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下列關于電子式的說法不正確的是( ) A.每種元素的原子都可以寫出電子式 B.簡單陽離子的電子式與它的離子符號相同 C.陰離子的電子式要加方括號表示 D.電子式就是核外電子排布的式子 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

下列關于電子式的說法不正確的是


  1. A.
    每種元素的原子都可以寫出電子式
  2. B.
    簡單陽離子的電子式與它的離子符號相同
  3. C.
    陰離子的電子式要加方括號表示
  4. D.
    電子式就是核外電子排布的式子

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下列關于電子式的說法不正確的是

A.每種元素的原子都可以寫出電子式

B.簡單陽離子的電子式與它的離子符號相同

C.陰離子的電子式要加方括號表示

D.電子式就是核外電子排布的式子

 

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  下列關于電子式的說法不正確的是( )

  A.每種元素的原子都可以寫出電子式

  B.簡單陽離子的電子式與它的離子符號相同

  C.陰離子的電子式要加方括號表示

  D.電子式就是核外電子排布的式子

 

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元素周期表中的第ⅢA、ⅣA、ⅤA族的部分元素往往易形成原子晶體,氮化鋁、磷化硼和砷化鎵屬于此列,如氮化鋁晶體中每個Al原子與4個N原子相連,每個N原子也與4個Al原子相連,晶胞如右圖所示.磷化硼是一種受到高度關注的耐磨涂料,它可用作金屬的表面保護層;砷化鎵屬于第三代半導體,它能直接將電能轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽埽榛墴襞輭勖瞧胀襞莸?00倍,而耗能只有其10%.試回答下列問題:
(1)下列離子中最外層電子數(shù)不為8的是
D
D
(選填序號).
A.P3-           B.Al3+           C.Ti4+         D.Ga3+
(2)下列說法正確的是
BC
BC
(選填序號).
A.硼和鎵都屬于S區(qū)元素,磷、砷屬于P區(qū)元素
B.第一電離能:As>Ga    Mg>Al
C.根據(jù)等電子體原理,砷化鎵、磷化硼的晶胞與氮化鋁晶體相同且類似于單晶硅
D.NH3沸點高于AsH3,其原因是NH3分子中共價鍵強度較大
(3)砷化鎵可由(CH33Ga和AsH3反應得到,該反應在700℃進行,反應的化學方程式為
(CH33Ga+AsH3
700℃
GaAs+3CH4
(CH33Ga+AsH3
700℃
GaAs+3CH4
;
下列有機分子中碳原子的雜化方式與(CH33Ga分子中Ga原子的雜化方式相同的是
BDE
BDE
.(填序號)
A.CH4B.CH2=CH2C.CH≡CH      D.HCHO      E.
(4)請畫出三溴化磷分子的路易斯結(jié)構(gòu)式
,請判斷三溴化硼分子屬于
非極性
非極性
(填“極性”“非極性”)分子.

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(14分)元素單質(zhì)及其化合物有廣泛用途,請根據(jù)周期表中第三周期元素相關知識回答下列問題:
(1)按原子序數(shù)遞增的順序(稀有氣體除外),以下說法正確的是               。
a.原子序數(shù)和離子半徑均減小              b.金屬性減弱,非金屬性增強
c.氧化物對應的水合物堿性減弱,酸性增強  d.單質(zhì)的熔點降低
(2)原子最外層電子數(shù)與次外層電子數(shù)相同的元素名稱為           ,氧化性最弱的簡單陽離子是   。
(3)已知:

化合物
MgO
Al2O3
MgCl2
AlCl3
類型
離子化合物
離子化合物
離子化合物
共價化合物
熔點/℃
2800
2050
714
191
 
工業(yè)制鎂時,電解MgCl2而不電解MgO的原因是                           ;制鋁時,電解Al2O3而不電解AlCl3的原因是                                                 。
(4)晶體硅(熔點1410℃)是良好的半導體材料。由粗硅制純硅過程如下:

寫出SiCl4的電子式:            ;在上述由SiCl4制純硅的反應中,測得每生成1.12kg純硅需吸收akJ熱量,寫出該反應的熱化學方程式:                                 。
(5)P2O5是非氧化性干燥劑,下列氣體不能用濃硫酸干燥,可用P2O5干燥的是          。
a. NH3        b. HI        c. SO2      d . CO2
(6)KClO3可用于實驗室制O2,若不加催化劑,400℃時分解只生成兩種鹽,其中一種是無氧酸鹽,另一種鹽的陰陽離子個數(shù)比為1:1。寫出該反應的化學方程式:                                   。     

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