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（1）由SiO₂生成SiC的化學(xué)方程式是_________________。 氮化硅（Si₃N₄）也是一種高硬度高沸點(diǎn)的物質(zhì)，其制備方法是在H₂的保護(hù)下，使SiCl₄與N₂反應(yīng)沉積在石墨表面，形成一層致密的氮化硅層，寫出該反應(yīng)的化學(xué)方程式_______________________。
（2）基態(tài)Si原子的價(jià)電子排布式為________；Si與C相比，電負(fù)性較大的是_________（填元素符號）。   
（3）從原子軌道重疊的角度，X分子中含有的化學(xué)鍵是____________，X可與氧氣反應(yīng)生成Y，Y分子的中心原子雜化軌道類型是__________，鍵角是_____________。SiO₂與HF溶液反應(yīng)可以生成一種氣態(tài)物質(zhì)，該物質(zhì)的立體構(gòu)型為__________________。
（4）SiC的一種晶體與晶體硅的結(jié)構(gòu)相似，其中C原子和Si原子的位置是交替的，在SiC中最小的環(huán)上有________個(gè)原子，SiC與晶體硅相比，_________熔點(diǎn)較高，原因是______________________________ 。
（5）生鐵中存在著碳鐵化合物。若鐵晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖，鐵的密度是dg/cm³，則鐵原子的半徑是_________cm。（只要求列算式，不必計(jì)算出數(shù)值，阿伏伽德羅常數(shù)為N_A）。