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碳化硅(SiC) 、氧化鋁(Al₂O₃) 和氮化硅（Si₃N₄）是優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。
（1）Al的原子結(jié)構(gòu)示意圖為                ；Al與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式為
                                                              。
（2）氮化硅抗腐蝕能力很強，但易被氫氟酸腐蝕，氮化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽，其反應(yīng)方程式為                                                    。
（3）工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅，其反應(yīng)如下：
3SiCl₄(g) + 2N₂(g) + 6H₂(g)Si₃N₄(s) + 12HCl(g)  △H＜0  
某溫度和壓強條件下，分別將0.3mol SiCl₄(g)、0.2mol N₂(g)、0.6mol H₂(g)充入2L密閉容器內(nèi)，進行上述反應(yīng)，5min達到平衡狀態(tài)，所得Si₃N₄(s)的質(zhì)量是5.60g。
①H₂的平均反應(yīng)速率是         mol／(L·min)。
②平衡時容器內(nèi)N₂的濃度是          mol·L^-1。
③SiCl₄(g)的轉(zhuǎn)化率是        。
④若按n(SiCl₄) : n(N₂) : n(H₂) =" 3" : 2 : 6的投料配比，向上述容器不斷擴大加料，SiCl₄(g)的轉(zhuǎn)化率應(yīng)         （填“增大”、“減”或“不變”）。
⑤工業(yè)上制備純硅反應(yīng)的熱化學(xué)方程式如下：
SiCl₄(g)＋2H₂(g) Si(s)＋4HCl(g)；△H＝＋QkJ·mol^－1(Q＞0)
某溫度、壓強下，將一定量的反應(yīng)物通入密閉容器進行以上的反應(yīng)(此條件下為可逆反應(yīng))，下列敘述正確的是(   )
A．反應(yīng)過程中，若增大壓強能提高SiCl₄的轉(zhuǎn)化率
B．若反應(yīng)開始時SiCl₄為1mol，則達到平衡時，吸收熱量為QkJ
C．當(dāng)反應(yīng)吸收熱量為0.025QkJ時，生成的HCl通入100mL1mol·L^－1的NaOH恰好反應(yīng)
D．反應(yīng)至4min時，若HCl的濃度為0.12mol·L^－1，則H₂的反應(yīng)速率為0.03mol/(L·min)

氧化鋁(Al2O3) 和氮化硅（Si3N4）是優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。

（1）Al與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式為???????????????????????????????????? 。

（2）下列實驗?zāi)鼙容^鎂和鋁的金屬性強弱的是???? ??? ?? （填序號）。

a．測定鎂和鋁的導(dǎo)電性強弱

b．測定等物質(zhì)的量濃度的Al2(SO4)3和MgSO4溶液的pH

c．向0.1 mol/LAlCl3和0.1 mol/L MgCl2中加過量NaOH溶液

（3）鋁熱法是常用的金屬冶煉方法之一。

已知：4Al (s)+3O2(g) =2Al2O3(s)??? ΔH1 = -3352 kJ/mol

Mn(s)+ O2(g) =MnO2 (s)???? ΔH2 = -521 kJ/mol

Al與MnO2反應(yīng)冶煉金屬Mn的熱化學(xué)方程式是?????????????????????? ????? 。

（4）氮化硅抗腐蝕能力很強，但易被氫氟酸腐蝕，氮化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽，其反應(yīng)方程式為??????????????????? ????????? ???????????? 。

（5）工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅，其反應(yīng)如下：3SiCl4(g) + 2N2(g) + 6H2(g) Si3N4(s) + 12HCl(g)?? △H＜0??

某溫度和壓強條件下，分別將0.3mol SiCl4(g)、0.2mol N2(g)、0.6mol H2(g)充入2L密閉容器內(nèi)，進行上述反應(yīng)，5min達到平衡狀態(tài)，所得Si3N4(s)的質(zhì)量是5.60g。

①H2的平均反應(yīng)速率是???????? mol／(L·min)。

②若按n(SiCl4) : n(N2) : n(H2) = 3 : 2 : 6的投料配比，向上述容器不斷擴大加料，SiCl4(g)的轉(zhuǎn)化率應(yīng)????? （填“增大”、“減小”或“不變”）。

