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固定在地面上、絕緣材料制成的半球形碗,內壁光滑,球心為O點,碗底固定一個帶正電的點電荷A,另一個也帶正電的點電荷B,質量為m,靜止在碗中,OB連線與豎直方向的夾角為θ,則此時碗對B的支持力為(  )
A.mgB.mgsinθC.mgcosθD.mg tanθ
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科目:高中物理 來源: 題型:

固定在地面上、絕緣材料制成的半球形碗,內壁光滑,球心為O點,碗底固定一個帶正電的點電荷A,另一個也帶正電的點電荷B,質量為m,靜止在碗中,OB連線與豎直方向的夾角為θ,則此時碗對B的支持力為( 。

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

固定在地面上、絕緣材料制成的半球形碗,內壁光滑,球心為O點,碗底固定一個帶正電的點電荷A,另一個也帶正電的點電荷B,質量為m,靜止在碗中,OB連線與豎直方向的夾角為θ,則此時碗對B的支持力為( 。
A.mgB.mgsinθC.mgcosθD.mg tanθ
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科目:高中物理 來源:2012-2013學年安徽省合肥八中高三(上)月考物理試卷(12月份)(解析版) 題型:選擇題

固定在地面上、絕緣材料制成的半球形碗,內壁光滑,球心為O點,碗底固定一個帶正電的點電荷A,另一個也帶正電的點電荷B,質量為m,靜止在碗中,OB連線與豎直方向的夾角為θ,則此時碗對B的支持力為( )
A.mg
B.mgsinθ
C.mgcosθ
D.mg tanθ

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科目:高中物理 來源:2011-2012學年安徽省合肥八中高三(上)第二次段考物理試卷(解析版) 題型:選擇題

固定在地面上、絕緣材料制成的半球形碗,內壁光滑,球心為O點,碗底固定一個帶正電的點電荷A,另一個也帶正電的點電荷B,質量為m,靜止在碗中,OB連線與豎直方向的夾角為θ,則此時碗對B的支持力為( )
A.mg
B.mgsinθ
C.mgcosθ
D.mg tanθ

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科目:高中物理 來源: 題型:單選題

固定在地面上、絕緣材料制成的半球形碗,內壁光滑,球心為O點,碗底固定一個帶正電的點電荷A,另一個也帶正電的點電荷B,質量為m,靜止在碗中,OB連線與豎直方向的夾角為θ,則此時碗對B的支持力為


  1. A.
    mg
  2. B.
    mgsinθ
  3. C.
    mgcosθ
  4. D.
    mg tanθ

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科目:高中物理 來源: 題型:閱讀理解

如圖所示,固定在上、下兩層水平面上的平行金屬導軌MN、M′N′和OP、O′P′間距都是l,二者之間固定有兩組豎直半圓形軌道PQM和P′Q′M′,它們是用絕緣材料制成的,兩軌道間距也均為l,且PQM和P′Q′M′的豎直高度均為4R,兩組半圓形軌道的半徑均為R.軌道的QQ′端、MM′端的對接狹縫寬度可忽略不計,圖中的虛線為絕緣材料制成的固定支架.下層金屬導軌接有電源,當將一金屬桿沿垂直導軌方向搭接在兩導軌上時,將有電流從電源正極流出,經過導軌和金屬桿流回電源負極.此時金屬桿將受到導軌中電流所形成磁場的安培力作用而運動.運動過程中金屬桿始終與導軌垂直,且接觸良好.當金屬桿由靜止開始向右運動4R到達水平導軌末端PP′位置時其速度大小vP=4
gR
.已知金屬桿質量為m,兩軌道間的磁場可視為勻強磁場,其磁感應強度與電流的關系為B=kI(k為已知常量),金屬桿在下層導軌的運動可視為勻加速運動,運動中金屬桿所受的摩擦阻力、金屬桿和導軌的電阻均可忽略不計.

