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質(zhì)譜議的構(gòu)造原理如圖所示.從粒子源S出來時的粒子速度很小,可以看作初速為零,粒子經(jīng)過電場加速后進(jìn)入有界的垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,并沿著半圓周運(yùn)動而達(dá)到照相底片上的P點(diǎn),測得P點(diǎn)到入口的距離為x,則以下說法正確的是
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A.粒子一定帶正電
B.粒子一定帶負(fù)電
C.x越大,則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越大
D.x越大,則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越小
| A.粒子一定帶正電 |
| B.粒子一定帶負(fù)電 |
| C.x越大,則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越大 |
| D.x越大,則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越小 |
質(zhì)譜議的構(gòu)造
原理如圖所示.從粒子源S出來時的粒子速度很小,可以看作初速為零,粒子經(jīng)過電場加速后進(jìn)入有界的垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場區(qū)域,并沿著半圓周運(yùn)動而達(dá)到照相底片上的P點(diǎn)
,測得P點(diǎn)到入口的距離為x,則以下說法正確的是
A.粒子一定帶正電
B.粒子一定帶負(fù)電
C.x越大,則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越大
D.x越大,則粒子的質(zhì)量與電量之比一定越小
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