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晶體是質點(分子、離子或原子等)在空間有規(guī)則地排列、具有整齊外形、以多面體出現(xiàn)的固體物質。在空間里無限地周期性的重復能形成晶體的、具有代表性的最小單元，稱為晶胞。一種Al－Fe合金的立體晶胞如下圖所示。w.w.^w.k.&s.5*u.c.#om

請據(jù)此回答下列問題：

（1）確定該合金的化學式____________。

（2）若晶體的密度為ρ g/cm³，N_A為阿伏加德羅常數(shù)，則此合金中最近的兩個Fe原子之間的距離(用含ρ的代數(shù)式表示，不必化簡)為___________________cm。w.w.^w.k.&s.5*u.c.#om

 晶體是質點(分子、離子或原子等)在空間有規(guī)則地排列、具有整齊外形、以多面體出現(xiàn)的固體物質。在空間里無限地周期性的重復能形成晶體的、具有代表性的最小單元，稱為晶胞。一種Al－Fe合金的立體晶胞如下圖所示。w.w.^w.k.&s.5*u.c.#om

請據(jù)此回答下列問題：

(1) 確定該合金的化學式____________。

(2) 若晶體的密度為ρ g/cm³，N_A為阿伏加德羅常數(shù)，則此合金中最近的兩個Fe原子之間的距離(用含ρ的代數(shù)式表示，不必化簡)為___________________cm。w.w.^w.k.&s.5*u.c.#om

Ⅰ．第ⅢA、VA元素組成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型第三代半導體材料，其晶體結構與單晶硅相似。試回答：

（1）Ga的基態(tài)原子的價電子的軌道排布式為                          。

（2）下列說法正確的是            （選填序號）。

A．砷和鎵都屬于p區(qū)元素    B．GaN、GaP、GaAs均為分子晶體

C．電負性：As＞Ga                  D．第一電離能Ga＞As

（3）GaAs是由(CH₃)₃Ga和AsH₃在一定條件下制得，同時得到另一物質，該物質分子是   （填“極性分子”或“非極性分子”）。(CH₃)₃Ga中鎵原子的雜化方式為         。

Ⅱ．氧化鈣晶體的晶胞如圖所示，試回答：

（1）晶體中Ca²⁺的配位數(shù)為             。

（2）已知Ca²⁺的半徑為a cm，O^2-的半徑為b cm，N_A代表阿伏加德羅常數(shù)，

該晶體的密度為         g/cm³。（用含a、b、N_A的代數(shù)式表示）