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1.只含一個(gè)鐵原子:FeS(-FeO2).FeO4/3.FeO3/2.FeO.FeO中含鐵量最高. 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

前四周期元素X、Y、Z、W核電荷數(shù)依次增加,核電荷數(shù)之和為56;Y 原子的M層p軌道有3個(gè)未成對(duì)電子;Z原子的M層p軌道有4個(gè)電子;W原子的L層電子數(shù)與最外層電子數(shù)之比為8:1,其d軌道中的電子數(shù)與最外層電子數(shù)之比為5:1.
(1)W原子結(jié)構(gòu)示意圖為
,W3+的電子排布式為
1s22s22p63s23p63d3
1s22s22p63s23p63d3

(2)Y可與X形成只含一個(gè)中心原子的共價(jià)化合物a,其電子式是
;中心原子的雜化方式為
sp3
sp3
;a分子的立體構(gòu)型是
三角錐形
三角錐形

(3)Z最高價(jià)氧化物的水化物結(jié)構(gòu)式為
,碳元素與Z按1:2的原子個(gè)數(shù)比形成的b,寫(xiě)出一種與b互為等電子體且含有Z原子的微粒的化學(xué)式
SCN-或COS
SCN-或COS

(4)Y與Z比較,電負(fù)性較大的
S
S
,1mol單質(zhì)Y4與3mol氧氣在一定條件下完全反應(yīng)生成1mol化合物c,一個(gè)c分子中所含有的σ鍵數(shù)目為
12
12

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20世紀(jì)50年代科學(xué)家提出價(jià)層電子對(duì)互斥理論(簡(jiǎn)稱(chēng)VSEPR模型),用于預(yù)測(cè)簡(jiǎn)單分子立體構(gòu)型.其要點(diǎn)可以概括為:
用ABn表示只含一個(gè)中心原子的分子,A為中心原子,B為與中心原子相結(jié)合的原子,m為中心原子最外層未參與成鍵的孤電子對(duì),(n+m)稱(chēng)為價(jià)層電子對(duì)數(shù).分子中的價(jià)層電子對(duì)總是互相排斥,均勻的分布在中心原子周?chē)目臻g…
(1)根據(jù)上述要點(diǎn)可以畫(huà)出ABn的VSEPR理想模型,請(qǐng)?zhí)顚?xiě)下表:
n+m 2 4
VSEPR理想模型 直線(xiàn)形
 
價(jià)層電子對(duì)之間的理想鍵角
 
109°28′
(2)SO32-的立體構(gòu)型為
 

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四種元素X、Y、Z、W位于元素周期表的前四周期,已知他們的核電荷數(shù)依次增強(qiáng),且核電荷數(shù)之和為51;Y原子的L層p軌道中有2個(gè)電子;Z與Y原子的價(jià)層電子數(shù)相同;W原子的L層電子數(shù)與最外層電子數(shù)之比為4:1,其d軌道中電子數(shù)與最外層電子數(shù)之比為5:1.
(1)Y與Z可分別與X形層只含一個(gè)中心原子的共價(jià)化合物a、b,它們的分子式分別是
CH4
CH4
SiH4
SiH4
;雜化軌道分別是
sp3
sp3
sp3
sp3
;a分子的立體結(jié)構(gòu)是
正四面體
正四面體

(2)在X和Y的氧化物中,屬于非極性分子的是(填分子式)
CO2
CO2
;其結(jié)構(gòu)式為
O=C=O
O=C=O
,屬于含有非極性鍵的極性分子的是(填分子式)
H2O2
H2O2

(3)Y與Z比較,電負(fù)性較大的是
Y
Y

(4)W的元素符號(hào)是
Zn
Zn
,其+2價(jià)離子的核外電子排布式是
1s22s22p63s23p63d10
1s22s22p63s23p63d10

