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如圖所示,在高度分別為hA、hB(hA>hB)的兩處以初速度vA、vB相向水平拋出A、B兩個小物體,不計空氣阻力,已知它們的軌跡交于C點,若使A、B兩物體能在C處相遇,應該是


A.vA必須大于vB
B.A物體必須先拋
C.vB必須大于vA
D.A、B必須同時拋
B
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相關(guān)習題

科目:高中物理 來源:2013屆廣東省高一下學期期中考試物理試題 題型:選擇題

如圖所示,在高度分別為hA、hB(hA>hB)的兩處以初速度vA、vB相向水平拋出A、B兩個小物體,不計空氣阻力,已知它們的軌跡交于C點,若使A、B兩物體能在C處相遇,應該是

A.vA必須大于vB

B.A物體必須先拋

C.vB必須大于vA

D. A、B必須同時拋

 

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科目:高中物理 來源:不詳 題型:單選題

如圖所示,在高度分別為hA、hB(hA>hB)的兩處以初速度vA、vB相向水平拋出A、B兩個小物體,不計空氣阻力,已知它們的軌跡交于C點,若使A、B兩物體能在C處相遇,應該是

A.vA必須大于vB
B.A物體必須先拋
C.vB必須大于vA
D. A、B必須同時拋

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科目:高中物理 來源: 題型:單選題

如圖所示,在高度分別為hA、hB(hA>hB)的兩處以初速度vA、vB相向水平拋出A、B兩個小物體,不計空氣阻力,已知它們的軌跡交于C點,若使A、B兩物體能在C處相遇,應該是


  1. A.
    vA必須大于vB
  2. B.
    A物體必須先拋
  3. C.
    vB必須大于vA
  4. D.
    A、B必須同時拋

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科目:高中物理 來源:0119 期中題 題型:單選題

如圖所示,在高度分別為hA、hB(hA>hB)的兩處以初速度vA、vB相向水平拋出A、B兩個小物體,不計空氣阻力,已知它們的軌跡交于C點,若使A、B兩物體能在C處相遇,應該是
[     ]
A.vA必須大于vB
B.A物體必須先拋
C.vB必須大于vA
D.A、B必須同時拋

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,在高度分別為hA、hBhAhB)的兩處以初速度vAvB相向水平拋出A、B兩個小物體,不計空氣阻力,已知它們的軌跡交于C點,若使A、B兩物體能在C處相遇,應該是

A.vA必須大于vB

B.A物體必須先拋

C.vB必須大于vA

D. A、B必須同時拋

 


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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,在高度分別為hA、hBhAhB)的兩處以初速度vA、vB相向水平拋出A、B兩個小物體,不計空氣阻力,已知它們的軌跡交于C點,若使A、B兩物體能在C處相遇,應該是

A.vA必須大于vB

B.A物體必須先拋

C.vB必須大于vA

D. A、B必須同時拋

 


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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,在高度分別為hA、hB(hA>hB)的兩處以初速度vA、vB相向水平拋出A、B兩個小物體,不計空氣阻力,已知它們的軌跡交于C點,若使A、B兩物體能在C處相遇,應該是

A.vA必須大于vB

B.A物體必須先拋

C.vB必須大于vA

D. A、B必須同時拋

 

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科目:高中物理 來源:2010-2011學年廣東省揭陽一中高一下學期期中考試物理試題 題型:單選題

如圖所示,在高度分別為hA、hB(hA>hB)的兩處以初速度vA、vB相向水平拋出A、B兩個小物體,不計空氣阻力,已知它們的軌跡交于C點,若使A、B兩物體能在C處相遇,應該是

A.vA必須大于vB
B.A物體必須先拋
C.vB必須大于vA
D. A、B必須同時拋

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,兩個半徑相同的小球A、B分別被不可伸長的細線懸吊著,兩個小球靜止時,它們剛好接觸,且球心在同一條水平線上,兩根細線豎直.小球A的質(zhì)量小于B的質(zhì)量.現(xiàn)向左移動小球A,使懸吊A球的細線張緊著與豎直方向成某一角度,然后無初速釋放小球A,兩個小球?qū)l(fā)生碰拉.碰撞過程沒有機械能損失,且碰撞前后小球的擺動平面不變.已知碰撞前A球擺動的最高點與最低點的高度差為h.則小球B的質(zhì)量越大,碰后( 。

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科目:高中物理 來源: 題型:

如圖所示,兩根平行的光滑金屬導軌豎直放置,其上端接一定值電阻R=3Ω.在水平虛線L1、L2間有一與導軌所在平面垂直向里大小為B的勻強磁場,磁場區(qū)域的高度為d=0.5m.水平放置的導體棒a、b分別從M、N處同時由靜止釋放,當b剛穿出磁場時a正好進入磁場,且他們都勻速穿過磁場區(qū)域.已知:兩棒的質(zhì)量和電阻為ma=0.2kg、Ra=3Ω;mb=0.1kg、Rb=6Ω,不計導軌電阻及a、b之間的相互作用力,在運動中兩棒始終保持水平且與導軌接觸良好.取g=10m/s2.求:
(1)導體棒a、b勻速穿過磁場的速度大小之比
vavb
;
(2)導體棒所在釋放位置M點和N點距L1的高度ha、hb
(3)整過過程中,電路產(chǎn)生的焦耳熱Q.

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