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脈沖信號的電勢變化圖.如P81頁第2題. 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(1)一個兩用表的電路如圖(1)所示,電流計 G 的量程 I g=0.001A,內 阻R g=100Ω,R1=9900Ω,R2=1.01Ω,
①若要當做電流表使用,雙刀雙擲電鍵應與
 
連接(選填“ab”或“cd”),其程為
 
;
②若要當做電壓表使用,雙刀雙擲電鍵應與
 
連接(選填“ab”或“cd”),其量程為
 

(2)斯密特觸發(fā)器可以將連續(xù)變化的模擬信號轉換為突變的數字信號,當加在它的輸入端A的電勢逐漸上升到 1.6V 時,輸出端 Y 會突然從高電平跳到低電平0.2V,而當輸入端電勢下降到0.8V時,輸出端Y會從低電平跳到高電平3.4V.①斯密特觸發(fā)器相當于一種“
 
”門電路.②現給出斯密特觸發(fā)器輸入端 A 的電勢隨時間的變化圖線如圖甲所示,試在圖乙中畫出輸出端Y的電勢隨時間變化圖線.③如圖丙是一個溫度報警器的簡電路圖,R T為熱敏電阻,R 1為可變電阻(最大阻值為1kΩ),蜂鳴器工作電壓 3~5V.熱敏電阻的阻值隨溫度變化如圖丁所示,若要求熱敏電阻在感測到 80℃時報警,則R 1應調至
 
kΩ,若要求熱敏電阻在感測到更高的溫度時才報警,R 1的阻值應
 
(選填“增大”、“減 小”或“不變”)
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一金屬或半導體薄片垂直置于磁場B中,在薄片的兩個側面a、b間通以電流I時,另外兩側c、f間產生電勢差,這一現象稱為霍爾效應.如圖某薄片中通以向右的電流I,薄片中的自由電荷電子受洛倫茲力的作用向一側偏轉和積累,于是c、f間建立起電場EH,同時產生霍爾電勢差UH.當電荷所受的電場力和洛倫茲力處處相等時,EH和UH達到穩(wěn)定值,UH的大小與I和B以及霍爾元件厚度d之間滿足關系式UH=RH
IBd
,其中比例系數RH稱為霍爾系數,僅與材料性質有關.
(1)設半導體薄片的寬度(c、f間距)為l,請寫出UH和EH的關系式;并判斷圖1中c、f哪端的電勢高;
(2)已知半導體薄片內單位體積中導電的電子數為n,電子的電荷量為e,請導出霍爾系數RH的表達式(通過橫截面積S的電流I=nevS,其中v是導電電子定向移動的平均速率);
(3)圖2是霍爾測速儀的示意圖,將非磁性圓盤固定在轉軸上,圓盤的半徑為R,周邊等距離地嵌裝著m個永磁體,相鄰永磁體的極性相反.霍爾元件置于被測圓盤的邊緣附近,如圖所示.當圓盤勻速轉動時,霍爾元件輸出的電壓脈動信號圖象如圖3所示.若在時間t內,霍爾元件輸出的脈沖數目為P,請導出圓盤邊緣線速度的表達式.

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利用霍爾效應制作的霍爾元件以及傳感器,廣泛應用于測量和自動控制等領域.
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如圖1,將一金屬或半導體薄片垂直置于磁場B中,在薄片的兩個側面a、b間通以電流I時,另外兩側c、f間產生電勢差,這一現象稱為霍爾效應.其原因是薄片中的移動電荷受洛倫茲力的作用向一側偏轉和積累,于是c、f間建立起電場EH,同時產生霍爾電勢差UH.當電荷所受的電場力與洛倫茲力處處相等時,EH和UH達到穩(wěn)定值,UH的大小與I和B以及霍爾元件厚度d之間滿足關系式UH=RH
IBd
,其中比例系數RH稱為霍爾系數,僅與材料性質有關.
(1)設半導體薄片的寬度(c、f間距)為l,請寫出UH和EH的關系式;若半導體材料是電子導電的,請判斷圖1中c、f哪端的電勢高;
(2)已知半導體薄片內單位體積中導電的電子數為n,電子的電荷量為e,請導出霍爾系數RH的表達式.(通過橫截面積S的電流I=nevS,其中v是導電電子定向移動的平均速率);
(3)圖2是霍爾測速儀的示意圖,將非磁性圓盤固定在轉軸上,圓盤的周邊等距離地嵌裝著m個永磁體,相鄰永磁體的極性相反.霍爾元件置于被測圓盤的邊緣附近.當圓盤勻速轉動時,霍爾元件輸出的電壓脈沖信號圖象如圖3所示.
a.若在時間t內,霍爾元件輸出的脈沖數目為P,請導出圓盤轉速N的表達式.
b.利用霍爾測速儀可以測量汽車行駛的里程.除此之外,請你展開“智慧的翅膀”,提出另一個實例或設想.

