中正確的是 

A.線框進(jìn)入磁場(chǎng)過程，F做的功大于線框內(nèi)增加的內(nèi)能

B.線框完全處于磁場(chǎng)中的階段，F做的功大于線框動(dòng)能的增加量

C.線框穿出磁場(chǎng)過程中，F做的功等于線框中增加的內(nèi)能

D.線框穿出磁場(chǎng)過程中，F做的功小于線框中增加的內(nèi)能

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