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【選修3物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】（15分）
VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VIA族元素的化臺物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題：
（1）S單質(zhì)的常見形式為S₈，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是      ；
 
（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離
子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?u>               ；
（3）Se原子序數(shù)為       ，其核外M層電子的排布式為                    ；
（4）H₂Se的酸性比H₂S         （填“強(qiáng)”或“弱”）。氣態(tài)SeO₃分子的立體構(gòu)型
為                 ，SO₃^2-離子的立體構(gòu)型為                   ；
（5）H₂SeO₃的K₁和K₂分別為2.7x l0^-3和2.5x l0^-8，H₂SeO₄第一步幾乎完全電離，
K₂為1.2X10^-2，請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：
①H₂SeO₃和H₂SeO₄第一步電離程度大于第二步電離的原因：                          
                                                   ；
② H₂SeO₄比 H₂SeO₃酸性強(qiáng)的原因：                                                  
                                                                              
（6）ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示，其晶胞邊長為540.0 pm．密度為                    （列式并計(jì)算），a位置S^2-離子與b位置Zn²⁺離子之間的距離為               pm（列示表示）

【選修3物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】（15分）

VIA族的氧、硫、硒(Se)、碲(Te)等元素在化合物中常表現(xiàn)出多種氧化態(tài)，含VIA族元素的化臺物在研究和生產(chǎn)中有許多重要用途。請回答下列問題：

（1）S單質(zhì)的常見形式為S8，其環(huán)狀結(jié)構(gòu)如下圖所示，S原子采用的軌道雜化方式是 ；

（2）原子的第一電離能是指氣態(tài)電中性基態(tài)原子失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離

子所需要的最低能量，O、S、Se原子的第一電離能由大到小的順序?yàn)?/span> ；

（3）Se原子序數(shù)為 ，其核外M層電子的排布式為 ；

（4）H2Se的酸性比H2S （填“強(qiáng)”或“弱”）。氣態(tài)SeO3分子的立體構(gòu)型

為 ，SO32-離子的立體構(gòu)型為 ；

（5）H2SeO3的K1和K2分別為2.7x l0-3和2.5x l0-8，H2SeO4第一步幾乎完全電離，

K2為1.2X10-2，請根據(jù)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系解釋：

①H2SeO3和H2SeO4第一步電離程度大于第二步電離的原因：

；

② H2SeO4比 H2SeO3酸性強(qiáng)的原因：

（6）ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示，其晶胞邊長為540.0 pm．密度為 （列式并計(jì)算），a位置S2-離子與b位置Zn2+離子之間的距離為 pm（列示表示）