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有一種液體.可以溶解金.鉑等非常不活潑的金屬.它是 A.濃HNO3 B.稀HNO3­ C.濃H2SO4 D.王水 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

臭氧可用于凈化空氣，飲用水消毒，處理工業(yè)廢物和作為漂白劑．
（1）臭氧幾乎可與除鉑、金、銥、氟以外的所有單質反應．如：6Ag（s）+O3（g）=3Ag2O（s）；△H=-235.8kJ?mol-1．已知2Ag2O（s）=4Ag（s）+O2（g）；△H=+62.2kJ?mol-1，則常溫下反應2O3（g）=3O2（g）為
 
反應（填“自發(fā)”或“非自發(fā)”）．
（2）臭氧在水中易分解，臭氧的濃度減少一半所需的時間如下表所示．
pH
t/min
T/℃		 3.0 4.0 5.0 6.0
20 301 231 169 58
30 158 108 48 15
50 31 26 15 7
pH增大能加速O3分解，表明對O3分解起催化作用的是
 
（填微粒符號）．
（3）科學家P．Tatapudi等人首先使用在酸性條件下電解水的方法制得臭氧．臭氧在陽極周圍的水中產生，電極反應3H2O-6e-=O3↑+6H+，陰極附近的氧氣則生成過氧化氫，其電極反應式為
 
．
（4）為測定大氣中臭氧（O3）含量，將0℃、1.01×105Pa的空氣V L慢慢通過足量KI溶液，使臭氧完全反應；然后將所得溶液用a mL c mol?L-1的Na2S2O3溶液進行滴定恰好到達終點．
①該滴定過程中可選擇的指示劑為
 
．
②O3與KI溶液反應生成兩種單質，則反應的化學方程式
 
．
③空氣中臭氧的體積分數為
 
（用含“a、c、V”的字母表示）．
（已知：2Na2S2O3+I2=Na2S4O6+2NaI）

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清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學清洗的主要目的是除去硅片表面雜質（如某些有機物，無機鹽，金屬、Si、SiO2粉塵等）。常用的化學清洗劑有高純水、有機溶劑、雙氧水、濃酸、強堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH，Na2SiO3等混合溶液在75～90℃反應25～35 min，效果良好。

回答下列問題

（1）能否用玻璃試劑瓶來盛HF溶液，為什么?用化學方程式加以解釋                           ；

（2）寫出晶片制絨反應的離子方程式                                    ，對單晶制絨1990年化學家Seidel提出了一種的電化學模型，他指出Si與NaOH溶液的反應，首先是Si與OH一反應，生成SiO44一，然后SiO44一迅速水解生成H4SiO4�；诖嗽矸治龇磻醒趸瘎�                     。

（3）本校化學興趣小組同學，為驗證Seidel的理論是否正確，完成以下實驗：

 

實驗事實

事實一

水蒸汽在600℃時可使粉末狀硅緩慢氧化并放出氫氣。

事實二

盛放于鉑或石英器皿中的純水長時間對粉末狀還原硅無腐蝕作用。

事實三

普通玻璃器皿中的水僅因含有從玻璃中溶出的微量的堿便可使粉末狀硅在其中緩慢溶解。

事實四

在野外環(huán)境里，用較高百分比的硅鐵粉與干燥的Ca(OH)2和NaOH，點著后燜燒，可劇烈放出H2。

事實五

1g（0.036mo1）Si和20mL含有l(wèi)gNaOH（0.025mol）的溶液，小心加熱（稍微預熱），收集到約1700mL H2，很接近理論值（1600mL）。

 

結論：從實驗上說明堿性水溶液條件下，H2O可作                 劑；NaOH作               劑，降低反應             。高溫無水環(huán)境下，NaOH作               劑。

（4）在太陽能電池表面沉積深藍色減反膜——氮化硅晶膜。常用硅烷（SiH4）與氨氣（NH3）在等離子體中反應。硅烷是一種無色、有毒氣體，常溫下與空氣和水劇烈反應。下列關于硅烷、氮化硅的敘述不正確的是                。

A．在使用硅烷時要注意隔離空氣和水，SiH4能與水發(fā)生氧化還原反應生成H2；

B．硅烷與氨氣反應的化學方程式為：3SiH4+4NH3＝Si3N4+12H2↑，反應中NH3作氧化劑；

C．它們具有卓越的抗氧化、絕緣性能和隔絕性能，化學穩(wěn)定性很好，不與任何酸、堿反應；

D．氮化硅晶體中只存在共價鍵，Si3N4是優(yōu)良的新型無機非金屬材料。

 

