科目：高中物理 來源： 題型：

某電容式話筒的原理示意圖如圖所示，E為電源，R為電阻，薄片P和Q為兩金屬極板．對(duì)著話筒說話時(shí)，P振動(dòng)而Q可視為不動(dòng)．在P、Q間距增大過程中，下列說法正確的是（　�。�

A．P、Q構(gòu)成的電容器的電容減小

B．P上電荷量保持不變

C．P、Q兩極板間的電場(chǎng)強(qiáng)度變小

D．流過電阻R上電流方向?yàn)镸到N

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科目：高中物理 來源： 題型：

某電容式話筒的原理示意圖如圖所示，E為電源，R為電阻，薄片P和Q為兩金屬基板．對(duì)著話筒說話時(shí)，P振動(dòng)而Q可視為不動(dòng)．在P、Q間距增大過程中（　�。�

A．P、Q構(gòu)成的電容器的電容減小

B．P上電荷量保持不變

C．M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的低

D．M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的高

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科目：高中物理 來源：2015屆浙江省溫州市十校聯(lián)合體高二上期中聯(lián)考物理試卷（解析版） 題型：選擇題

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科目：高中物理 來源： 題型：單選題

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科目：高中物理 來源：重慶 題型：單選題

某電容式話筒的原理示意圖如圖所示，E為電源，R為電阻，薄片P和Q為兩金屬基板．對(duì)著話筒說話時(shí)，P振動(dòng)而Q可視為不動(dòng)．在P、Q間距增大過程中（　�。�

A．P、Q購車的電容器的電容增大

B．P上電荷量保持不變

C．M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的低

D．M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的高

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：多選題

某電容式話筒的原理示意圖如圖所示，E為電源，R為電阻，薄片P和Q為兩金屬基板．對(duì)著話筒說話時(shí)，P振動(dòng)而Q可視為不動(dòng)．在P、Q間距增大過程中（　�。�

A．P、Q構(gòu)成的電容器的電容減小

B．P上電荷量保持不變

C．M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的低

D．M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的高

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科目：高中物理 來源：2012-2013學(xué)年江蘇省徐州高級(jí)中學(xué)高三（上）月考物理試卷（12月份）（解析版） 題型：選擇題

某電容式話筒的原理示意圖如圖所示，E為電源，R為電阻，薄片P和Q為兩金屬基板．對(duì)著話筒說話時(shí)，P振動(dòng)而Q可視為不動(dòng)．在P、Q間距增大過程中（ ）

A．P、Q構(gòu)成的電容器的電容減小
B．P上電荷量保持不變
C．M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的低
D．M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的高

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科目：高中物理 來源：2010年重慶市高考物理試卷（解析版） 題型：選擇題

某電容式話筒的原理示意圖如圖所示，E為電源，R為電阻，薄片P和Q為兩金屬基板．對(duì)著話筒說話時(shí)，P振動(dòng)而Q可視為不動(dòng)．在P、Q間距增大過程中（ ）
A．P、Q購車的電容器的電容增大
B．P上電荷量保持不變
C．M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的低
D．M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的高

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科目：高中物理 來源：不詳 題型：單選題

某電容式話筒的原理示意圖如圖所示，E為電源，R為電阻，薄片P和Q為兩金屬極板。對(duì)著話筒說話時(shí)，P振動(dòng)而Q可視為不動(dòng)。在P、Q間距增大過程中，下列說法正確的是（   　　）

A．P、Q構(gòu)成的電容器的電容減小

B．P上電荷量保持不變

C．P、Q兩極板間的電場(chǎng)強(qiáng)度變小

D．流過電阻R上電流方向?yàn)镸到N

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科目：高中物理 來源： 題型：多選題

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