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（1）向pH=6的蒸餾水中加入NaHSO₄晶體，保持溫度不變，測得溶液的pH=1，則水電離出來的c（H⁺）=．
（2）25℃下，向濃度均為0.1mol?L^-1的MgCl₂和CuCl₂混合溶液中逐滴加入氨水，先生成沉淀（填化學(xué)式），滴加氨水至過量，部分沉淀溶解的離子方程式為．已知25℃時(shí)K_sp[Mg（OH）₂]=1.8×10^-11，K_sP[Cu（OH）₂]=4.0×10^-18
（3）在25℃下，將a mol?L^-1的HA與0.01mol?L^-1的氫氧化鈉溶液等體積混合，反應(yīng)平衡時(shí)溶液中c（Na⁺）=c（A^-），則溶液顯性（填“酸”、“堿”或“中”）；用含a的代數(shù)式表示HA的電離常數(shù)K_a=．
（4）在1mol?L^-1CuSO₄溶液中含有少量的Fe³⁺ 雜質(zhì)，pH值控制在才能除去Fe³⁺ 而Cu²⁺仍為1mol?L^-1 （當(dāng)溶液中c（Fe³⁺）≤10^-5mol?L^-1時(shí)一般認(rèn)為該離子已除盡）．（已知某溫度下Fe（OH）₃的 Ksp=8.0×10^-38，Cu（OH）₂ 的Ksp=4.0×10^-18，lg2=0.3）．

（2013?朝陽區(qū)二模）硅是信息產(chǎn)業(yè)、太陽能電池光電轉(zhuǎn)化的基礎(chǔ)材料．鋅還原四氯化硅是一種有著良好應(yīng)用前景的制備硅的方法，該制備過程示意如下：

（1）焦炭在過程Ⅰ中作劑．
（2）過程Ⅱ中的Cl₂用電解飽和食鹽水制備，制備Cl₂的化學(xué)方程式是．
（3）整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水．
①SiCl₄遇水劇烈水解生成SiO₂和一種酸，反應(yīng)的化學(xué)方程式是．
②干燥Cl₂時(shí)，從有利于充分干燥和操作安全的角度考慮，需將約90℃的潮濕氯氣先冷卻至12℃，然后再通入到濃H₂SO₄中．冷卻的作用是．
（4）Zn還原SiCl₄的反應(yīng)如下：
反應(yīng)1：400℃～756℃，SiCl₄（g）+2Zn（l）?Si（s）+2ZnCl₂（l）△H₁＜0
反應(yīng)2：756℃～907℃，SiCl₄（g）+2Zn（l）?Si（s）+2ZnCl₂（g）△H₂＜0
反應(yīng)3：907℃～1410℃，SiCl₄（g）+2Zn（g）?Si（s）+2ZnCl₂（g）△H₃＜0
①對(duì)于上述三個(gè)反應(yīng)，下列說法合理的是．
a．升高溫度會(huì)提高SiCl₄的轉(zhuǎn)化率      b．還原過程需在無氧的氣氛中進(jìn)行
c．增大壓強(qiáng)能提高反應(yīng)的速率         d．Na、Mg可以代替Zn還原SiCl₄
②實(shí)際制備過程選擇“反應(yīng)3”，選擇的理由是．
③已知Zn（l）═Zn（g）△H=+116KJ/mol．若SiCl₄的轉(zhuǎn)化率均為90%，每投入1mol SiCl₄，“反應(yīng)3”比“反應(yīng)2”多放出kJ的熱量．
（5）用硅制作太陽能電池時(shí)，為減弱光在硅表面的反射，采用化學(xué)腐蝕法在其表面形成粗糙的多孔硅層．腐蝕劑常用稀HNO₃和HF的混合液．硅表面首先形成SiO₂，最后轉(zhuǎn)化為H₂SiF₆．用化學(xué)方程式表示SiO₂轉(zhuǎn)化為H₂SiF₆的過程．