某電容式話(huà)筒的原理示意圖如圖所示,E為電源,R為電阻,薄片P和Q為兩金屬基板.對(duì)著話(huà)筒說(shuō)話(huà)時(shí),P振動(dòng)而Q可視為不動(dòng).在P、Q間距增大過(guò)程中( 。
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
科目:高中物理 來(lái)源:2015屆浙江省溫州市十校聯(lián)合體高二上期中聯(lián)考物理試卷(解析版) 題型:選擇題
某電容式話(huà)筒的原理示意圖如圖所示,E為電源,R為電阻,薄片P和Q為兩金屬極板。對(duì)著話(huà)筒說(shuō)話(huà)時(shí),P振動(dòng)而Q可視為不動(dòng)。在P、Q間距增大過(guò)程中,下列說(shuō)法正確的是( 。
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A.P、Q構(gòu)成的電容器的電容減小
B.P上電荷量保持不變
C.P、Q兩極板間的電場(chǎng)強(qiáng)度變小
D.流過(guò)電阻R上電流方向?yàn)镸到N
科目:高中物理 來(lái)源: 題型:單選題
某電容式話(huà)筒的原理示意圖如圖所示,E為電源,R為電阻,薄片P和Q為兩金屬極板。對(duì)著話(huà)筒說(shuō)話(huà)時(shí),P振動(dòng)而Q可視為不動(dòng)。在P、Q間距增大過(guò)程中,下列說(shuō)法正確的是( 。![]()
| A.P、Q構(gòu)成的電容器的電容減小 |
| B.P上電荷量保持不變 |
| C.P、Q兩極板間的電場(chǎng)強(qiáng)度變小 |
| D.流過(guò)電阻R上電流方向?yàn)镸到N |
科目:高中物理 來(lái)源:重慶 題型:單選題
| A.P、Q購(gòu)車(chē)的電容器的電容增大 |
| B.P上電荷量保持不變 |
| C.M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的低 |
| D.M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的高 |
科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:多選題
| A.P、Q構(gòu)成的電容器的電容減小 |
| B.P上電荷量保持不變 |
| C.M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的低 |
| D.M點(diǎn)的電勢(shì)比N點(diǎn)的高 |
科目:高中物理 來(lái)源:2012-2013學(xué)年江蘇省徐州高級(jí)中學(xué)高三(上)月考物理試卷(12月份)(解析版) 題型:選擇題
科目:高中物理 來(lái)源:2010年重慶市高考物理試卷(解析版) 題型:選擇題
科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:單選題
| A.P、Q構(gòu)成的電容器的電容減小 |
| B.P上電荷量保持不變 |
| C.P、Q兩極板間的電場(chǎng)強(qiáng)度變小 |
| D.流過(guò)電阻R上電流方向?yàn)镸到N |
科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
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