質(zhì)譜儀是測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素重要工具。如圖所示為質(zhì)譜儀的原理示意圖，現(xiàn)利用這種質(zhì)譜議對(duì)氫元素進(jìn)行測(cè)量。氫元素的各種同位素從容器A下方的小孔S無初速度飄入電勢(shì)差為U的加速電場(chǎng)，加速后垂直進(jìn)入磁感強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中。氫的三種同位素氕、氘、氚的電量之比為1：1：1，質(zhì)量之比為1：2：3，它們最后打在照相底片D上，形成a、b、c三條“質(zhì)譜線”。則三種同位素進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)速度 ___________，a、b、c三條“質(zhì)譜線”的排列順序依次是___________。 |
|
A．  ；氚、氘、氕B．  ；氕、氘、氚 C．  ；氚、氘、氕 D．  ；氕、氘、氚 |
科目：高中物理 來源： 題型：
質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具，它的構(gòu)造原理如圖所示，離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束（電量為q，速度可看作為零），經(jīng)加速電場(chǎng)電壓U加速后垂直進(jìn)入有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)，到達(dá)記錄它的照相底片P上，設(shè)離子在P上的位置到入口處S1的距離為x，不計(jì)離子重力，則下列說法正確的是（ ）科目：高中物理 來源： 題型：
質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具．它的構(gòu)造原理如圖所示，離子源S產(chǎn)生帶電量為q的某種正離子，離子射出時(shí)的速度很小，可以看作是靜止的，離子經(jīng)過電壓U加速后形成離子束流，然后垂直于磁場(chǎng)方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，沿著半圓周運(yùn)動(dòng)而到達(dá)記錄它的照相底片P上．實(shí)驗(yàn)測(cè)得：它在P上的位置到入口處S1的距離為a，離子束流的電流為I．請(qǐng)回答下列問題：| qB2 | 8U |
科目：高中物理 來源： 題型：
質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具．它的構(gòu)造原理如圖所示，離子源S產(chǎn)生電荷量為q的某種正離子，離子產(chǎn)生時(shí)的速度很小，可以看作是靜止的，離子經(jīng)過電壓U加速后形成離子流，然后垂直于磁場(chǎng)方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，沿著半圓周運(yùn)動(dòng)而到達(dá)記錄它的照相底片P上．實(shí)驗(yàn)測(cè)得，它在P上的位置到入口處S1的距離為a，離子流的電流為I．請(qǐng)回答下列問題：科目：高中物理 來源： 題型：
質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具，它的構(gòu)造原理如圖所示．離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束（速度可看作為零），經(jīng)加速電場(chǎng)（加速電場(chǎng)極板間的距離為d、電勢(shì)差為U）加速，然后垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)，最后到達(dá)記錄它的照相底片P上．設(shè)離子在P上的位置與人口處S1之間的距離為x．| q | m |
科目：高中物理 來源： 題型：
質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具，在科學(xué)研究中具有重要應(yīng)用．如圖所示是質(zhì)譜儀工作原理簡(jiǎn)圖，電容器兩極板相距為d，兩端電壓為U，板間勻強(qiáng)磁場(chǎng)磁感應(yīng)強(qiáng)度為B1，一束帶電量均為q的正電荷粒子從圖示方向射入，沿直線穿過電容器后進(jìn)入另一勻強(qiáng)磁場(chǎng)B2，結(jié)果分別打在a、b兩點(diǎn)，測(cè)得兩點(diǎn)間的距離為△R，由此可知，打在兩點(diǎn)的粒子質(zhì)量差為△m=| qdB1B2△ R |
| 2U |
| qdB1B2△ R |
| 2U |
科目：高中物理 來源： 題型：
質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具，它的構(gòu)造原理如圖所示，離子源S可以發(fā)出各種不同的正離子束，離子從S出來時(shí)速度很小，可以看作是靜止的，離子經(jīng)過加速電場(chǎng)加速后垂直進(jìn)入有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)（圖中線框所示），并沿著半圓周運(yùn)動(dòng)而到達(dá)照像底片上的P點(diǎn)，測(cè)得P點(diǎn)到入口處S的距離為x?（ ）科目：高中物理 來源： 題型：
質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具，它的構(gòu)造原理如圖所示，離子源S產(chǎn)生的各種不同正離子束（速度可看作零），經(jīng)加速電場(chǎng)加速后垂直進(jìn)入有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)，到達(dá)照相底片P上，設(shè)離子在P上的位置到入口處S1的距離為x，則離子的比荷| q |
| m |
A、 |
B、 |
C、 |
D、 |
科目：高中物理 來源： 題型：
的距離為x.試求離子的質(zhì)量m.? 
圖2－1
科目：高中物理 來源： 題型：
質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具，它的構(gòu)造原理如圖所示。離子源S產(chǎn)生質(zhì)量為m、帶電量為q的某種正離子，離子產(chǎn)生出來時(shí)速度很小，可以看作是靜止的。粒子從容器A下方小孔S1飄入電勢(shì)差為U的加速電場(chǎng)，然后經(jīng)過小孔S2和S3后沿著與磁場(chǎng)垂直的方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中，最后打到照相底片D上。
(1)小孔S1和S2處的電勢(shì)比較，哪處的高？
在小孔S1和S2處的電勢(shì)能，哪處高？如果容器A接地且電勢(shì)為0，則小孔S1和S2處的電勢(shì)各為多少？(設(shè)小孔極小，其電勢(shì)和小孔處的電極板的電勢(shì)相同)
(2)求粒子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速率和粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑。
(3)如果從容器下方的S1小孔飄出的是具有不同的質(zhì)量的帶電量為q的正離子，那么這些粒子打在照相底片的同一位置，還是不同位置？如果是不同位置，那么質(zhì)量分別為
的粒子在照相底片的排布等間距嗎？寫出說明。
科目：高中物理 來源： 題型：
質(zhì)譜儀是用來測(cè)定帶電粒子的質(zhì)量和分析同位素的裝置，如圖所示，電容器兩極板相距為d，兩極板間電壓為U，極板間的勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度為
，一束電荷量相同的帶正電的粒子沿電容器的中心線平行于極板射入電容器，沿直線穿過電容器后進(jìn)入另一磁感應(yīng)強(qiáng)度為
的勻強(qiáng)磁場(chǎng)，結(jié)果分別打在感光片上的a、b兩點(diǎn)，設(shè)a、b兩點(diǎn)間距離為
，粒子所帶電荷量為q，且不計(jì)重力，求：
（1）粒子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度v；
（2）打在a、b兩點(diǎn)的粒子的質(zhì)量之差
。
國(guó)際學(xué)校優(yōu)選 - 練習(xí)冊(cè)列表 - 試題列表
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報(bào)平臺(tái) | 網(wǎng)上有害信息舉報(bào)專區(qū) | 電信詐騙舉報(bào)專區(qū) | 涉歷史虛無主義有害信息舉報(bào)專區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報(bào)專區(qū)
違法和不良信息舉報(bào)電話：027-86699610 舉報(bào)郵箱：58377363@163.com
