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GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導體材料.其性能比硅更優(yōu)越.Ga位于周期表的第ⅢA族.As位于周期表的第ⅤA族. (1)Ga和As的最外層電子數(shù)分別是 . (2)GaAs中Ga和As的化合價分別是 . (3)第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導體材料.該化合物半導體材料的化學式可表示為 . 解析:由主族元素原子的最外層電子數(shù)等于它的族序數(shù).可知Ga的最外層有3個電子.As最外層有5個電子.由于它們形成穩(wěn)定化合物GaAs,其化合價分別為+3和-3.第ⅣA族的元素Si和C.最外層皆有4個電子.形成類似化合物的化學式為SiC. 答案:+3.-3 (3)SiC 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導體材料,其性能比硅更優(yōu)越。Ga、As分別位于元素周期表的第ⅢA族、第ⅤA族。

(1)Ga原子和As原子最外層的電子數(shù)分別是多少?

(2)GaAs中Ga和As的化合價分別是多少?

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成與GaAs類似的化合物,該化合物也能用作半導體材料。試推斷該化合物的化學式。

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GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導體材料,其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。

(1)Ga和As的最外層電子數(shù)分別是           

(2)GaAs中Ga和As的化合價分別是            。

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導體材料,該化合物半導體材料的化學式可表示為            。

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GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導體材料,其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。

(1)Ga和As的最外層電子數(shù)分別是_____________________________________________。

(2)GaAs中Ga和As的化合價分別是___________________________________________。

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導體材料,該化合物半導體材料的化學式可表示為__________________。

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GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導體材料,其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。

(1)Ga和As的最外層電子數(shù)分別是_____________________________________________。

(2)GaAs中Ga和As的化合價分別是___________________________________________。

(3)第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導體材料,該化合物半導體材料的化學式可表示為__________________。

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GaAs是僅次于硅的一種新型化合物半導體材料,其性能比硅更優(yōu)越。Ga位于周期表的第ⅢA族,As位于周期表的第ⅤA族。

    (1)Ga和As的最外層電子數(shù)分別是            。

    (2)GaAs中Ga和As的化合價分別是            。

    (3)第ⅣA族的C和Si也可以形成類似的化合物半導體材料,該化合物半導體材料的化學式可表示為           

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