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硅的制備:工業(yè)上.用C在高溫下還原SiO2可制得粗硅. SiO2+2C=Si+2Cl2=SiCl4 SiCl4+2H2=Si(純)+4HCl 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(2010?豐臺(tái)區(qū)一模)[化學(xué)與技術(shù)]工業(yè)上可以利用氟硅酸、碳酸氫銨制備冰晶石(Na3AlF6),其工藝如下:



請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)反應(yīng)①中生成的無(wú)色氣體A是
CO2
CO2
,濾液①的溶質(zhì)是
NH4F
NH4F

(2)經(jīng)測(cè)定NH4HCO3溶液呈中性,請(qǐng)分析原因(用離子方程式和文字表述說(shuō)明理由)
NH4++H2ONH3?H2O+H+、HCO3-+H2OH2CO3+OH-
NH4+和HCO3-的水解程度基本相同
NH4++H2ONH3?H2O+H+、HCO3-+H2OH2CO3+OH-
NH4+和HCO3-的水解程度基本相同

(3)經(jīng)反應(yīng)②后,過(guò)濾得到的冰晶(Na3AlF6)固體,該固體上附著有雜質(zhì),需要洗滌,請(qǐng)簡(jiǎn)述如何證明冰晶石固體已經(jīng)洗滌干凈
取洗滌后的溶液,向其中滴加BaCl2溶液,無(wú)現(xiàn)象,說(shuō)明已經(jīng)洗滌干凈;若有白色沉淀生成,說(shuō)明沒(méi)有洗滌干凈
取洗滌后的溶液,向其中滴加BaCl2溶液,無(wú)現(xiàn)象,說(shuō)明已經(jīng)洗滌干凈;若有白色沉淀生成,說(shuō)明沒(méi)有洗滌干凈

(4)溫度和NH4HCO3濃度會(huì)影響反應(yīng)①的速率.現(xiàn)設(shè)計(jì)如下實(shí)驗(yàn)方案探究溫度和NH4HCO3
度對(duì)反應(yīng)①速率的影響.請(qǐng)?jiān)诒砀窨瞻滋幪顚戇m當(dāng)?shù)姆磻?yīng)條件.
實(shí)驗(yàn)編號(hào) 實(shí)驗(yàn)?zāi)康?/TD> 溫度 c(NH4HCO3
I 為以下實(shí)驗(yàn)作參照 60℃ c1
II 探究濃度對(duì)反應(yīng)①速率的影響 c2
III 探究溫度對(duì)反應(yīng)①速率的影響 80℃
(5)下圖是濾液①溶質(zhì)的質(zhì)量分?jǐn)?shù)隨溫度變化的曲線圖:
請(qǐng)分析t2℃時(shí),濾液①中溶質(zhì)的質(zhì)量分?jǐn)?shù)下降的原因是
溫度升高NH4F會(huì)分解
溫度升高NH4F會(huì)分解

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)單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應(yīng)生成SiCl4CO,SiCl4經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備SiCl4的裝置示意圖。

實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,石英砂中的鐵、鋁等雜質(zhì)也能轉(zhuǎn)化為相應(yīng)氯化物,SiCl4、AlCl3、FeCl3遇水均易水解,有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:

物質(zhì)

SiCl4

AlCl3

FeCl3

沸點(diǎn)/

57.7

315

熔點(diǎn)/

-70.0

升華溫度/

180

300

 

請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式:_____________, 裝置D的硬質(zhì)玻璃管中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式是????????????????????????? 。

2)裝置C中的試劑是?????????? ; DE間導(dǎo)管短且粗的原因是????????????? 。

3G中吸收尾氣一段時(shí)間后,吸收液中肯定存在OH、ClSO42-。請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn),探究該吸收液中可能存在的其他酸根離子(忽略空氣中CO2的影響)。

【提出假設(shè)】假設(shè)1:只有SO32-;假設(shè)2:既無(wú)SO32-也無(wú)ClO;假設(shè)3??????

【設(shè)計(jì)方案,進(jìn)行實(shí)驗(yàn)】可供選擇的實(shí)驗(yàn)試劑有:3 mol/L H2SO4、1 mol/L NaOH、0.01 mol/L KMnO4、溴水、淀粉-KI、品紅等溶液。

取少量吸收液于試管中,滴加3 mol/L H2SO4至溶液呈酸性,然后將所得溶液分置于ab、c三支試管中,分別進(jìn)行下列實(shí)驗(yàn)。請(qǐng)完成下表:

序號(hào)

操? 作

可能出現(xiàn)的現(xiàn)象

結(jié)論

a試管中滴加幾滴????????? 溶液

若溶液褪色

則假設(shè)1成立

若溶液不褪色

則假設(shè)23成立

b試管中滴加幾滴????????? 溶液

若溶液褪色

則假設(shè)13成立

若溶液不褪色

假設(shè)2成立

c試管中滴加幾滴????????? 溶液

 

假設(shè)3成立

 

 

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單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應(yīng)生成SiCl4和CO,SiCl4經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備SiCl4的裝置示意圖。

實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,石英砂中的鐵、鋁等雜質(zhì)也能轉(zhuǎn)化為相應(yīng)氯化物,SiCl4、AlCl3、FeCl3遇水均易水解,有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:

物質(zhì)

SiCl4

AlCl3

FeCl3

沸點(diǎn)/℃

57.7

315

熔點(diǎn)/℃

-70.0

升華溫度/℃

180

300

 

