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鐵銅單質(zhì)及其化合物的應(yīng)用范圍很廣�，F(xiàn)有含氯化亞鐵雜質(zhì)的氯化銅晶體(CuCl₂·2H₂O),為制取純凈的CuCl₂·2H₂O，首先將其制成水溶液，然后按照如圖步驟進(jìn)行提純：

已知Cu²⁺、Fe³⁺和Fe²⁺的氫氧化物開始沉淀和沉淀完全時的pH見下表：

鐵銅單質(zhì)及其化合物的應(yīng)用范圍很廣�，F(xiàn)有含氯化亞鐵雜質(zhì)的氯化銅晶體(CuCl₂·2H₂O),為制取純凈的CuCl₂·2H₂O，首先將其制成水溶液，然后按照如圖步驟進(jìn)行提純：

已知Cu²⁺、Fe³⁺和Fe²⁺的氫氧化物開始沉淀和沉淀完全時的pH見下表：

請回答下列問題：

（1）加入氧化劑的目的是                          

（2）下列最適合作氧化劑X的是                       

A．K₂Cr₂O₇   B．NaClO   C．H₂O₂   D．KMnO₄

（3）加入的物質(zhì)Y是                      

（4）如果不用物質(zhì)Y而直接用可溶性堿溶液能不能達(dá)到目的？       (填“能”或者“不能”)。若不能，試解釋原因                                       (若填“能”，此空不用回答)

（5）最后能不能直接蒸發(fā)得到CuCl₂·2H₂O？           (填“能”或者“不能”)。若不能，應(yīng)該如何操作才能得到CuCl₂·2H₂O                             (若填“能”，此空不用回答)

（6）若向溶液Ⅱ中加入碳酸鈣，產(chǎn)生的現(xiàn)象是                             

（7）若向溶液Ⅱ中加入鎂粉，產(chǎn)生的氣體是      ，試解釋原因                      

（8）FeCl₃溶液具有凈水作用的原因是                                         

高純度單晶硅是典型的無機(jī)非金屬材料，是制備半導(dǎo)體的重要材料，它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計算機(jī)的一場“革命”。高純硅通常用以下方法制備：用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含F(xiàn)e、Al、B、P等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅（反應(yīng)溫度為450～500℃），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置圖。

相關(guān)信息：a．四氯化硅遇水極易水解；b．硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接化合生成相應(yīng)的氯化物；c．有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表：

請回答下列問題：

（1）儀器e的名稱為               ，裝置A中f管的作用是                           ，其中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為                                              。

（2）裝置B中的試劑是                      。

（3）某學(xué)習(xí)小組設(shè)計了以下兩種實驗方案：方案甲：g接裝置Ⅰ；方案乙：g接裝置Ⅱ。但是甲乙兩個方案中虛線內(nèi)裝置均有不足之處，請你評價后填寫下表。

（4）在上述（3）的評價基礎(chǔ)上，請設(shè)計一個合理方案：                                   。

（5）通過上述合理的裝置制取并收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是            （填寫元素符號）。

高純度單晶硅是典型的無機(jī)非金屬材料，是制備半導(dǎo)體的重要材料，它的發(fā)現(xiàn)和使用曾引起計算機(jī)的一場“革命”。高純硅通常用以下方法制備：用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅（含F(xiàn)e、Al、B、P等雜質(zhì)），粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅（反應(yīng)溫度為450～500℃），四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得高純硅。以下是實驗室制備四氯化硅的裝置圖。

相關(guān)信息：a．四氯化硅遇水極易水解；b．硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接化合生成相應(yīng)的氯化物；c．有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表：

請回答下列問題：

（1）儀器e的名稱為____________，裝置A中f管的作用是_______________________________________，其中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為_____        ____________________________________     _______。

（2）裝置B中的試劑是____________。

（3）某學(xué)習(xí)小組設(shè)計了以下兩種實驗方案：方案甲：g接裝置Ⅰ；方案乙：g接裝置Ⅱ。但是甲乙兩個方案中虛線內(nèi)裝置均有不足之處，請你評價后填寫下表。

（4）在上述（3）的評價基礎(chǔ)上，請設(shè)計一個合理方案：___________     ________                  。

（5）通過上述合理的裝置制取并收集到的粗產(chǎn)物可通過精餾（類似多次蒸餾）得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是    （填寫元素符號）。