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(18分)
利用霍爾效應制作的霍爾元件以及傳感器,廣泛應用于測量和自動控制等領域。
如圖1,將一金屬或半導體薄片垂直置于磁場B中,在薄片的兩個側面a、b間通以電流I時,另外兩側c、f間產生電勢差,這一現象稱為霍爾效應。其原因是薄片中的移動電荷受洛倫茲力的作用向一側偏轉和積累,于是c、f間建立起電場EH,同時產生霍爾電勢差UH。當電荷所受的電場力與洛倫茲力處處相等時,EHUH達到穩(wěn)定值,UH的大小與IB以及霍爾元件厚度d之間滿足關系式UHRH,其中比例系數RH稱為霍爾系數,僅與材料性質有關。

(1)設半導體薄片的寬度(cf間距)為l,請寫出UHEH的關系式;若半導體材料是電子導電的,請判斷圖1中c、f哪端的電勢高;[
(2)已知半導體薄片內單位體積中導電的電子數為n,電子的電荷量為e,請導出霍爾系數RH的表達式。(通過橫截面積S的電流InevS,其中v是導電電子定向移動的平均速率);
(3)圖2是霍爾測速儀的示意圖,將非磁性圓盤固定在轉軸上,圓盤的周邊等距離地嵌裝著m個永磁體,相鄰永磁體的極性相反;魻栐糜诒粶y圓盤的邊緣附近。當圓盤勻速轉動時,霍爾元件輸出的電壓脈沖信號圖像如圖3所示。
a.若在時間t內,霍爾元件輸出的脈沖數目為P,請導出圓盤轉速N的表達式。
b.利用霍爾測速儀可以測量汽車行駛的里程。除此之外,請你展開“智慧的翅膀”,提出另一個實例或設想。

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(18分)

       利用霍爾效應制作的霍爾元件以及傳感器,廣泛應用于測量和自動控制等領域。

       如圖1,將一金屬或半導體薄片垂直置于磁場B中,在薄片的兩個側面ab間通以電流I時,另外兩側cf間產生電勢差,這一現象稱為霍爾效應。其原因是薄片中的移動電荷受洛倫茲力的作用向一側偏轉和積累,于是c、f間建立起電場EH,同時產生霍爾電勢差UH。當電荷所受的電場力與洛倫茲力處處相等時,EHUH達到穩(wěn)定值,UH的大小與IB以及霍爾元件厚度d之間滿足關系式UHRH,其中比例系數RH稱為霍爾系數,僅與材料性質有關。

       (1)設半導體薄片的寬度(c、f間距)為l,請寫出UHEH的關系式;若半導體材料是電子導電的,請判斷圖1中c、f哪端的電勢高;[

       (2)已知半導體薄片內單位體積中導電的電子數為n,電子的電荷量為e,請導出霍爾系數RH的表達式。(通過橫截面積S的電流InevS,其中v是導電電子定向移動的平均速率);

       (3)圖2是霍爾測速儀的示意圖,將非磁性圓盤固定在轉軸上,圓盤的周邊等距離地嵌裝著m個永磁體,相鄰永磁體的極性相反。霍爾元件置于被測圓盤的邊緣附近。當圓盤勻速轉動時,霍爾元件輸出的電壓脈沖信號圖像如圖3所示。

       a.若在時間t內,霍爾元件輸出的脈沖數目為P,請導出圓盤轉速N的表達式。

       b.利用霍爾測速儀可以測量汽車行駛的里程。除此之外,請你展開“智慧的翅膀”,提出另一個實例或設想。

 

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