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12].2004年9月3日英國(guó)雜志報(bào)道.碳化硅是已知最硬的物質(zhì)之一.其單晶體可制作半導(dǎo)體材料.但正是由于它硬度高.熔化及鍛制的過程相當(dāng)費(fèi)勁.而且制成的晶片容易產(chǎn)生瑕疵.如雜質(zhì).氣泡等.這些物質(zhì)會(huì)嚴(yán)重影響或削弱電流.因此.碳化硅一直無法被用來制造芯片.日本研究人員稱.他們找到了鍛制碳化硅晶體的新方法.使碳化硅晶片成本低.用途廣.性能更可靠.下列有關(guān)碳化硅(SiC)的有關(guān)說法錯(cuò)誤的是 A 晶體硅和晶體碳化硅都是原子晶體 B 碳化硅是一種新型的無機(jī)非金屬材料 C 碳化硅的熔點(diǎn)比晶體硅高 D 制取碳化硅的反應(yīng):SiO2+3CSiC+2CO↑中.SiO2是氧化劑.C是還原劑 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

2004年9月3日英國(guó)《自然》雜志報(bào)道,碳化硅是已知最硬的物質(zhì)之一,其單晶體可制作半導(dǎo)體材料。但正是由于它硬度高,熔化及鍛制的過程相當(dāng)費(fèi)勁,而且制成的晶片容易產(chǎn)生瑕疵,如雜質(zhì)、氣泡等,這些物質(zhì)會(huì)嚴(yán)重影響或削弱電流。因此,碳化硅一直無法被用來制造芯片。日本研究人員稱,他們找到了鍛制碳化硅晶體的新方法,使碳化硅晶片成本低、用途廣、性能更可靠。下列有關(guān)碳化硅(SiC)的有關(guān)說法錯(cuò)誤的是

A. 晶體硅和晶體碳化硅都是原子晶體

B. 碳化硅是一種新型的無機(jī)非金屬材料

C. 碳化硅的熔點(diǎn)比晶體硅高

D. 制取碳化硅的反應(yīng):SiO2+3CSiC+2CO↑中,SiO2是氧化劑,C是還原劑

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(12分)2008年9月25日我國(guó)“神七”成功發(fā)射,標(biāo)志著我國(guó)載人航天技術(shù)邁出重要的一步!吧衿摺币訬2H4和N2O4燃料,N2H4學(xué)名為肼又稱聯(lián)氨,無色油狀液體,具有與氨相似的氣味,毒性很大。

⑴水電離成H3O+和OH-叫做水的自偶電離。同水一樣,N2H4也有微弱的自偶電離,其自偶電離的方程式為:                                    。

⑵氨顯堿性的原因在于NH3分子中的N原子具有孤對(duì)電子,它能通過配位鍵結(jié)合水中的H+,使水電離出OH-,其過程可以表示為NH3+H2ONH4++OH-。試問N2H4與足量鹽酸反應(yīng)的化學(xué)方程式:                                    。

⑶已知硼酸[B(OH)3]為一元弱酸,其顯示酸性的原理與NH3、N2H4顯示堿性的原理類似,試用離子方程式表示其顯示酸性的過程:                                         

⑷N2H4和N2O4反應(yīng)溫度達(dá)2700攝氏度,產(chǎn)生無污染的氣體。1g 液態(tài)N2H4與足量的液態(tài)N2O4充分反應(yīng)生成兩種氣態(tài)物質(zhì),可放出a KJ熱量,試寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式:

                                           。

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⑴水電離成H3O+和OH-叫做水的自偶電離。同水一樣,N2H4也有微弱的自偶電離,其自偶電離的方程式為:                                   。
⑵氨顯堿性的原因在于NH3分子中的N原子具有孤對(duì)電子,它能通過配位鍵結(jié)合水中的H+,使水電離出OH-,其過程可以表示為NH3+H2ONH4++OH-。試問N2H4與足量鹽酸反應(yīng)的化學(xué)方程式:                                   
⑶已知硼酸[B(OH)3]為一元弱酸,其顯示酸性的原理與NH3、N2H4顯示堿性的原理類似,試用離子方程式表示其顯示酸性的過程:                                         。
⑷N2H4和N2O4反應(yīng)溫度達(dá)2700攝氏度,產(chǎn)生無污染的氣體。1g液態(tài)N2H4與足量的液態(tài)N2O4充分反應(yīng)生成兩種氣態(tài)物質(zhì),可放出a KJ熱量,試寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式:
                                          。

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(12分)2008年9月25日我國(guó)“神七”成功發(fā)射,標(biāo)志著我國(guó)載人航天技術(shù)邁出重要的一步!吧衿摺币訬2H4和N2O4燃料,N2H4學(xué)名為肼又稱聯(lián)氨,無色油狀液體,具有與氨相似的氣味,毒性很大。

⑴水電離成H3O+和OH-叫做水的自偶電離。同水一樣,N2H4也有微弱的自偶電離,其自偶電離的方程式為:                                    。

⑵氨顯堿性的原因在于NH3分子中的N原子具有孤對(duì)電子,它能通過配位鍵結(jié)合水中的H+,使水電離出OH-,其過程可以表示為NH3+H2O NH4++OH-。試問N2H4與足量鹽酸反應(yīng)的化學(xué)方程式:                                    。

⑶已知硼酸[B(OH)3]為一元弱酸,其顯示酸性的原理與NH3、N2H4顯示堿性的原理類似,試用離子方程式表示其顯示酸性的過程:                                          。

⑷N2H4和N2O4反應(yīng)溫度達(dá)2700攝氏度,產(chǎn)生無污染的氣體。1g 液態(tài)N2H4與足量的液態(tài)N2O4充分反應(yīng)生成兩種氣態(tài)物質(zhì),可放出a KJ熱量,試寫出該反應(yīng)的熱化學(xué)方程式:

                                          

 

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2004年9月英國(guó)《自然》雜志報(bào)道,日本科學(xué)家攻克了碳化硅鍛造過程中的難關(guān),可以用碳化硅來代替硅制成芯片。這種芯片不僅具有硬度高、抗高溫、抗輻射等特點(diǎn),而且可靠性更強(qiáng),它的運(yùn)用可能在電腦、汽車甚至航天領(lǐng)域引發(fā)一次不小的“革命”。下列有關(guān)碳化硅(SiC)的說法不正確的是(    )

A.晶體硅和晶體碳化硅都是原子晶體

B.碳化硅是一種新型的無機(jī)非金屬材料

C.制取碳化硅的反應(yīng):SiO2+3CSiC+2CO↑中,SiO2是氧化劑,C是還原劑

D.碳化硅的熔點(diǎn)比晶體硅高

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