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16.不能用金屬單質(zhì)和稀鹽酸反應(yīng)制得的物質(zhì)是 A.FeCl3 B.AlCl3 C.FeCl2 D.CuCl2 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(1)錫為第ⅣA族元素,錫的單質(zhì)和化合物與某些物質(zhì)的化學(xué)性質(zhì)有許多相似之處。已知錫元素具有如下性質(zhì):

;

。

試回答:

①錫溶于鹽酸,再向反應(yīng)后的溶液中通入氯氣,有關(guān)反應(yīng)類似于鐵的相應(yīng)變化,試寫(xiě)出有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式:_____________________________________________________,_______________________________________。

②將①中溶液蒸干后繼續(xù)灼燒所得固體,變化過(guò)程類似于FeCl3溶液相應(yīng)的變化,則最后得到的固體物質(zhì)是__________(填化學(xué)式)。

③若可用SnCl2溶液與過(guò)量的堿溶液反應(yīng)的方法制Sn(OH)2,該堿可選用________。

(2)某無(wú)色稀溶液X中,可能含有下表所列離子中的某幾種。

陰離子

陽(yáng)離子

 

現(xiàn)取該溶液適量,向其中加入某試劑Y,產(chǎn)生沉淀的物質(zhì)的量(n)與加入試劑Y體積(V)的關(guān)系如圖所示。

①若Y是鹽酸,則溶液中含有的金屬陽(yáng)離子是_________,ab段發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為_(kāi)______________,圖中oa段參加反應(yīng)的陰離子的物質(zhì)的量之比為_(kāi)__________________。

②若Y是NaOH溶液,則bc段反應(yīng)的離子方程式為_(kāi)___________________。

若不考慮離子的水解,忽略H和OH的影響,且溶液中只存在四種離子,則它們的離子個(gè)數(shù)比為_(kāi)____________________________________________(按陽(yáng)離子在前,陰離子在后,高價(jià)在前,低價(jià)在后的順序排列)。

 

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(1)錫為第ⅣA族元素,錫的單質(zhì)和化合物與某些物質(zhì)的化學(xué)性質(zhì)有許多相似之處。已知錫元素具有如下性質(zhì):
;

試回答:
①錫溶于鹽酸,再向反應(yīng)后的溶液中通入氯氣,有關(guān)反應(yīng)類似于鐵的相應(yīng)變化,試寫(xiě)出有關(guān)反應(yīng)的化學(xué)方程式:_____________________________________________________,_______________________________________。
②將①中溶液蒸干后繼續(xù)灼燒所得固體,變化過(guò)程類似于FeCl3溶液相應(yīng)的變化,則最后得到的固體物質(zhì)是__________(填化學(xué)式)。
③若可用SnCl2溶液與過(guò)量的堿溶液反應(yīng)的方法制Sn(OH)2,該堿可選用________。
(2)某無(wú)色稀溶液X中,可能含有下表所列離子中的某幾種。

陰離子

陽(yáng)離子

 
現(xiàn)取該溶液適量,向其中加入某試劑Y,產(chǎn)生沉淀的物質(zhì)的量(n)與加入試劑Y體積(V)的關(guān)系如圖所示。

①若Y是鹽酸,則溶液中含有的金屬陽(yáng)離子是_________,ab段發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為_(kāi)______________,圖中oa段參加反應(yīng)的陰離子的物質(zhì)的量之比為_(kāi)__________________。
②若Y是NaOH溶液,則bc段反應(yīng)的離子方程式為_(kāi)___________________。
若不考慮離子的水解,忽略H和OH的影響,且溶液中只存在四種離子,則它們的離子個(gè)數(shù)比為_(kāi)____________________________________________(按陽(yáng)離子在前,陰離子在后,高價(jià)在前,低價(jià)在后的順序排列)。

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28.晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備純硅的主要步驟如下:

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:Si+3HClSiHCl3+H2

③SiHCl3與過(guò)量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅

已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。

請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為_(kāi)______________________________。

(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為_(kāi)___________________。

(3)用SiHCl3與過(guò)量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):

①裝置B中的試劑是_________________________。

  裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是_____________________________________。

②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是______________________________________,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是____________________________________,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)_________________________________________。

③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及______________________________________。

④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫(xiě)字母代號(hào))是_________________。

a.碘水    b.氯水    c.NaOH溶液    d.KSCN溶液    e.Na2SO3溶液

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晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備純硅的主要步驟如下:

①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅

②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:

Si+3HClSiHCl3+H2

③SiHCl與過(guò)量H2在1 000—1 100℃反應(yīng)制得純硅

已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自然。

請(qǐng)回答下列問(wèn)題:

(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為_(kāi)_________________________________________。

(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為_(kāi)______。

(3)用SiHCl3與過(guò)量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如圖1-3-8(熱源及夾持裝置略去):

圖1-3-8

①裝置B中的試劑是_______。

裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是_____________________________________________。

②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是______________________________________。

裝置D不能采用普通玻璃管的原因是_______________,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)_____________________________。

③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及_______。

④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑(填寫(xiě)字母代號(hào))是_______。

a.碘水  b.氯水  c.NaOH溶液  d.KSCN溶液  e.Na2SO3溶液

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晶體硅是一種重要的非金屬材料,制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅
②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:Si+3HClSiHCl3+H2
③SiHCl3與過(guò)量H2在1 000~1 100 ℃反應(yīng)制得純硅。
已知SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。
請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
(1)第①步制備粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為_(kāi)______________________________。
(2)粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)-33 ℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6 ℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7 ℃),提純SiHCl3采用的方法為_(kāi)_______。
(3)用SiHCl3與過(guò)量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下圖(熱源及夾持裝置略去)

①裝置B中的試劑是________。裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是
________________________________________________________________。
②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是________,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是__________________________________。
裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)______________________________。
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及__________________________________________________
④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),將試樣用稀鹽酸溶解,取上層清液后需再加入的試劑是(填寫(xiě)字母代號(hào))________。
a.碘水 b.氯水 c.NaOH溶液 d.KSCN溶液
e.Na2SO3溶液

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