如圖所示,abcd為一勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,現(xiàn)在給豎直方位的半徑為R的環(huán)以某種約束,以保持它不轉(zhuǎn)動(dòng)地勻速下落,在下落過(guò)程中,它的左半部通過(guò)磁場(chǎng),圓環(huán)用均勻電阻絲做成,F(xiàn)、O、E為環(huán)的上、中、下三點(diǎn),下列說(shuō)法中正確的是( )
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:多選題
| A.當(dāng)E和d重合時(shí),環(huán)中電流最大 |
| B.當(dāng)O和d重合時(shí),環(huán)中電流最大 |
| C.當(dāng)F和d重合時(shí),環(huán)中電流為零 |
| D.當(dāng)O和d重合時(shí),環(huán)中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)的大小E=BRV |
科目:高中物理 來(lái)源:2010-2011學(xué)年福建省莆田市仙游縣度尾中學(xué)高二(上)模塊物理試卷(選修3-2)(解析版) 題型:
科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
科目:高中物理 來(lái)源:四中大考卷-高二物理(下冊(cè))、期中測(cè)試題 題型:013
如圖所示,abcd為一垂直紙面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,現(xiàn)在給豎直放置的圓環(huán)以某種約束,保證它無(wú)轉(zhuǎn)動(dòng)的勻速下落,在下落過(guò)程中,它的左半部通過(guò)磁場(chǎng),圓環(huán)均為電阻絲做成,F(xiàn)、O、E為環(huán)的上、中、下三點(diǎn),則下列說(shuō)法中正確的是
A.當(dāng)E與d重合時(shí),環(huán)中電流最大
B.當(dāng)O與d重合時(shí),環(huán)中電流最大
C.當(dāng)F與d重合時(shí),環(huán)中電流最大
D.以上說(shuō)法都不對(duì)
科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
如圖9-3-4甲所示,abcd是位于豎直平面內(nèi)的正方形閉合金屬線框,在金屬線框的下方有一磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,MN和M′N′是勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的水平邊界,并與線框的bc邊平行,磁場(chǎng)方向與線框平面垂直.現(xiàn)金屬線框由距MN的某一高度從靜止開(kāi)始下落,圖9-3-18乙是金屬線框由開(kāi)始下落到完全穿過(guò)勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的vt圖象.已知金屬線框的質(zhì)量為m,電阻為R,當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣葹?i>g,圖象中坐標(biāo)軸上所標(biāo)出的字母v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均為已知量.(下落過(guò)程中bc邊始終水平)根據(jù)題中所給條件,以下說(shuō)法正確的是( ).
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圖9-3-4
A.可以求出金屬框的邊長(zhǎng)
B.線框穿出磁場(chǎng)時(shí)間(t4-t3)等于進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)間(t2-t1)
C.線框穿出磁場(chǎng)與進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程所受安培力方向相同
D.線框穿出磁場(chǎng)與進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程產(chǎn)生的焦耳熱相等
科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:問(wèn)答題
| △B |
| △t |
科目:高中物理 來(lái)源:2010-2011學(xué)年山東省濟(jì)南市高三第一次模擬考試?yán)砜莆锢砭?/span> 題型:選擇題
如圖甲所示,abcd是位于豎直平面內(nèi)的正方形閉合金屬線框,在金屬線框的下方有一磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,MN和M′N(xiāo)′是勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的水平邊界,并在線框的bc邊平行,磁場(chǎng)方向與線框平面垂直,F(xiàn)金屬線框內(nèi)距MN的某一高度從靜止開(kāi)始下落,圖乙是金屬線框由開(kāi)始下落到完全穿過(guò)勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的v – t 圖像。已知金屬線框的質(zhì)量為m,電阻為R,當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣葹間,圖像中坐標(biāo)軸上所標(biāo)出的字線v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均為已知量。(下落過(guò)程中bc邊始終水平)根據(jù)題中所給條件,以下說(shuō)法正確的是 ( )
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A.可以求出金屬框的邊長(zhǎng)
B.線框穿出磁場(chǎng)時(shí)間(t1—t3)等于進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)間(t2—t1)
C.線框穿出磁場(chǎng)與進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程所受安培力方向相同
D.線框穿出磁場(chǎng)與進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程產(chǎn)生的焦耳相等
科目:高中物理 來(lái)源:不詳 題型:單選題
| A.可以求出金屬框的邊長(zhǎng) |
| B.線框穿出磁場(chǎng)時(shí)間(t1—t3)等于進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)間(t2—t1) |
| C.線框穿出磁場(chǎng)與進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程所受安培力方向相同 |
| D.線框穿出磁場(chǎng)與進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程產(chǎn)生的焦耳相等 |
科目:高中物理 來(lái)源: 題型:
如圖甲所示,abcd是位于豎直平面內(nèi)的正方形閉合金屬線框,在金屬線框的下方有一磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域,MN和M′N(xiāo)′是勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的水平邊界,并在線框的bc邊平行,磁場(chǎng)方向與線框平面垂直,F(xiàn)金屬線框內(nèi)距MN的某一高度從靜止開(kāi)始下落,圖乙是金屬線框由開(kāi)始下落到完全穿過(guò)勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域的v – t圖像。已知金屬線框的質(zhì)量為m,電阻為R,當(dāng)?shù)氐闹亓铀俣葹間,圖像中坐標(biāo)軸上所標(biāo)出的字線v1、v2、v3、t1、t2、t3、t4均為已知量。(下落過(guò)程中bc邊始終水平)根據(jù)題中所給條件,以下說(shuō)法正確的是 ( )
A.可以求出金屬框的邊長(zhǎng)
B.線框穿出磁場(chǎng)時(shí)間(t1—t3)等于進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)間(t2—t1)
C.線框穿出磁場(chǎng)與進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程所受安培力方向相同
D.線框穿出磁場(chǎng)與進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程產(chǎn)生的焦耳相等
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