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W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素，其原子半徑隨原子序數(shù)變化如下圖所示．已知W的一種核素的質量數(shù)為14，中子數(shù)為7；X的離子與NH₄⁺具有相同的質子、電子數(shù)目； W與Y的氧化物均能導致酸雨的形成；Z的非金屬性在同周期主族元素中最強．
（1）Y在周期表中的位置是．
（2）用電子式解釋X與W能形成化合物X₃W的原因．
（3）X₃W遇水可釋放出使酚酞溶液變紅的氣體A，化學方程式是．
（4）用惰性電極電解化合物XZ溶液從陰極釋放出氣體B，反應的離子方程式是．
（5）已知W的單質與氣體B在一定條件下可形成氣體A，即：W₂（g）+3B （g）?2A（g）△H=-92.4kJ?mol^-1
在某溫度時，一個容積固定的密閉容器中，發(fā)生上述反應．在不同時間測定的容器內各物質的濃度如下表：

時間	濃度（mol/L）
	c（W2）	c（B）	c（A）
第0min	4.0	9.0	0
第10min	3.8	8.4	0.4
第20min	3.4	7.2	1.2
第30min	3.4	7.2	1.2
第40min	3.6	7.8	0.8

①W₂的平均反應速率v（0min～10min）/v（10min～20min）=；
②反應在第10min改變了反應條件，改變的條件可能是；
a．更新了催化劑   b．升高溫度   c．增大壓強   d．增加B的濃度
③若反應從第30min末又發(fā)生了一次條件改變，改變的反應條件可能是；
a．更新了催化劑   b．升高溫度   c．增大壓強   d．減小A的濃度．

（2011?安徽）W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素，其原子半徑隨原子序數(shù)變化如下圖所示．已知W的一種核素的質量數(shù)為18，中子數(shù)為10；X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1；Y的單質是一種常見的半導體材料；Z的電負性在同周期主族元素中最大．
（1）X位于元素周期表中第 周期第 族；W的基態(tài)原子核外有 個未成對電子．
（2）X的單質和Y的單質相比，熔點較高的是（寫化學式）；Z的氣態(tài)氫化物和溴化氫相比，較穩(wěn)定的是 （寫化學式）．
（3）Y與Z形成的化合物和足量水反應，生成一種弱酸和一種強酸，該反應的化學方程式是．
（4）在25°C、101kPa下，已知Y的氣態(tài)化物在氧氣中完全燃燒后恢復至原狀態(tài)，平均每轉移1mol 電子放熱190.0kJ，該反應的熱化學方程式是．

W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素，其原子半徑隨原子序數(shù)變化如下圖所示．已知W的一種核素的質量數(shù)為18，中子數(shù)為10；X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1；Y的單質是一種常見的半導體材料；Z的電負性在同周期主族元素中最大．（以下答案的W、X、Y、Z必須用相應的元素符號代替）
（1）X的原子結構示意圖為；W的基態(tài)原子核外有個未成對電子．
（2）XZ與X₂W都屬于晶體（寫晶體類型）；其熔點較高的是 （寫化學式），原因是．
（3）YZ₄和足量的水反應，生成一種弱酸和一種強酸，該反應的化學方程式是．

（2013?濟寧一模）W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素，其原子半徑隨原子序數(shù)變化如圖．已知W的一種核素的質量數(shù)為18，中子數(shù)為10；X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1；Y的單質是一種常見的半導體材料；Z的非金屬性在同周期元素中最強，下列說法正確的是（　�。�

W、X、Y、Z是四種常見的短周期元素，其原子半徑隨原子序數(shù)變化如圖所示．已知W的一種核素的質量數(shù)為18，中子數(shù)為10；X和Ne原子的核外電子數(shù)相差1；Y的單質是一種常見的半導體材料；Z是
是同周期中非金屬性最強的元素．
（1）X位于元素周期表的位置，X與硫元素形成的化合物的電子式為
（2）Z的氣態(tài)氫化物和溴化氫相比，較穩(wěn)定的是 （寫化學式）．理由為．
（3）Y與Z形成的化合物硬度小、熔點低、沸點低，其晶體中有存在的作用力有
其分子屬于（填極性分子、非極性分子），它和足量水反應，有白色膠狀沉淀產生，該反應的化學方程式是．
（4）在25°C、101kPa下，已知Y的氣態(tài)氫化物在氧氣中完全燃燒后恢復至原狀態(tài)，平均每轉移1mol 電子放熱190.0kJ，該反應的熱化學方程式是．