請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式:_____________, 裝置D的硬質(zhì)玻璃管中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式是                          。

(2)裝置C中的試劑是           ; D、E間導(dǎo)管短且粗的原因是              。

(3)G中吸收尾氣一段時(shí)間后,吸收液中肯定存在OH、Cl和SO42-。請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn),探究該吸收液中可能存在的其他酸根離子(忽略空氣中CO2的影響)。

【提出假設(shè)】假設(shè)1:只有SO32-;假設(shè)2:既無(wú)SO32-也無(wú)ClO;假設(shè)3:       

【設(shè)計(jì)方案,進(jìn)行實(shí)驗(yàn)】可供選擇的實(shí)驗(yàn)試劑有:3 mol/L H2SO4、1 mol/L NaOH、0.01 mol/L KMnO4、溴水、淀粉-KI、品紅等溶液。

取少量吸收液于試管中,滴加3 mol/L H2SO4至溶液呈酸性,然后將所得溶液分置于a、b、c三支試管中,分別進(jìn)行下列實(shí)驗(yàn)。請(qǐng)完成下表:

序號(hào)

操  作

可能出現(xiàn)的現(xiàn)象

結(jié)論

向a試管中滴加幾滴          溶液

若溶液褪色

則假設(shè)1成立

若溶液不褪色

則假設(shè)2或3成立

向b試管中滴加幾滴          溶液

若溶液褪色

則假設(shè)1或3成立

若溶液不褪色

假設(shè)2成立

向c試管中滴加幾滴          溶液

              

假設(shè)3成立

 

 

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(18分)MnO2和Zn是制造干電池的重要原料,工業(yè)上用軟錳礦(主要成分MnO2)和閃鋅礦(主要成分ZnS)聯(lián)合生產(chǎn)MnO2和Zn的工藝流程如下圖所示:

(1)操作I用到硅酸鹽材質(zhì)的儀器有燒杯、玻璃棒和_______ _____(填儀器名稱)。
(2)稀硫酸浸泡時(shí)反應(yīng)的離子方程式為_______________________________________;該反應(yīng)中若析出19.2g單質(zhì)A,共轉(zhuǎn)移____________mo1電子。浸泡時(shí)反應(yīng)速率較慢,下列措施不能提高浸泡時(shí)反應(yīng)速率的是________(填代號(hào))。
a.將礦石粉碎   
b.提高浸泡溫度
c.適當(dāng)增大硫酸濃度
d.改變軟錳礦與閃鋅礦的比例
(3)由硫酸錳溶液可得到固體碳酸錳,然后在空氣中煅燒碳酸錳制備MnO2。已知:

寫出碳酸錳在空氣中煅燒生成MnO2的熱化學(xué)方程式_________________________。
(4)用惰性電極電解硫酸酸化的硫酸錳溶液制備MnO2的裝置如下圖所示:

①a應(yīng)與直流電源的_________(填“正”或“負(fù)”)極相連。.
②電解過(guò)程中氫離子的作用是______________和_____________;若轉(zhuǎn)移的電子數(shù)為個(gè),左室溶液中的變化量為________________。

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)單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。工業(yè)上可用焦炭與二氧化硅的混合物在高溫下與氯氣反應(yīng)生成SiCl4和CO,SiCl4經(jīng)提純后用氫氣還原得高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備SiCl4的裝置示意圖。

實(shí)驗(yàn)過(guò)程中,石英砂中的鐵、鋁等雜質(zhì)也能轉(zhuǎn)化為相應(yīng)氯化物,SiCl4、AlCl3、FeCl3遇水均易水解,有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表:

物質(zhì)
SiCl4
AlCl3
FeCl3
沸點(diǎn)/℃
57.7

315
熔點(diǎn)/℃
-70.0


升華溫度/℃

180
300
 
請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式:_____________, 裝置D的硬質(zhì)玻璃管中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式是                         
(2)裝置C中的試劑是          ; D、E間導(dǎo)管短且粗的原因是             
(3)G中吸收尾氣一段時(shí)間后,吸收液中肯定存在OH、Cl和SO42-。請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn),探究該吸收液中可能存在的其他酸根離子(忽略空氣中CO2的影響)。
【提出假設(shè)】假設(shè)1:只有SO32-;假設(shè)2:既無(wú)SO32-也無(wú)ClO;假設(shè)3:      。
【設(shè)計(jì)方案,進(jìn)行實(shí)驗(yàn)】可供選擇的實(shí)驗(yàn)試劑有:3 mol/L H2SO4、1 mol/L NaOH、0.01 mol/L KMnO4、溴水、淀粉-KI、品紅等溶液。
取少量吸收液于試管中,滴加3 mol/L H2SO4至溶液呈酸性,然后將所得溶液分置于a、b、c三支試管中,分別進(jìn)行下列實(shí)驗(yàn)。請(qǐng)完成下表:
序號(hào)
操 作
可能出現(xiàn)的現(xiàn)象
結(jié)論

向a試管中滴加幾滴         溶液
若溶液褪色
則假設(shè)1成立
若溶液不褪色
則假設(shè)2或3成立

向b試管中滴加幾滴         溶液
若溶液褪色
則假設(shè)1或3成立
若溶液不褪色
假設(shè)2成立

向c試管中滴加幾滴         溶液
              
假設(shè)3成立
 

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