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19.如圖14所示.正方形區(qū)域abcd邊長L=8cm.內(nèi)有平行于ab方向指向BC邊的勻強電場.場強E=3750 V/m.一帶正電的粒子電量q=10-10C.質(zhì)量m=10-20kg.沿電場中心線RO飛入電場.初速度v0=2×106m/s.粒子飛出電場后經(jīng)過界面CD.PS間的無電場區(qū)域后.進入固定在O點的點電荷Q形成的電場區(qū)域.一進入該區(qū)域即開始做勻速圓周運動(設點電荷左側(cè)的電場分布以界面PS為界限.且不受PS影響).已知cd.PS相距12cm.粒子穿過PS最后垂直打在放置于中心線上的熒光屏MN上.不計粒子重力(靜電力常數(shù)k=9×109Nm2/C2).試求: (1)粒子穿過界面PS時偏離中心線OR的距離y,(2)粒子穿過界面PS時的速度大小與方向,(3)O點與PS面的距離x,(4)點電荷Q的電性及電量大小. 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

如圖14所示,在光滑絕緣的水平面上有一個用一根均勻?qū)w圍成的正方形線框abcd,其邊長為L,總電阻為R,放在磁感應強度為B、方向豎直向下的勻強磁場的左邊,圖中虛線MN為磁場的左邊界.線框在大小為F的恒力作用下向右運動,其中ab邊保持與MN平行.當線框以速度v0進入磁場區(qū)域時,它恰好做勻速運動.在線框進入磁場的過程中,求:
(1)線框的ab邊產(chǎn)生的感應電動勢的大;
(2)求線框a、b兩點的電勢差;
(3)求線框中產(chǎn)生的焦耳熱.

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14分)如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運動的簡化模型示意圖。在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個場強大小均為E的勻強電場I和II,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計電子所受重力)。

(1)在該區(qū)域AB邊的中點處由靜止釋放電子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置。

(2)在電場I區(qū)域內(nèi)適當位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點的位置。

(3)若將左側(cè)電場II整體水平向右移動L/nn≥1),仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(D不隨電場移動),求在電場I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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14分)如圖所示為研究電子槍中電子在電場中運動的簡化模型示意圖。在Oxy平面的ABCD區(qū)域內(nèi),存在兩個場強大小均為E的勻強電場I和II,兩電場的邊界均是邊長為L的正方形(不計電子所受重力)。

(1)在該區(qū)域AB邊的中點處由靜止釋放電子,求電子離開ABCD區(qū)域的位置。

(2)在電場I區(qū)域內(nèi)適當位置由靜止釋放電子,電子恰能從ABCD區(qū)域左下角D處離開,求所有釋放點的位置。

(3)若將左側(cè)電場II整體水平向右移動L/nn≥1),仍使電子從ABCD區(qū)域左下角D處離開(D不隨電場移動),求在電場I區(qū)域內(nèi)由靜止釋放電子的所有位置。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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