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6．下列物質中.屬于共價化合物的是 A．MgO B．NaCl C．H2 D．H2O 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

決定物質性質的重要因素是物質的結構。請回答下列問題：
（1）已知A和B為第三周期元素，其原子的第一至第四電離能如下表所示：

電離能/kJ·mol－1
I1
I2
I3
I4
A
578
1817
2745
11578
B
738
1451
7733
10540
A通常顯 　 價，A的電負性   　  B的電負性(填“＞”、“＜”或“＝”)。
（2）已知：波長為300 nm的紫外光的光子，光子的能量與光的頻率的關系為E＝hv，式中h＝6.63×10－34J·s，光的波長與光的頻率v的關系為，其中光速c=3×108m·s-1。根據下表有關蛋白質分子中重要化學鍵的信息，求波長為300 nm的紫外光的光子所具有的能量　　　　　kJ·mol－1，說明人體長時間照射紫外光后皮膚是否會受傷害的原因：    　　　　　　　　
　      　　　　　　　　　  。（未說明原因不給分）
共價鍵
C—C
C—N
C—S
鍵能/kJ·mol－1
347
305
259
（3）科學家通過X射線探明，KCl、MgO、CaO、TiN的晶體結構與NaCl的晶體結構相似。下表是3種離子晶體的晶格能數據：
離子晶體
NaCl
KCl
CaO
晶格能/kJ·mol－1
786
715
3401
離子鍵的強弱可以用離子晶體的晶格能來衡量，KCl、CaO、TiN 3種離子晶體熔點從高到低的順序是  　  。MgO晶體中一個Mg2＋周圍和它最鄰近且等距離的Mg2＋有 　 個。
（4）研究物質磁性表明：金屬陽離子含未成對電子越多，則磁性越大，磁記錄性能越好。離子型氧化物V2O5和CrO2中，適合作錄音帶磁粉原料的是       　     。
（5） [Cu(NH3)4]SO4中存在的化學鍵類型有                    （填序號）。
A．共價鍵   B．氫鍵    C．離子鍵    D．配位鍵    E．分子間作用力   
NH3分子的空間構型為　　　　　　　　，屬于　　　　　　分子（填“極性”或“非極性”）

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決定物質性質的重要因素是物質的結構。請回答下列問題：
（1）已知A和B為第三周期元素，其原子的第一至第四電離能如下表所示：
電離能/kJ·mol－1
I1
I2
I3
I4
A
578
1817
2745
11578
B
738
1451
7733
10540
A通常顯 　 價，A的電負性   　  B的電負性(填“＞”、“＜”或“＝”)。
（2）已知：波長為300 nm的紫外光的光子，光子的能量與光的頻率的關系為E＝hv，式中h＝6.63×10－34J·s，光的波長與光的頻率v的關系為，其中光速c=3×108m·s-1。根據下表有關蛋白質分子中重要化學鍵的信息，求波長為300 nm的紫外光的光子所具有的能量　　　　　kJ·mol－1，說明人體長時間照射紫外光后皮膚是否會受傷害的原因：    　　　　　　　　
　      　　　　　　　　　  。（未說明原因不給分）
共價鍵
C—C
C—N
C—S
鍵能/kJ·mol－1
347
305
259
（3）科學家通過X射線探明，KCl、MgO、CaO、TiN的晶體結構與NaCl的晶體結構相似。下表是3種離子晶體的晶格能數據：
離子晶體
NaCl
KCl
CaO
晶格能/kJ·mol－1
786
715
3401
離子鍵的強弱可以用離子晶體的晶格能來衡量，KCl、CaO、TiN 3種離子晶體熔點從高到低的順序是  　  。MgO晶體中一個Mg2＋周圍和它最鄰近且等距離的Mg2＋有 　 個。
（4）研究物質磁性表明：金屬陽離子含未成對電子越多，則磁性越大，磁記錄性能越好。離子型氧化物V2O5和CrO2中，適合作錄音帶磁粉原料的是       　     。
（5） [Cu(NH3)4]SO4中存在的化學鍵類型有                    （填序號）。
A．共價鍵   B．氫鍵    C．離子鍵    D．配位鍵    E．分子間作用力   
NH3分子的空間構型為　　　　　　　　，屬于　　　　　　分子（填“極性”或“非極性”）

