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25． G和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位. (1)寫出Si的基態(tài)原子核外電子排布式 . 從電負(fù)性角度分析.C.Si和O元素的非金屬活潑性由強(qiáng)至弱的順序?yàn)? . (2)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似.其中C原子的雜化方式為 .微粒間存在的作用力是 . (3)氧化物MO的電子總數(shù)與SiC的相等.則M為 .MO是優(yōu)良的耐高溫材料.其晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體相似.MO的熔點(diǎn)比CaO的高.其原因是 . (4)C.Si為同一主族的元素.CO2和SiO2化學(xué)式相似.但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大不同.CO2中C與O原子間形成σ鍵和π鍵.SiO:中Si與O原子間不形成上述π健.從原子半徑大小的角度分析.為何C.O原子間能形成.而Si.O原子間不能形成上述π健 . 答案:(1)1s22s2sp63s23p2 O＞C＞Si(2)sp3 共價(jià)鍵(3)Mg Mg2+半徑比Ca2+小.MgO的晶格能大(4)C的原子半徑較小.C.O原子能充分接近.p-p軌道肩并肩重疊程度較大.形成較穩(wěn)定的π鍵.而Si原子半徑較大.Si.O原子間距離較大.p-p軌道肩并肩重疊程度較小.不能形成穩(wěn)定的π鍵 解析:(1)C.Si和O的電負(fù)性大小順序?yàn)?O＞C＞Si.(2)晶體硅中一個(gè)硅原子周圍與4個(gè)硅原子相連.呈正四面體結(jié)構(gòu).所以雜化方式是sp3 .(3)SiC電子總數(shù)是20個(gè).則氧化物為MgO,晶格能與所組成離子所帶電荷成正比.與離子半徑成反比.MgO與CaO的離子電荷數(shù)相同.Mg2+半徑比Ca2+小.MgO晶格能大.熔點(diǎn)高.(4) Si的原子半徑較大.Si.O原子間距離較大.p-p軌道肩并肩重疊程度較小.不能形成上述穩(wěn)定的π鍵 [考點(diǎn)分析]物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì).原子結(jié)構(gòu).雜化方式綜合考查 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

（09年山東理綜·29）（12分）Zn—MnO2干電池應(yīng)用廣泛，其電解質(zhì)溶液是ZnCl2—NH4Cl混合溶液。

（1）該電池的負(fù)極材料是     。電池工作時(shí)，電子流向    （填“正極”或“負(fù)極”）。

（2）若ZnCl2—NH4Cl混合溶液中含有雜質(zhì)Cu2＋，會(huì)加速某電極的腐蝕，其主要原因是  

               。欲除去Cu2+，最好選用下列試劑中的           （填代號(hào)）。

a．NaOH       b．Zn     c．Fe      d．NH3·H2O

（3）MnO2的生產(chǎn)方法之一是以石墨為電極，電解酸化的MnSO4溶液。陰極的電極反應(yīng)式是              。若電解電路中通過2mol電子，MnO2的理論產(chǎn)量為                。

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