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20世紀(jì)50年代科學(xué)家提出價(jià)層電子對(duì)互斥模型(簡(jiǎn)稱(chēng)VSEPR模型),用于預(yù)測(cè)簡(jiǎn)單分子立體結(jié)構(gòu).其要點(diǎn)可以概括為:
Ⅰ、用AXnEm表示只含一個(gè)中心原子的分子組成,A為中心原子,X為與中心原子相結(jié)合的原子,E為中心原子最外層未參與成鍵的電子對(duì)(稱(chēng)為孤對(duì)電子),(n+m)稱(chēng)為價(jià)層電子對(duì)數(shù).分子中的價(jià)層電子對(duì)總是互相排斥,均勻的分布在中心原子周?chē)目臻g;
Ⅱ、分子的立體構(gòu)型是指分子中的原子在空間的排布,不包括中心原子未成鍵的孤對(duì)電子;
Ⅲ、分子中價(jià)層電子對(duì)之間的斥力主要順序?yàn)椋篿、孤對(duì)電子之間的斥力>孤對(duì)電子對(duì)與共用電子對(duì)之間的斥力>共用電子對(duì)之間的斥力;  ii、雙鍵與雙鍵之間的斥力>雙鍵與單鍵之間的斥力>單鍵與單鍵之間的斥力;  iii、X原子得電子能力越弱,A-X形成的共用電子對(duì)之間的斥力越強(qiáng);  iv、其他.
請(qǐng)仔細(xì)閱讀上述材料,回答下列問(wèn)題:
(1)根據(jù)要點(diǎn)I可以畫(huà)出AXnEm的VSEPR理想模型,請(qǐng)?zhí)顚?xiě)下表:
n+m 2
4
4
VSEPR理想模型
直線(xiàn)形
直線(xiàn)形
正四面體
價(jià)層電子對(duì)之間的理想鍵角
180°
180°
109°28′
(2)請(qǐng)用VSEPR模型解釋CO2為直線(xiàn)型分子的原因
CO2屬AX2E0,n+m=2,故CO2為直線(xiàn)形
CO2屬AX2E0,n+m=2,故CO2為直線(xiàn)形

(3)H2O分子的立體構(gòu)型為:
V形
V形
,請(qǐng)你預(yù)測(cè)水分子中∠H-O-H的大小范圍為
<109°28′
<109°28′
,原因是
水分子屬AX2E2,n+m=4,VSEPR理想模型為正四面體,價(jià)層電子對(duì)之間的夾角均為109°28′.根據(jù)Ⅲ-i,應(yīng)有∠H-O-H<109°28′
水分子屬AX2E2,n+m=4,VSEPR理想模型為正四面體,價(jià)層電子對(duì)之間的夾角均為109°28′.根據(jù)Ⅲ-i,應(yīng)有∠H-O-H<109°28′

(4)SO2Cl2和SO2F2都屬AX4E0型分子,S=O之間以雙鍵結(jié)合,S-Cl、S-F之間以單鍵結(jié)合.請(qǐng)你預(yù)測(cè) SO2Cl2和SO2F2分子的立體構(gòu)型:
四面體
四面體

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(2010?天津一模)化合物A含硫(每個(gè)分子只含一個(gè)硫原子)、氧以及一種或幾種鹵素;少量A與水反應(yīng)可完全水解而不被氧化或還原,所有反應(yīng)產(chǎn)物均可溶于水;將A配成水溶液稀釋后分成幾份,分別加入一系列0.1mol/L的試劑,現(xiàn)象如下:
①加入硝酸和硝酸銀,產(chǎn)生白色沉淀;
②加入氯化鋇溶液,無(wú)沉淀生成;
③溶液經(jīng)酸化后加入高錳酸鉀溶液,紫色褪去,再加入硝酸鋇溶液,產(chǎn)生白色沉淀;
(1)由此判斷組成該化合物的元素中,可能存在的鹵素有
F、Cl
F、Cl
,A與水反應(yīng)后生成的溶液中含有的離子可能有
H+、SO32-、HSO3-、Cl-、F-
H+、SO32-、HSO3-、Cl-、F-

(2)要確定該化合物的分子式,稱(chēng)取11.90g A溶于水稀釋至250.0mL,取25.00mL溶液加入足量的高錳酸鉀溶液和硝酸鋇溶液,使沉淀完全,沉淀經(jīng)洗滌、干燥后稱(chēng)重,為2.33g,試確定A的化學(xué)式,寫(xiě)出計(jì)算過(guò)程.

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