(1)求金屬桿在下層導軌運動過程中通過它的電流大。
(2)金屬桿由PP′位置無碰撞地水平進入第一組半圓軌道PQ和P′Q′,又在狹縫Q和Q′無碰撞地水平進入第二組半圓形軌道QM和Q′M′的內側.求金屬桿由PP′處到MM′處過程中動量的增量;
(3)金屬桿由第二個半圓軌道的最高位置MM′處,以一定的速度在M和M′處沿對接狹縫無碰撞地水平進入上層金屬導軌后,能沿著上層金屬導軌滑行.設上層水平導軌足夠長,其右端連接的定值電阻阻值為r,導軌處于磁感應強度為B、方向豎直向下的勻強磁場中(不計此時導軌中電流產生的磁場的影響).求金屬桿在上層水平金屬導軌上能滑行過程中通過導體橫截面的電荷量.

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科目:高中物理 來源: 題型:閱讀理解

如圖所示,固定在上、下兩層水平面上的平行金屬導軌、間距都是,二者之間固定有兩組豎直半圓形軌道,兩軌道間距也均為,且的豎直高度均為4R,兩組半圓形軌道的半徑均為R。軌道的端、端的對接狹縫寬度可忽略不計,圖中的虛線為絕緣材料制成的固定支架,能使導軌系統(tǒng)位置固定。將一質量為的金屬桿沿垂直導軌方向放在下層導軌的最左端位置,金屬桿在與水平成角斜向上的恒力作用下沿導軌運動,運動過程中金屬桿始終與導軌垂直,且接觸良好。當金屬桿通過4R的距離運動到導軌末端位置時其速度大小。金屬桿和導軌的電阻、金屬桿在半圓軌道和上層水平導軌上運動過程中所受的摩擦阻力,以及整個運動過程中所受空氣阻力均可忽略不計。

(1)已知金屬桿與下層導軌間的動摩擦因數(shù)為,求金屬桿所受恒力F的大;

(2)金屬桿運動到位置時撤去恒力F,金屬桿將無碰撞地水平進入第一組半圓軌道,又在對接狹縫處無碰撞地水平進入第二組半圓形軌道的內

側,求金屬桿運動到半圓軌道的最高位置時,它對軌道作用力的大;

(3)若上層水平導軌足夠長,其右端連接的定值電阻阻值為,導軌處于磁感應強度為B、方向豎直向下的勻強磁場中。金屬桿由第二組半圓軌道的最高位置處,無碰撞地水平進入上層導軌后,能沿上層導軌滑行。求金屬桿在上層導軌上滑行的最大距離。

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科目:高中物理 來源: 題型:閱讀理解

(20分)如圖所示,固定在上、下兩層水平面上的平行金屬導軌、間距都是,二者之間固定有兩組豎直半圓形軌道,兩軌道間距也均為,且的豎直高度均為4R,兩組半圓形軌道的半徑均為R。軌道的端、端的對接狹縫寬度可忽略不計,圖中的虛線為絕緣材料制成的固定支架,能使導軌系統(tǒng)位置固定。將一質量為的金屬桿沿垂直導軌方向放在下層導軌的最左端位置,金屬桿在與水平成角斜向上的恒力作用下沿導軌運動,運動過程中金屬桿始終與導軌垂直,且接觸良好。當金屬桿通過4R的距離運動到導軌末端位置時其速度大小。金屬桿和導軌的電阻、金屬桿在半圓軌道和上層水平導軌上運動過程中所受的摩擦阻力,以及整個運動過程中所受空氣阻力均可忽略不計。

(1)已知金屬桿與下層導軌間的動摩擦因數(shù)為,求金屬桿所受恒力F的大小;

(2)金屬桿運動到位置時撤去恒力F,金屬桿將無碰撞地水平進入第一組半圓軌道,又在對接狹縫處無碰撞地水平進入第二組半圓形軌道的內

側,求金屬桿運動到半圓軌道的最高位置時,它對軌道作用力的大;

