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（1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷（SiHCl₃）還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

①寫出由純SiHCl₃制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式____________________________。

②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式_________________；H₂還原SiHCl₃過(guò)程中若混入O₂，可能引起的后果是_________________________。

（2）下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是__________________（填字母）。

A.碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

B.氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承

C.高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維

D.普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點(diǎn)很高

E.鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

（3）硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋_______________________________。

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

    （1）制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl₃)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

    ①寫出由純SiHCl₃制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式        。

    ②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式           ；H₂還原SiHCl₃過(guò)程中若混入O₂，可能引起的后果是                                 。

    （2）下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是         (填字母)。

      A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

      B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承

      C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維

      D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點(diǎn)很高

      E．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

（3）硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋          。

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl₃)還原法是當(dāng)前制備高純硅  的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

①     寫出由純SiHCl₃制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式

________________________________________________________________________

________________________________________________________________________。

②     整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式

________________________________________________________________________；

H₂還原SiHCl₃過(guò)程中若混入O₂，可能引起的后果是

________________________________________________________________________。

(2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是________(填字母)。

A．碳化硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，可用于生產(chǎn)耐高溫水泥

B．氮化硅硬度大、熔點(diǎn)高，可用于制作高溫陶瓷和軸承

C．高純度的二氧化硅可用于制造高性能通訊材料——光導(dǎo)纖維

D．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點(diǎn)很高

E．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅

(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入飽和氯化銨溶液，      振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋：

________________________________________________________________________

________________________________________________________________________

________________________________________________________________________。

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用范圍很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。
三氯甲硅烷(SiHCl₃)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

①寫出由純SiHCl₃制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式                                 。
②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水無(wú)氧。SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式                                             ；
H₂還原SiHCl₃過(guò)程中若混入O₂，可能引起的后果是                                 
                                                                            。
(2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是        (填字母)。

硅單質(zhì)及其化合物應(yīng)用很廣。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：
(1)制備硅半導(dǎo)體材料必須先得到高純硅。三氯甲硅烷(SiHCl₃)還原法是當(dāng)前制備高純硅的主要方法，生產(chǎn)過(guò)程示意圖如下：

①寫出由純SiHCl₃制備高純硅的化學(xué)反應(yīng)方程式____________________。
②整個(gè)制備過(guò)程必須嚴(yán)格控制無(wú)水、無(wú)氧。SiHCl₃遇水劇烈反應(yīng)生成H₂SiO₃、HCl和另一種物質(zhì)，寫出配平的化學(xué)反應(yīng)方程式____________________；H₂還原SiHCl₃過(guò)程中若混有O₂，可能引起的后果是____________________。
(2)下列有關(guān)硅材料的說(shuō)法正確的是   (　　)。
A．單質(zhì)硅化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，但可以被強(qiáng)堿溶液腐蝕
B．鹽酸可以與硅反應(yīng)，故采用鹽酸為拋光液拋光單晶硅
C．普通玻璃是由純堿、石灰石和石英砂制成的，其熔點(diǎn)很高
D．光導(dǎo)纖維的主要成分是SiO₂
(3)硅酸鈉水溶液俗稱水玻璃。取少量硅酸鈉溶液于試管中，逐滴加入鹽酸，振蕩。寫出實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象并給予解釋(用化學(xué)方程式說(shuō)明)_________________________ ____。
(4)在人體器官受到損傷時(shí)，需要使用一種新型無(wú)機(jī)非金屬材料來(lái)植入體內(nèi)，這種材料是________(填字母)。
A．高溫結(jié)構(gòu)陶瓷    　B．生物陶瓷　     C．導(dǎo)電陶瓷