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3SiCl4 + 4NH3 === Si3N4 + 12HCl (2)Si3N4 + 9H2O === 3H2SiO3 + 4NH3 , Si3N4+6O2 ==== 3SiO2 +2N2 (3)因為在加壓和加熱條件下Si3N4顆粒表面生成了SiO2 , 與MgO一起形成致密的氧化物保護膜. 查看更多

 

題目列表(包括答案和解析)

(2012?長春三模)下列各項中評價合理的是(  )
選項 反應(yīng) 離子方程 評價
A 向AlCl3溶液中滴入過量氨水 Al3++4NH3?H2O═Al
O
-
2
+4N
H
+
4
+2H2O
錯誤
B 硫酸氫鈉與氫氧化鋇反應(yīng)至中性 S
O
2-
4
+H++Ba2++OH-═H2O+BaSO4
正確
C 亞硫酸鋇溶解于稀硝酸中 BaSO3+2H+═Ba2++H2O+SO2 正確
D 過量二氧化碳通入次氯酸鈣溶液中 ClO-+H2O+CO2═HClO+HC
O
-
3
錯誤

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(2010?聊城二模)下列反應(yīng)的離子方程式中正確的是(  )

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W、X、Y、Z均為短周期主族元素,W的最外層電子數(shù)與核外電子總數(shù)之比為3:8;X的核外電子總數(shù)與Y的最外層電子數(shù)相等,X的原子序數(shù)是Z的原子序數(shù)的一半;W、Y、Z位于同一周期.
(1)W的單質(zhì)是一種
色晶體.寫出X的氫化物的電子式

Z單質(zhì)的晶體類型是
原子晶體
原子晶體
類型
(2)W、Y、Z三種元素的氣態(tài)氫化物穩(wěn)定性由高到低的順序是
HCl>H2S>SiH4
HCl>H2S>SiH4
.(用化學(xué)式表示,Z的氣態(tài)氫化物與其同主族元素氣態(tài)氫化物化學(xué)式寫法相似).
(3)已知A、B、C、D四種物質(zhì)存在的反應(yīng)關(guān)系:A+B-→C+D
①若A是Y和Z常見價態(tài)的化合物,B是X的氫化物,D是Y的氫化物,反應(yīng)過程中沒有化合價變化,該反應(yīng)的化學(xué)方程式是
3SiCl4+4NH3═Si3N4+12HCl
3SiCl4+4NH3═Si3N4+12HCl

②若A是Z的單質(zhì),B為紅色固體,D為紫紅色固體單質(zhì),高溫下發(fā)生該反應(yīng),C的化學(xué)式是
SiO2
SiO2
.D與X元素最高價氧化物對應(yīng)水化物的濃溶液反應(yīng),生成的氣體會對大氣造成污染.用燒堿溶液吸收該氣體生成兩種鹽,其中一種鹽可用作防腐劑,燒堿溶液吸收氣體的離子方程式是
2NO2+2OH-═NO2-+NO3-+H2O
2NO2+2OH-═NO2-+NO3-+H2O

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硅及其化合物對人類現(xiàn)代文明具有特殊貢獻.請回答下列有關(guān)問題:
(1)硅原子的結(jié)構(gòu)示意圖:
 

(2)下列物品或設(shè)備所用材料屬于硅酸鹽的是
 
;
①長江三峽水泥大壩②石英光導(dǎo)纖維③陶瓷坩堝④普通玻璃⑤硅太陽能電池
A.①②③B.③④⑤C.②③④D.①③④
(3)常溫下,SiCl4為液態(tài),沸點為57.6℃,在空氣中冒白霧.制備高純度硅的中間產(chǎn)物SiCl4中溶有液態(tài)雜質(zhì),若要得到高純度SiCl4,應(yīng)采用的方法是
 
;用化學(xué)方程式及必要文字解釋SiCl4在空氣中冒白霧的原因:
 
;
(4)工業(yè)上可用SiCl4(g)制備高溫結(jié)構(gòu)陶瓷氮化硅,其反應(yīng)方程式為:
3SiCl4(g)+2N2(g)+6H2(g)
高溫
Si3N4(s)+12HCl(g);△H=akJ?mol(a<0)
①該反應(yīng)的平衡常數(shù)表達式K=
 
;
②在密閉恒容容器中,能表示上述反應(yīng)達到平衡狀態(tài)的是
 
;
A.3v(N2)=v(H2)      B.v(HCl)=4v(SiCl4
C.混合氣體密度保持不變      D.c(N2):c(H2):c(HCl)=1:3:6
③在某條件下達到平衡時,H2與HCl物質(zhì)的量之比為m:n;保持其他條件不變,降低溫度達到新平衡時,H2與HCl物質(zhì)的量之比
 
m:n(填“>”“=”或“<”).

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氮化硅是一種高溫陶瓷材料,它熔點高、硬度大、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,工業(yè)上曾普遍采用高純硅與純氮在1 300℃下反應(yīng)制得.
(1)根據(jù)性質(zhì),推測氮化硅的用途是
①③④
①③④
(填序號).
①制汽輪機葉片    ②制有色玻璃    ③制永久性模具    ④制柴油機
(2)氮化硅陶瓷抗腐蝕能力強,除氫氟酸外,它不與其他無機酸反應(yīng),試推測該陶瓷被氫氟酸腐蝕的化學(xué)反應(yīng)方程式:
Si3N4+16HF=4NH4F+3SiF4
Si3N4+16HF=4NH4F+3SiF4

(3)四氯化硅和氮氣在氫氣的氣氛保護下,加強熱發(fā)生反應(yīng),可得較高純度的氮化硅,反應(yīng)的化學(xué)方程式為
3SiCl4+2N2+6H2
  △  
.
 
Si3N4+12HCl
3SiCl4+2N2+6H2
  △  
.
 
Si3N4+12HCl

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