(3)若上層水平導軌足夠長,其右端連接的定值電阻阻值為,導軌處于磁感應強度為B、方向豎直向下的勻強磁場中。金屬桿由第二組半圓軌道的最高位置處,無碰撞地水平進入上層導軌后,能沿上層導軌滑行。求金屬桿在上層導軌上滑行的最大距離。

 

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科目:高中物理 來源:2010年甘肅省高三5月月考(理綜)生物部分 題型:計算題

(20分)如圖所示,固定在上、下兩層水平面上的平行金屬導軌、、間距都是,二者之間固定有兩組豎直半圓形軌道,兩軌道間距也均為,且的豎直高度均為4R,兩組半圓形軌道的半徑均為R。軌道的端、端的對接狹縫寬度可忽略不計,圖中的虛線為絕緣材料制成的固定支架,能使導軌系統(tǒng)位置固定。將一質量為的金屬桿沿垂直導軌方向放在下層導軌的最左端位置,金屬桿在與水平成角斜向上的恒力作用下沿導軌運動,運動過程中金屬桿始終與導軌垂直,且接觸良好。當金屬桿通過4R的距離運動到導軌末端位置時其速度大小。金屬桿和導軌的電阻、金屬桿在半圓軌道和上層水平導軌上運動過程中所受的摩擦阻力,以及整個運動過程中所受空氣阻力均可忽略不計。

(1)已知金屬桿與下層導軌間的動摩擦因數(shù)為,求金屬桿所受恒力F的大。

(2)金屬桿運動到位置時撤去恒力F,金屬桿將無碰撞地水平進入第一組半圓軌道,又在對接狹縫處無碰撞地水平進入第二組半圓形軌道的內

側,求金屬桿運動到半圓軌道的最高位置時,它對軌道作用力的大小;

(3)若上層水平導軌足夠長,其右端連接的定值電阻阻值為,導軌處于磁感應強度為B、方向豎直向下的勻強磁場中。金屬桿由第二組半圓軌道的最高位置處,無碰撞地水平進入上層導軌后,能沿上層導軌滑行。求金屬桿在上層導軌上滑行的最大距離。

 

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科目:高中物理 來源: 題型:閱讀理解

       如圖15所示,固定在上、下兩層水平面上的平行金屬導軌、間距都是,二者之間固定有兩組豎直半圓形軌道,兩軌道間距也均為,且的豎直高度均為4R,兩組半圓形軌道的半徑均為R。軌道的端、端的對接狹縫寬度可忽略不計,圖中的虛線為絕緣材料制成的固定支架,能使導軌系統(tǒng)位置固定。將一質量為的金屬桿沿垂直導軌方向放在下層導軌的最左端位置,金屬桿在與水平成角斜向上的恒力作用下沿導軌運動,運動過程中金屬桿始終與導軌垂直,且接觸良好。當金屬桿通過4R的距離運動到導軌末端位置時其速度大小。金屬桿和導軌的電阻、金屬桿在半圓軌道和上層水平導軌上運動過程中所受的摩擦阻力,以及整個運動過程中所受空氣阻力均可忽略不計。

(1)已知金屬桿與下層導軌間的動摩擦因數(shù)為,求金屬桿所受恒力F的大小;

(2)金屬桿運動到位置時撤去恒力F,金屬桿將無碰撞地水平進入第一組半圓軌道,又在對接狹縫處無碰撞地水平進入第二組半圓形軌道的內側,求金屬桿運動到半圓軌道的最高位置時,它對軌道作用力的大;

(3)若上層水平導軌足夠長,其右端連接的定值電阻阻值為,導軌處于磁感應強度為B、方向豎直向下的勻強磁場中。金屬桿由第二組半圓軌道的最高位置處,無碰撞地水平進入上層導軌后,能沿上層導軌滑行。求金屬桿在上層導軌上滑行的最大距離。

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