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（2012?太原一模）X、Y、Z、U、W為原子序數(shù)依次增大的前四周期元素，X、Y、Z三種元素的基態(tài)原子具有相同的能層和能級，且第一電離能：I₁（X）＜I₁（Z）＜I₁（Y），其中基態(tài)Y原子的2p軌道處于半充滿狀態(tài)，且XZ₂與Y₂Z互為等電子體．U為周期表前四周期中電負(fù)性最小的元素，W的原子序數(shù)為26．試回答下列問題：
（1）XZ₂的電子式為，基態(tài)W原子的核外電子排布式為．
（2）Y的簡單氫化物極易溶于Z的簡單氫化物中，其主要原因是．
（3）X的一種氫化物的相對分子質(zhì)量為26，其分子中σ鍵與π鍵的鍵數(shù)之比為；其分子中X原子的雜化軌道類型為．
（4）化合物甲由Z、U兩元素組成，其晶胞如圖所示．
①甲的化學(xué)式為
②下列有關(guān)該晶體的說法正確的是（填字母編號）．
A．每個(gè)晶胞中含有14個(gè)U⁺和13個(gè)Z^-₂
B．晶體中每個(gè)U⁺周圍距離U⁺最近的Z^-₂有8個(gè)
C．晶體中與每個(gè)U⁺距離最近的U⁺有12個(gè)
D．該晶體屬于離子晶體
③甲的密度為a g?cm^-3，則晶胞的體積是cm³（只要求列出計(jì)算式，阿伏加德羅常數(shù)用N_A表示）．

我國目前制備多晶硅主要采用三氯氫硅氫還原法、硅烷熱解法和四氯化硅氫還原法．由于三氯氫硅還原法具有一定優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用．其簡化的工藝流程如圖所示：

反應(yīng)①：Si（粗）+3HCl（g） 

553----573K  .

SiHCl₃（l）+H₂（g）
反應(yīng)②：SiHCl₃+H₂ 

1373K  .

 Si（純）+3HCl
（1）制備三氯氫硅的反應(yīng)為：Si（s）+3HCl（g）═SiHCl₃（g）+H₂（g）；△H=-210kJ?mol^-1．伴隨的副反應(yīng)有：Si（s）+4HCl（g）═SiCl₄（g）+2H₂（g）；△H=-241kJ?mol^-1．SiCl₄在一定條件下與H₂反應(yīng)可轉(zhuǎn)化為SiHCl₃，反應(yīng)的熱化學(xué)方程式為：SiCl₄（g）+H₂（g）═SiHCl₃（g）+HCl（g）；△H=．
（2）假設(shè)在每一輪次的投料生產(chǎn)中，硅元素沒有損失，反應(yīng)①HCl中的利用率為75%，反應(yīng)②中和H₂的利用率為80%．則在下一輪次的生產(chǎn)中，需補(bǔ)充投入HCl和H₂的體積比是．
（3）由于SiH₄具有易提純的特點(diǎn)，因此硅烷熱分解法是制備高純硅很有發(fā)展?jié)摿Φ姆椒ǎ�工業(yè)上廣泛采用的合成硅烷方法是讓硅化鎂和固體氯化銨在液氨介質(zhì)中反應(yīng)得到硅烷，化學(xué)方程式是；
整個(gè)制備過程必須嚴(yán)格控制無水，否則反應(yīng)將不能生成硅烷，而是生成硅酸和氫氣等，其化學(xué)方程式為；
整個(gè)系統(tǒng)還必須與氧隔絕，其原因是．
（4）若將硅棒與鐵棒用導(dǎo)線相連浸在氫氧化鈉溶液中構(gòu)成原電池，則負(fù)極的電極反應(yīng)式為：
（5）硅能用于合成硅橡膠，右圖是硅橡膠中的一種，其主要優(yōu)點(diǎn)是玻璃化溫度低，耐輻射性能好，則該硅橡膠的化學(xué)式為．