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（14分）元素單質及其化合物有廣泛用途，請根據周期表中第三周期元素相關知識回答下列問題：
（1）按原子序數遞增的順序（稀有氣體除外），以下說法正確的是               。
a．原子序數和離子半徑均減小              b．金屬性減弱，非金屬性增強
c．氧化物對應的水合物堿性減弱，酸性增強  d．單質的熔點降低
（2）原子最外層電子數與次外層電子數相同的元素名稱為           ，氧化性最弱的簡單陽離子是   。
（3）已知：

化合物
MgO
Al2O3
MgCl2
AlCl3
類型
離子化合物
離子化合物
離子化合物
共價化合物
熔點/℃
2800
2050
714
191
 
工業(yè)制鎂時，電解MgCl2而不電解MgO的原因是                           ；制鋁時，電解Al2O3而不電解AlCl3的原因是                                                 。
（4）晶體硅（熔點1410℃）是良好的半導體材料。由粗硅制純硅過程如下：

寫出SiCl4的電子式：            ；在上述由SiCl4制純硅的反應中，測得每生成1.12kg純硅需吸收akJ熱量，寫出該反應的熱化學方程式：                                 。
（5）P2O5是非氧化性干燥劑，下列氣體不能用濃硫酸干燥，可用P2O5干燥的是          。
a． NH3        b． HI        c． SO2      d ． CO2
（6）KClO3可用于實驗室制O2，若不加催化劑，400℃時分解只生成兩種鹽，其中一種是無氧酸鹽，另一種鹽的陰陽離子個數比為1:1。寫出該反應的化學方程式：                                   。     

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胃舒平主要成分是氫氧化鋁，同時含有三硅鎂(Mg2Si3O8H2O)等化合物．

(1)

比較鋁離子和鎂離子半徑大小(用離子符號表示)________．

(2)

比較鋁和鎂的第一電離能大小________(用元素符號表示)

(3)

下列事實不能說明鎂比鋁的金屬性強的是

[　　]

A．

Al(OH)3可溶于強堿溶液中，Mg(OH)2不能

B．

Mg能從鋁鹽溶液中置換出鋁

C．

Mg原子最外層只有2個電子，而Al原子最外層有3個電子

D．

Mg與鹽酸反應比鋁與鹽酸反應更劇烈

(4)

已知：電負性：Mg－1.2　Al－1.5　Cl－3.0．則MgCl2晶體中存在的作用力是________；AlBr3屬于________(填“離子”或“共價”)化合物

(5)

某元素與鎂元素不同周期但在相鄰主族，且性質和鎂元素性質十分相似，該元素符號是________，原子核外電子排布式為________．

(6)

Al2O3、MgO都有很高的熔點，都可以制耐火材料，其原因是________

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（9分）胃舒平主要成分是氫氧化鋁，同時含有三硅鎂（Mg2Si3O­8`H2O）等化合物。

（1）比較鋁離子和鎂離子半徑大�。ㄓ秒x子符號表示）______________________。

（2）比較鋁和鎂的第一電離能大小__________________（用元素符號表示）

 (3)下列事實不能說明鎂比鋁的金屬性強的是____________

A．Al(OH)3可溶于強堿溶液中，Mg(OH)2不能

B．Mg能從鋁鹽溶液中置換出鋁

C．Mg 原子最外層只有2個電子, 而Al原子最外層有3個電子

D．Mg與鹽酸反應比鋁與鹽酸反應更劇烈

(4)已知：電負性:  Mg- 1.2  Al- 1.5  Cl-3.0 。則MgCl2晶體中存在的作用力是__________；AlBr3屬于_________(填“離子”或“共價”)化合物

（5）某元素與鎂元素不同周期但在相鄰主族，且性質和鎂元素性質十分相似，該元素符號是___________，原子核外電子排布式為_____________________。

 (6) Al2O3 、MgO都有很高的熔點,都可以制耐火材料，其原因是_____________________

______________________________________________________________________________

 

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