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清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學清洗的主要目的是除去硅片表面雜質（如某些有機物，無機鹽，金屬、Si、SiO2粉塵等）。常用的化學清洗劑有高純水、有機溶劑、雙氧水、濃酸、強堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH，Na2SiO3等混合溶液在75～90℃反應25～35 min，效果良好。
回答下列問題
（1）能否用玻璃試劑瓶來盛HF溶液，為什么?用化學方程式加以解釋                          ；
（2）寫出晶片制絨反應的離子方程式                                   ，對單晶制絨1990年化學家Seidel提出了一種的電化學模型，他指出Si與NaOH溶液的反應，首先是Si與OH一反應，生成SiO44一，然后SiO44一迅速水解生成H4SiO4�；诖嗽矸治龇磻醒趸瘎�                    。
（3）本�；瘜W興趣小組同學，為驗證Seidel的理論是否正確，完成以下實驗：

 
實驗事實
事實一
水蒸汽在600℃時可使粉末狀硅緩慢氧化并放出氫氣。
事實二
盛放于鉑或石英器皿中的純水長時間對粉末狀還原硅無腐蝕作用。
事實三
普通玻璃器皿中的水僅因含有從玻璃中溶出的微量的堿便可使粉末狀硅在其中緩慢溶解。
事實四
在野外環(huán)境里，用較高百分比的硅鐵粉與干燥的Ca(OH)2和NaOH，點著后燜燒，可劇烈放出H2。
事實五
1g（0.036mo1）Si和20mL含有l(wèi)gNaOH（0.025mol）的溶液，小心加熱（稍微預熱），收集到約1700mL H2，很接近理論值（1600mL）。
 
結論：從實驗上說明堿性水溶液條件下，H2O可作                劑；NaOH作              劑，降低反應            。高溫無水環(huán)境下，NaOH作              劑。
（4）在太陽能電池表面沉積深藍色減反膜——氮化硅晶膜。常用硅烷（SiH4）與氨氣（NH3）在等離子體中反應。硅烷是一種無色、有毒氣體，常溫下與空氣和水劇烈反應。下列關于硅烷、氮化硅的敘述不正確的是               。
A．在使用硅烷時要注意隔離空氣和水，SiH4能與水發(fā)生氧化還原反應生成H2；
B．硅烷與氨氣反應的化學方程式為：3SiH4+4NH3＝Si3N4+12H2↑，反應中NH3作氧化劑；
C．它們具有卓越的抗氧化、絕緣性能和隔絕性能，化學穩(wěn)定性很好，不與任何酸、堿反應；
D．氮化硅晶體中只存在共價鍵，Si3N4是優(yōu)良的新型無機非金屬材料。

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清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學清洗的主要目的是除去硅片表面雜質（如某些有機物，無機鹽，金屬、Si、SiO2粉塵等）。常用的化學清洗劑有高純水、有機溶劑、雙氧水、濃酸、強堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH，Na2SiO3等混合溶液在75～90℃反應25～35 min，效果良好。
回答下列問題
（1）能否用玻璃試劑瓶來盛HF溶液，為什么?用化學方程式加以解釋                          ；
（2）寫出晶片制絨反應的離子方程式                                   ，對單晶制絨1990年化學家Seidel提出了一種的電化學模型，他指出Si與NaOH溶液的反應，首先是Si與OH一反應，生成SiO44一，然后SiO44一迅速水解生成H4SiO4�；诖嗽矸治龇磻醒趸瘎�                    。
（3）本�；瘜W興趣小組同學，為驗證Seidel的理論是否正確，完成以下實驗：
 
實驗事實
事實一
水蒸汽在600℃時可使粉末狀硅緩慢氧化并放出氫氣。
事實二
盛放于鉑或石英器皿中的純水長時間對粉末狀還原硅無腐蝕作用。
事實三
普通玻璃器皿中的水僅因含有從玻璃中溶出的微量的堿便可使粉末狀硅在其中緩慢溶解。
事實四
在野外環(huán)境里，用較高百分比的硅鐵粉與干燥的Ca(OH)2和NaOH，點著后燜燒，可劇烈放出H2。
事實五
1g（0.036mo1）Si和20mL含有l(wèi)gNaOH（0.025mol）的溶液，小心加熱（稍微預熱），收集到約1700mL H2，很接近理論值（1600mL）。
 
結論：從實驗上說明堿性水溶液條件下，H2O可作                劑；NaOH作              劑，降低反應            。高溫無水環(huán)境下，NaOH作              劑。
（4）在太陽能電池表面沉積深藍色減反膜——氮化硅晶膜。常用硅烷（SiH4）與氨氣（NH3）在等離子體中反應。硅烷是一種無色、有毒氣體，常溫下與空氣和水劇烈反應。下列關于硅烷、氮化硅的敘述不正確的是               。
A．在使用硅烷時要注意隔離空氣和水，SiH4能與水發(fā)生氧化還原反應生成H2；
B．硅烷與氨氣反應的化學方程式為：3SiH4+4NH3＝Si3N4+12H2↑，反應中NH3作氧化劑；
C．它們具有卓越的抗氧化、絕緣性能和隔絕性能，化學穩(wěn)定性很好，不與任何酸、堿反應；
D．氮化硅晶體中只存在共價鍵，Si3N4是優(yōu)良的新型無機非金屬材料。

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