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設(shè)粒子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)速度為v.根據(jù) 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造如圖所示.設(shè)離子源S產(chǎn)生離子,離子產(chǎn)生出來時(shí)速度很小,可以看作速度為零.產(chǎn)生的離子經(jīng)過電壓為U的電場(chǎng)加速后(圖中未畫出),進(jìn)入一平行板電容器C中,電場(chǎng)E和磁場(chǎng)B1相互垂直,具有某一速度的離子將沿圖中虛直線穿過兩板間的空間而不發(fā)生偏轉(zhuǎn),而具有其他速度的離子發(fā)生偏轉(zhuǎn).最后離子再進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B2的勻強(qiáng)磁場(chǎng),沿著半圓周運(yùn)動(dòng),到達(dá)記錄它的照相底片上的P點(diǎn),根據(jù)以上材料回答下列問題:
(1)證明能穿過平行板電容器C的離子具有的速度v=
E
B1
;
(2)若測(cè)到P點(diǎn)到入口S1的距離為x,證明離子的質(zhì)量m=
qB22x2
8U

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質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造如圖所示。設(shè)離子源S產(chǎn)生離子,離子產(chǎn)生出來時(shí)速度很小,可以看作速度為零。產(chǎn)生的離子經(jīng)過電壓為U的電場(chǎng)加速后(圖中未畫出),進(jìn)入一平行板電容器C中,電場(chǎng)E和磁場(chǎng)B1相互垂直,具有某一速度的離子將沿圖中虛直線穿過兩板間的空間而不發(fā)生偏轉(zhuǎn),而具有其他速度的離子發(fā)生偏轉(zhuǎn)。最后離子再進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B2的勻強(qiáng)磁場(chǎng),沿著半圓周運(yùn)動(dòng),到達(dá)記錄它的照相底片上的P點(diǎn),根據(jù)以上材料回答下列問題:

(1)證明能穿過平行板電容器C的離子具有的速度為v=E/B1
(2)若測(cè)到P點(diǎn)到入口S1的距離為x,證明離子的質(zhì)量m=qB22x2/8U

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質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造如圖所示。設(shè)離子源S產(chǎn)生離子,離子產(chǎn)生出來時(shí)速度很小,可以看作速度為零。產(chǎn)生的離子經(jīng)過電壓為U的電場(chǎng)加速后(圖中未畫出),進(jìn)入一平行板電容器C中,電場(chǎng)E和磁場(chǎng)B1相互垂直,具有某一速度的離子將沿圖中虛直線穿過兩板間的空間而不發(fā)生偏轉(zhuǎn),而具有其他速度的離子發(fā)生偏轉(zhuǎn)。最后離子再進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B2的勻強(qiáng)磁場(chǎng),沿著半圓周運(yùn)動(dòng),到達(dá)記錄它的照相底片上的P點(diǎn),根據(jù)以上材料回答下列問題:

(1)證明能穿過平行板電容器C的離子具有的速度為v=E/B1

(2)若測(cè)到P點(diǎn)到入口S1的距離為x ,證明離子的質(zhì)量m=qB22x2/8U

 

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質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造如圖所示。設(shè)離子源S產(chǎn)生離子,離子產(chǎn)生出來時(shí)速度很小,可以看作速度為零。產(chǎn)生的離子經(jīng)過電壓為U的電場(chǎng)加速后(圖中未畫出),進(jìn)入一平行板電容器C中,電場(chǎng)E和磁場(chǎng)B1相互垂直,具有某一速度的離子將沿圖中虛直線穿過兩板間的空間而不發(fā)生偏轉(zhuǎn),而具有其他速度的離子發(fā)生偏轉(zhuǎn)。最后離子再進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B2的勻強(qiáng)磁場(chǎng),沿著半圓周運(yùn)動(dòng),到達(dá)記錄它的照相底片上的P點(diǎn),根據(jù)以上材料回答下列問題:

(1)證明能穿過平行板電容器C的離子具有的速度為v=E/B1
(2)若測(cè)到P點(diǎn)到入口S1的距離為x,證明離子的質(zhì)量m=qB22x2/8U

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質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造如圖所示.設(shè)離子源S產(chǎn)生離子,離子產(chǎn)生出來時(shí)速度很小,可以看作速度為零.產(chǎn)生的離子經(jīng)過電壓為U的電場(chǎng)加速后(圖中未畫出),進(jìn)入一平行板電容器C中,電場(chǎng)E和磁場(chǎng)B1相互垂直,具有某一速度的離子將沿圖中虛直線穿過兩板間的空間而不發(fā)生偏轉(zhuǎn),而具有其他速度的離子發(fā)生偏轉(zhuǎn).最后離子再進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B2的勻強(qiáng)磁場(chǎng),沿著半圓周運(yùn)動(dòng),到達(dá)記錄它的照相底片上的P點(diǎn),根據(jù)以上材料回答下列問題:
(1)證明能穿過平行板電容器C的離子具有的速度v=
E
B1
;
(2)若測(cè)到P點(diǎn)到入口S1的距離為x,證明離子的質(zhì)量m=
qB22x2
8U
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