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17．下列說法正確的是: A．第三周期所包含的元素中氯的第一電離能最大 B. 氮的第一電離能比氧小 C．在所有的元素中氦的第一電離能最大 D．鈉的第一電離能比鈹大 【查看更多】

 

題目列表(包括答案和解析)

如表是元素周期表的一部分．表中所列的字母分別代表某一化學(xué)元素，與實際元素符號無關(guān)．
族
周期		 IA IIA IIIA IVA VA VIA VIIA
1 A            
2 B C D E J K L
3 F G H I      
  M            
（1）下列說法正確的是
 
．
A．第一電離能：A＞B＞E＞J＞K        B．電負(fù)性：B＞C＞D＞E＞J
C．原子半徑：F＞G＞H＞E            D．D、I分別與L形成的簡單分子均為非極性分子
（2）表中A與E可形成A2E=E=EA2分子，有關(guān)該分子的說法不正確的是
 
．
A．分子中有6個σ鍵和2個π鍵
B．三個E原子都是sp2雜化
C．四個A原子不在同一平面內(nèi)
D．三個E原子在同一條直線上
（3）F晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖，精英家教網(wǎng)它的空間利用率為
 
（填“52%”、“68%”或“74%”）．
（4）字母K表示的元素原子基態(tài)時的價層電子排布式為
 
．
（5）MAL2晶體中包含的微粒間作用力有（填序號）
 
．
①離子鍵    ②極性鍵    ③分子間作用力    ④金屬鍵
（6）BHA4是一種絡(luò)合物，中心原子配位數(shù)為
 
，根據(jù)價層電子互斥理論可確定該物質(zhì)中陰離子空間構(gòu)型為
 
．

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已知A、B、C、D、E、F都是元素周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)依次遞增。B原子的P軌道半充滿，形成氫化物的沸點是同主族元素的氫化物中最低的。D原子得到一個電子后3P軌道全充滿。A+比D原子形成的離子少一個電子層。C與A形成A2C型離子化合物。E的原子序數(shù)為31，F(xiàn)與B屬同一主族，E與F形成的化合物常用于制造半導(dǎo)體。根據(jù)以上信息，回答下列問題：
（1）A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序為              （用元素符號表示）。
（2）化合物BD3的分子空間構(gòu)型是              。
（3）上海世博會場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED)，其材料是E與F形成的化合物甲（屬于第三代半導(dǎo)體），用它制造的燈泡壽命是普通燈泡的100倍，而耗能只有其10%�；衔锛椎木ОY(jié)構(gòu)如右圖（白球代表F，黑球代表E）。試回答：
①該晶胞中所包含的F原子(白色球)個數(shù)為       。
②與同一個E原子相連的F原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為                 。
③下列說法正確的是          。

A．該晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同   B．半導(dǎo)體EB與EF互為等電子體
C．電負(fù)性：F>E             D．EF晶體中含有配位鍵
④ (CH3)3E中E原子的雜化方式為          。
⑤該晶體中緊鄰的F原子之間與緊鄰的F、E兩原子之間距離的比值為      
（寫出計算過程）

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已知A、B、C、D、E、F都是元素周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)依次遞增。B原子的P軌道半充滿，形成氫化物的沸點是同主族元素的氫化物中最低的。D原子得到一個電子后3P軌道全充滿。A+比D原子形成的離子少一個電子層。C與A形成A2C型離子化合物。E的原子序數(shù)為31，F(xiàn)與B屬同一主族，E與F形成的化合物常用于制造半導(dǎo)體。根據(jù)以上信息，回答下列問題：

（1）A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序為              （用元素符號表示）。

（2）化合物BD3的分子空間構(gòu)型是              。

（3）上海世博會場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED)，其材料是E與F形成的化合物甲（屬于第三代半導(dǎo)體），用它制造的燈泡壽命是普通燈泡的100倍，而耗能只有其10%�；衔锛椎木ОY(jié)構(gòu)如右圖（白球代表F，黑球代表E）。試回答：

①該晶胞中所包含的F原子(白色球)個數(shù)為       。

②與同一個E原子相連的F原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為                 。

③下列說法正確的是          。

A．該晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同   B．半導(dǎo)體EB與EF互為等電子體

C．電負(fù)性：F>E             D．EF晶體中含有配位鍵

④ (CH3)3E中E原子的雜化方式為          。

⑤該晶體中緊鄰的F原子之間與緊鄰的F、E兩原子之間距離的比值為      

（寫出計算過程）

 

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已知A、B、C、D、E、F都是元素周期表中前四周期的元素，它們的核電荷數(shù)依次遞增。B原子的P軌道半充滿，形成氫化物的沸點是同主族元素的氫化物中最低的。D原子得到一個電子后3P軌道全充滿。A+比D原子形成的離子少一個電子層。C與A形成A2C型離子化合物。E的原子序數(shù)為31，F(xiàn)與B屬同一主族，E與F形成的化合物常用于制造半導(dǎo)體。根據(jù)以上信息，回答下列問題：
（1）A、B、C、D的第一電離能由小到大的順序為              （用元素符號表示）。
（2）化合物BD3的分子空間構(gòu)型是              。
（3）上海世博會場館，大量的照明材料或屏幕都使用了發(fā)光二極管(LED)，其材料是E與F形成的化合物甲（屬于第三代半導(dǎo)體），用它制造的燈泡壽命是普通燈泡的100倍，而耗能只有其10%。化合物甲的晶胞結(jié)構(gòu)如右圖（白球代表F，黑球代表E）。試回答：
①該晶胞中所包含的F原子(白色球)個數(shù)為       。
②與同一個E原子相連的F原子構(gòu)成的空間構(gòu)型為                 。
③下列說法正確的是          。

A．該晶胞結(jié)構(gòu)與NaCl相同   B．半導(dǎo)體EB與EF互為等電子體
C．電負(fù)性：F>E             D．EF晶體中含有配位鍵
④ (CH3)3E中E原子的雜化方式為          。
⑤該晶體中緊鄰的F原子之間與緊鄰的F、E兩原子之間距離的比值為      
（寫出計算過程）

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