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如圖所示.a的金屬活動性比氫強,b為碳棒.關(guān)于此裝置的下列敘述正確的是 A.碳棒上有氣體放出.溶液pH增大 B.導線上有電流通過.電流方向是a極→電流表→b極 C.a(chǎn)為正極.b為負極 D.a(chǎn)極上發(fā)生氧化反應 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

A~K均為中學化學中常見物質(zhì),其轉(zhuǎn)化關(guān)系如圖所示.A為金屬氧化物,D為紅棕色粉末,K為白色膠狀沉淀(圖中部分反應條件及反應物或產(chǎn)物未注明).試填寫下列空白:
精英家教網(wǎng)
(1)寫出下列物質(zhì)的化學式A
 
,D
 
;
(2)C與D的混合物通常稱
 

(3)寫出下列化學方程式或離子方程式:
A→J (離子方程式)
 
;
G+B→H (化學方程式)
 

(4)I的溶液通常顯酸性,請用離子方程式解釋原因
 

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I、相對分子質(zhì)量不超過100的有機物A,既能與金屬鈉反應產(chǎn)生無色氣體,又能與碳酸鈉反應產(chǎn)生無色氣體,還可以使溴的四氯化碳溶液褪色。A完全燃燒只生成CO2和H2O。經(jīng)分析其含氧元素的質(zhì)量分數(shù)為
37. 21%。經(jīng)核磁共振儀檢測發(fā)現(xiàn)A的氫譜如圖所示:
A的結(jié)構(gòu)簡式為____________。
Ⅱ、塑料屬于合成高分子材料,常用塑料F、G均可由某烴經(jīng)下列反應得到:
(1)寫出化合物A的結(jié)構(gòu)簡式:________________;化合物C的結(jié)構(gòu)簡式:____________。
(2)寫出化合物E分子中存在官能團的名稱:___________。
(3)寫出反應①的化學方程式:________________________ 反應類型:_______
(4)寫出反應②的化學方程式:________________________
(5)寫出反應③的化學方程式:________________________

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精英家教網(wǎng)已知A、B、C、D、E、F都是周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)A<B<C<D<E<F.其中B、D、F原子最外電子層的P能級(軌道)上的電子處于半滿狀態(tài).通常情況下,A的一種氧化物分子為非極性分子,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示.E的電負性在該周期中最大.鎵(Ga)與元素B形成的一種化合物是繼以C單質(zhì)為代表的第一代半導體材料和GaF為代表的第二代半導體材料之后,在近10年迅速發(fā)展起來的第三代新型半導體材料.
試回答下列問題:(答題時,A、B、C、D、E、F用所對應的元素符號表示)
(1)基態(tài)Ga原子的核外電子排布式為
 

(2)A、B、C的第一電離能由大到小的順序為
 

(3)B元素的單質(zhì)分子中有
 
個π鍵.
(4)上述A的氧化物分子中心原子采取
 
雜化,其晶胞中微粒間的作用力為
 

(5)FH3沸點與比BH3
 
(填“高”或“低”),原因是
 

(6)固體CrE3?6H2O溶于水可能有幾種不同組成的配離子,實驗將含0.2665gCrE3?6H2O的溶液通過H-離子交換樹脂(只交換配陽離子),交換出的酸用0.125mol/L的氫氧化鈉溶液8.00mL中和.已知配離子配位數(shù)為6,則該配離子是
 

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系統(tǒng)命名法命名下列物質(zhì):有A、B、C三種烴,它們的結(jié)構(gòu)簡式如圖所示:精英家教網(wǎng)
A的名稱是
 
;B的名稱是
 
;C的名稱是
 

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短周期主族元素X,Y,A,B,C在元素周期表的位置如圖所示,A是電負性最大的元素,則下列說法不正確的是( 。
X A
Y C B
A、原子半徑由小到大的順序為:A<B<C<Y
B、A、B的氫化物的沸點由低到高的順序為:HA<HB
C、X、Y最高價氧化物對應的水化物的酸性由弱到強的順序為:H2YO3<H2XO3
D、B、C簡單離子的還原性由弱到強的順序為:B-<C 2-

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