（6）298K時，Ksp[Ce(OH)4]＝1×10—29。Ce(OH)4的溶度積表達式為Ksp＝?????????????? 。

為了使溶液中Ce4＋沉淀完全，即殘留在溶液中的c(Ce4+)小于1×10－5mol·L－1，需調(diào)節(jié)pH為????? 以上。

碳化硅(SiC) 、氧化鋁(Al₂O₃) 和氮化硅（Si₃N₄）是優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。宇宙火箭和導(dǎo)彈中，大量用鈦代替鋼鐵。
(1)Al的離子結(jié)構(gòu)示意圖為                  ；
Al與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式為                                         
(2)氮化硅抗腐蝕能力很強，但易被氫氟酸腐蝕，氮化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽，
其反應(yīng)方程式為                                                
（3）工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅，其反應(yīng)如下：
3SiCl₄(g) + x N₂(g) + 6 H₂(g)   Si₃N₄(s) + 12 HCl(g)   △H＜0  
在恒溫、恒容時，分別將0.3mol SiCl₄(g)、0.2mol N₂(g)、0.6mol H₂(g)充入2 L密閉容器內(nèi)，進行上述反應(yīng)，5 min達到平衡狀態(tài)，所得HCl(g)為0.3mol/L、 N₂為0.05 mol/L
① H₂的平均反應(yīng)速率是                       
② 反應(yīng)前與達到平衡時容器內(nèi)的壓強之比=           
③ 系數(shù) x =     
(4)已知：TiO₂(s)＋2Cl₂(g)===TiCl₄(l)＋O₂(g)  ΔH₁＝＋140 kJ·mol^－1
C(s)＋O₂(g)=== CO(g)    ΔH₂ ＝－110 kJ·mol^－1
寫出TiO₂和焦炭、氯氣反應(yīng)生成TiCl₄和CO氣體的熱化學(xué)方程式：
                                                                              。

碳化硅(SiC) 、氧化鋁(Al₂O₃) 和氮化硅（Si₃N₄）是優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。

（1）Al的原子結(jié)構(gòu)示意圖為                ；Al與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式為

                                                              。

（2）氮化硅抗腐蝕能力很強，但易被氫氟酸腐蝕，氮化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽，其反應(yīng)方程式為                                                    。

（3）工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅，其反應(yīng)如下：

3SiCl₄(g) + 2N₂(g) + 6H₂(g)Si₃N₄(s) + 12HCl(g)  △H＜0  

某溫度和壓強條件下，分別將0.3mol SiCl₄(g)、0.2mol N₂(g)、0.6mol H₂(g)充入2L密閉容器內(nèi)，進行上述反應(yīng)，5min達到平衡狀態(tài)，所得Si₃N₄(s)的質(zhì)量是5.60g。

①H₂的平均反應(yīng)速率是         mol／(L·min)。

②平衡時容器內(nèi)N₂的濃度是          mol·L^-1。

③SiCl₄(g)的轉(zhuǎn)化率是        。

④若按n(SiCl₄) : n(N₂) : n(H₂) =" 3" : 2 : 6的投料配比，向上述容器不斷擴大加料，SiCl₄(g)的轉(zhuǎn)化率應(yīng)         （填“增大”、“減”或“不變”）。

⑤工業(yè)上制備純硅反應(yīng)的熱化學(xué)方程式如下：

SiCl₄(g)＋2H₂(g) Si(s)＋4HCl(g)；△H＝＋QkJ·mol^－1(Q＞0)

某溫度、壓強下，將一定量的反應(yīng)物通入密閉容器進行以上的反應(yīng)(此條件下為可逆反應(yīng))，下列敘述正確的是(   )

A．反應(yīng)過程中，若增大壓強能提高SiCl₄的轉(zhuǎn)化率

B．若反應(yīng)開始時SiCl₄為1mol，則達到平衡時，吸收熱量為QkJ

C．當(dāng)反應(yīng)吸收熱量為0.025QkJ時，生成的HCl通入100mL1mol·L^－1的NaOH恰好反應(yīng)

D．反應(yīng)至4min時，若HCl的濃度為0.12mol·L^－1，則H₂的反應(yīng)速率為0.03mol/(L·min)

碳化硅(SiC) 、氧化鋁(Al₂O₃) 和氮化硅（Si₃N₄）是優(yōu)良的高溫結(jié)構(gòu)陶瓷，在工業(yè)生產(chǎn)和科技領(lǐng)域有重要用途。宇宙火箭和導(dǎo)彈中，大量用鈦代替鋼鐵。

(1)Al的離子結(jié)構(gòu)示意圖為                  ；

Al與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式為                                         

(2)氮化硅抗腐蝕能力很強，但易被氫氟酸腐蝕，氮化硅與氫氟酸反應(yīng)生成四氟化硅和一種銨鹽，

其反應(yīng)方程式為                                                

（3）工業(yè)上用化學(xué)氣相沉積法制備氮化硅，其反應(yīng)如下：

3SiCl₄(g) + x N₂(g) + 6 H₂(g)   Si₃N₄(s) + 12 HCl(g)   △H＜0  

在恒溫、恒容時，分別將0.3mol SiCl₄(g)、0.2mol N₂(g)、0.6mol H₂(g)充入2 L密閉容器內(nèi)，進行上述反應(yīng)，5 min達到平衡狀態(tài)，所得HCl(g)為0.3mol/L、 N₂為0.05 mol/L

① H₂的平均反應(yīng)速率是                       

② 反應(yīng)前與達到平衡時容器內(nèi)的壓強之比=           

③ 系數(shù) x =     

(4)已知：TiO₂(s)＋2Cl₂(g)===TiCl₄(l)＋O₂(g)  ΔH₁＝＋140 kJ·mol^－1

C(s)＋O₂(g)=== CO(g)    ΔH₂ ＝－110 kJ·mol^－1

寫出TiO₂和焦炭、氯氣反應(yīng)生成TiCl₄和CO氣體的熱化學(xué)方程式：

                                                                              。