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如圖所示的平行板器件中，存在相互垂直的勻強(qiáng)磁場和勻強(qiáng)電場，磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B₁=0.40T，方向垂直于紙面向里，電場強(qiáng)度E=2.0×10⁵V/m，PQ為板間中線，緊靠平行板右側(cè)邊緣xoy坐標(biāo)系的第一象限內(nèi)，有垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度B₂=0.25T，磁場邊界AO和y軸的夾角∠AOy=45°．一束帶電荷量q=8.0×10^-19C的正粒子從P點(diǎn)射入平行板間，沿中線PQ做直線運(yùn)動，穿出平行板后從y軸上坐標(biāo)為（0，0.2m）的Q點(diǎn)垂直y軸射入磁場區(qū)域，粒子通過x軸時的速度方向與x軸正方向夾角為45°．不考慮重力的影響．求：
（1）粒子運(yùn)動的速度v是多大？
（2）粒子的質(zhì)量m是多大？

如圖所示的平行板器件中，存在相互垂直的勻強(qiáng)磁場和勻強(qiáng)電場，磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B₁=0.40T，方向垂直紙面向里，電場強(qiáng)度E=2.0×10⁵V/m，PQ為板間中線．緊靠平行板右側(cè)邊緣xOy坐標(biāo)系的第一象限內(nèi)，有垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度為B₂的勻強(qiáng)磁場，磁場邊界AO和y軸的夾角∠AOy=45°．一束帶電量q=8.0×10^-19C，質(zhì)量m=8.0×10^-26kg的正離子從P點(diǎn)射入平行板間，沿中線PQ做直線運(yùn)動，穿出平行板后從y軸上坐標(biāo)為（0，0.2m）的Q點(diǎn)垂直y軸射入磁場區(qū)．（正離子重力不計）
（1）離子運(yùn)動的速度為多大？
（2）要使離子都不能打到x軸上，AOy區(qū)域內(nèi)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B₂應(yīng)滿足什么條件？
（3）若AOy區(qū)域內(nèi)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小B₂介于0.25T到0.5T之間，試求正離子經(jīng)過x軸時的區(qū)域范圍．

如圖所示的平行板器件中，存在相互垂直的勻強(qiáng)磁場和勻強(qiáng)電場，磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B₁=0.20T，方向垂直紙面向里，電場強(qiáng)度E1=1.0×105V/m，PQ為板間中線．緊靠平行板右側(cè)邊緣xOy坐標(biāo)系的第一象限內(nèi)，有一邊界線AO，與y軸的夾角∠AOy=45°，邊界線的上方有垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度B₂=0.25T，邊界線的下方有豎直向上的勻強(qiáng)電場，電場強(qiáng)度E2=5.0×105V/m．一束帶電荷量q=8.0×10^-19C、質(zhì)量m=8.0×10^-26kg的正離子從P點(diǎn)射入平行板間，沿中線PQ做直線運(yùn)動，穿出平行板后從y軸上坐標(biāo)為（0，0.4m）的Q點(diǎn)垂直y軸射入磁場區(qū)，多次穿越邊界線OA．求：（不計離子重力）
（1）離子運(yùn)動的速度；
（2）離子從進(jìn)入磁場到第二次穿越邊界線OA所需的時間；
（3）離子第四次穿越邊界線的位置坐標(biāo)．

如圖所示的平行板器件中，存在相互垂直的勻強(qiáng)磁場和勻強(qiáng)電場，磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B₁=0.20T，方向垂直紙面向里，電場強(qiáng)度E₁=1.0×10⁵V/m，PQ為板間中線．緊靠平行板右側(cè)邊緣xoy坐標(biāo)系的第一象限內(nèi)，有一邊界AO，與y軸的夾角∠AOy=45°，邊界線的上方有垂直紙面向外的勻強(qiáng)磁場，磁感應(yīng)強(qiáng)度 B₂=0.25T，邊界線的下方有豎直向上的勻強(qiáng)電場，電場強(qiáng)度E₂=5.0×10⁵V/m，一束帶電量q=8.0×10^-19C、質(zhì)量m=8.0×10^-26kg的正離子從P點(diǎn)射入平行板間，沿中線PQ做直線運(yùn)動，穿出平行板后從y軸上坐標(biāo)為（0，0.4m）的Q點(diǎn)垂直y軸射入磁場區(qū)，多次穿越邊界限OA．求：
（1）離子運(yùn)動的速度為多大？
（2）離子通過y軸進(jìn)入磁場到第二次穿越邊界線OA所需的時間？
（3）離子第四次穿越邊界線的位置坐標(biāo)．