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如圖,初速為零的電子經(jīng)加速電場(chǎng)加速后,垂直射入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),射出時(shí)偏轉(zhuǎn)位移為d,若要使d增大些,下列哪些措施是可行的( 。
A.增大偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)極板間距離
B.減小加速電壓U0
C.增大偏轉(zhuǎn)電壓U
D.改變偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)方向
魔方格
BC
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相關(guān)習(xí)題

科目:高中物理 來源: 題型:

如圖,初速為零的電子經(jīng)加速電場(chǎng)加速后,垂直射入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),射出時(shí)偏轉(zhuǎn)位移為d,若要使d增大些,下列哪些措施是可行的(  )

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科目:高中物理 來源:2014年甘肅省河西五市高三第一次聯(lián)考物理試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖,初速為零的電子經(jīng)加速電場(chǎng)加速后,垂直射入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),射出時(shí)偏轉(zhuǎn)位移為d,若要使d增大些,下列哪些措施是可行的(  。

A.增大偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)極板間距離

B.減小加速電壓U0

C.增大偏轉(zhuǎn)電壓U

D.改變偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)方向

 

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科目:高中物理 來源: 題型:單選題

如圖,初速為零的電子經(jīng)加速電場(chǎng)加速后,垂直射入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),射出時(shí)偏轉(zhuǎn)位移為d,若要使d增大些,下列哪些措施是可行的(  。

A.增大偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)極板間距離
B.減小加速電壓U0
C.增大偏轉(zhuǎn)電壓U
D.改變偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)方向

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:多選題

如圖,初速為零的電子經(jīng)加速電場(chǎng)加速后,垂直射入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),射出時(shí)偏轉(zhuǎn)位移為d,若要使d增大些,下列哪些措施是可行的( 。
A.增大偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)極板間距離
B.減小加速電壓U0
C.增大偏轉(zhuǎn)電壓U
D.改變偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)方向
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科目:高中物理 來源:2011-2012學(xué)年廣東省汕頭市高二(下)期末物理試卷(解析版) 題型:選擇題

如圖,初速為零的電子經(jīng)加速電場(chǎng)加速后,垂直射入偏轉(zhuǎn)電場(chǎng),射出時(shí)偏轉(zhuǎn)位移為d,若要使d增大些,下列哪些措施是可行的( )

A.增大偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)極板間距離
B.減小加速電壓U
C.增大偏轉(zhuǎn)電壓U
D.改變偏轉(zhuǎn)電場(chǎng)的場(chǎng)強(qiáng)方向

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,一個(gè)初速度為零的帶正電的粒子經(jīng)過MN兩平行板間電場(chǎng)加速后,從N板上的孔射出,當(dāng)帶電粒子到達(dá)P點(diǎn)時(shí),長(zhǎng)方形abcd的區(qū)域內(nèi)開始加一大小不變、方向垂直于紙面且方向交替變化的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度B=0.4T.每經(jīng)過t=
π
4
×10-3
s,磁場(chǎng)方向變化一次,且當(dāng)粒子到達(dá)P點(diǎn)時(shí)磁場(chǎng)的方向指向紙外.在Q處有一靜止的中性粒子,PQ間距離s=3.0m,PQ直線垂直平分ab、cd.已知長(zhǎng)方形abcd區(qū)域的寬度D=1.6m,帶電粒子的荷質(zhì)比
q
m
=1.0×104C/kg,不計(jì)重力.
(1)試通過計(jì)算說明,當(dāng)加速電壓為U=200V時(shí),帶電粒子能否與中性粒子碰撞?
(2)要使該帶電粒子能與位于Q處的中性粒子的碰撞,試求加速電壓的最大值Umax

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:問答題

如圖所示,在NOQ范圍內(nèi)有垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)I,在MOQ范圍內(nèi)有垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)Ⅱ,M、O、N在一條直線上,∠MOQ=60°,這兩個(gè)區(qū)域磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B.離子源中的離子帶電荷量為+q,質(zhì)量為m,通過小孔O1進(jìn)入兩板間電壓為U的加速電場(chǎng)區(qū)域(可認(rèn)為初速度為零),離子經(jīng)電場(chǎng)加速后由小孔O2射出,再?gòu)腛點(diǎn)進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域I,此時(shí)速度方向沿紙面垂直于磁場(chǎng)邊界MN不計(jì)離子的重力.
(1)若加速電場(chǎng)兩板間電壓U=U0,求離子進(jìn)入磁場(chǎng)后做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑R0
(2)在OQ上有一點(diǎn)P,P點(diǎn)到O點(diǎn)距離為若離子能通過P點(diǎn),求加速電壓U和從O點(diǎn)到P點(diǎn)的運(yùn)動(dòng).
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科目:高中物理 來源:2007-2008學(xué)年北京市西城區(qū)高三(上)期末質(zhì)量檢測(cè)物理試卷(解析版) 題型:解答題

如圖所示,在NOQ范圍內(nèi)有垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)I,在MOQ范圍內(nèi)有垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)Ⅱ,M、O、N在一條直線上,∠MOQ=60°,這兩個(gè)區(qū)域磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B.離子源中的離子帶電荷量為+q,質(zhì)量為m,通過小孔O1進(jìn)入兩板間電壓為U的加速電場(chǎng)區(qū)域(可認(rèn)為初速度為零),離子經(jīng)電場(chǎng)加速后由小孔O2射出,再?gòu)腛點(diǎn)進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域I,此時(shí)速度方向沿紙面垂直于磁場(chǎng)邊界MN不計(jì)離子的重力.
(1)若加速電場(chǎng)兩板間電壓U=U,求離子進(jìn)入磁場(chǎng)后做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑R
(2)在OQ上有一點(diǎn)P,P點(diǎn)到O點(diǎn)距離為若離子能通過P點(diǎn),求加速電壓U和從O點(diǎn)到P點(diǎn)的運(yùn)動(dòng).

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科目:高中物理 來源:2010-2011學(xué)年安徽省合肥市高三(上)第一次質(zhì)檢物理試卷(解析版) 題型:解答題

如圖所示,在NOQ范圍內(nèi)有垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)I,在MOQ范圍內(nèi)有垂直于紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)Ⅱ,M、O、N在一條直線上,∠MOQ=60°,這兩個(gè)區(qū)域磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B.離子源中的離子帶電荷量為+q,質(zhì)量為m,通過小孔O1進(jìn)入兩板間電壓為U的加速電場(chǎng)區(qū)域(可認(rèn)為初速度為零),離子經(jīng)電場(chǎng)加速后由小孔O2射出,再?gòu)腛點(diǎn)進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域I,此時(shí)速度方向沿紙面垂直于磁場(chǎng)邊界MN不計(jì)離子的重力.
(1)若加速電場(chǎng)兩板間電壓U=U,求離子進(jìn)入磁場(chǎng)后做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑R
(2)在OQ上有一點(diǎn)P,P點(diǎn)到O點(diǎn)距離為若離子能通過P點(diǎn),求加速電壓U和從O點(diǎn)到P點(diǎn)的運(yùn)動(dòng).

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:問答題

如圖所示,質(zhì)量為m、電荷量為q的帶電粒子,經(jīng)電勢(shì)差為U的電場(chǎng)加速后,從O點(diǎn)垂直MN邊界進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B、方向垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,速度方向與磁場(chǎng)方向垂直,最后在MN邊界上的P點(diǎn).設(shè)帶電粒子初速度為零且不計(jì)重力,求:
(1)粒子帶何種電荷及粒子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速率;
(2)OP間的距離.

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