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高中階段常用化學(xué)反應(yīng)方程式

1. 鈉在空氣中燃燒（黃色的火焰）
2. 鈉與水反應(yīng)（浮、熔、游、響、紅）
3. 過氧化鈉與水的反應(yīng)
4. 過氧化鈉與二氧化碳的反應(yīng)
5. 蘇打（純堿）與鹽酸反應(yīng)
6. 小蘇打受熱分解
7. ＊固體氫氧化鈉、碳酸氫鈉混合物在密閉容器中加熱
8. 金屬鋰在空氣中燃燒
9. 銅絲在氯氣中劇烈燃燒（棕色煙）
10. 鐵在氯氣中劇烈燃燒
11. 氫氣在氯氣中燃燒（蒼白色火焰，瓶口白霧）
12. 氯氣溶于水及新制氯水的成分：
13. 次氯酸見光分解（強(qiáng)氧化劑、殺菌消毒、漂白劑）
14. 工業(yè)制漂白粉原理
15. 氯氣實(shí)驗(yàn)室制法（主儀器：分液漏斗、圓底燒瓶等）
16. 新制氯水注入盛溴化鈉溶液的試管中
17. 用電子式表示溴化鎂、氯化氫分子的形成
18. 鐵與硫加熱反應(yīng)
19. 硫化氫充分燃燒
20. 硫化氫不完全燃燒
21. 硫化亞鐵與稀鹽酸反應(yīng)
22. 二氧化硫制三氧化硫（無色固體，熔點(diǎn)16.8℃，44.8℃）
23. 濃硫酸與銅反應(yīng)
24. 濃硫酸與非金屬碳的反應(yīng)
25. 工業(yè)制單質(zhì)硅（碳在高溫下還原二氧化硅）
26. 二氧化硅與氫氧化鈉反應(yīng)
27. 氮?dú)夂蜌錃夥磻?yīng)
28. 氮?dú)馀c氧氣放電條件下反應(yīng)
29. 二氧化氮溶于水
30. NO₂、O₂混合氣通入水中無剩余氣體
31. 一定量的NO、O₂混合通入水中無剩余氣體
32. 五氧化二磷與熱水反應(yīng)
33. 磷在氯氣中充分燃燒
34. 氨的催化氧化
35. 碳酸氫銨受熱分解
36. 用濃鹽酸檢驗(yàn)氨氣（白煙生成）
37. 硫酸銨溶液與氫氧化鈉溶液混合加熱
38. 硝酸銨溶液與氫氧化鈉溶液混合（不加熱）
39. 鋁箔在氧氣中劇烈燃燒
40. 鋁片與稀鹽酸反應(yīng)
41. 鋁與氫氧化鈉溶液反應(yīng)
42. 鋁與三氧化二鐵高溫下反應(yīng)（鋁熱反應(yīng)）
43. 鎂在二氧化碳中燃
44. 氧化鋁溶于氫氧化鈉溶液
45. 硫酸鋁溶液中滴過量氨水
46. 氫氧化鋁溶液中加鹽酸
47. *高溫下鐵與水反應(yīng)
48. 鐵與鹽酸反應(yīng)
49. 氧化鐵溶于鹽酸中
50. 化鐵中滴入氫氧化鈉溶液（紅褐色沉淀）
51. 氫氧化亞鐵在空氣中氧化
52. 氯化亞鐵溶液中通入氯氣
53. 氯化鐵溶液中加入鐵粉
54. 甲烷與氯氣取代生成四氯化碳
55. 乙烯實(shí)驗(yàn)室制法（濃硫酸作催化劑，脫水劑）
56. 乙烯通入溴水中
57. 制取聚乙烯、聚丙烯
58. 乙制取
59. 由乙炔制聚乙烯
60. 與液溴反應(yīng)（需鐵作催化劑）
61. 苯的硝化反應(yīng)
62. 與氫氣加成生成環(huán)己烷
63. 甲苯發(fā)生硝化反應(yīng)
64. 乙烷水解
65. 乙烷消去反應(yīng)
66. 醇與鈉反應(yīng)
67. 乙醇催化氧化 
68. 苯酚與氫氧化鈉溶液反應(yīng)
69. 苯酚鈉溶液中通入二氧化碳
70. 苯酚的定性檢驗(yàn)定量測定方法：
71. 醛制1-丙醇
72. 醛制乙酸
73. 乙醛的銀鏡反應(yīng)
74. 醛與新制氫氧化銅懸濁液
75. *乙酸與氫氧化銅懸濁液
76. 酸乙酯制�。ㄓ蔑柡吞妓徕c溶液收集）
77. 葡萄糖結(jié)構(gòu)簡式
78. 蔗水解方程式
79. 淀粉水解
80. 硬脂酸甘油酯皂化反應(yīng)

清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學(xué)清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)（如某些有機(jī)物，無機(jī)鹽，金屬、Si、SiO₂粉塵等）。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機(jī)溶劑、雙氧水、濃酸、強(qiáng)堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH、Na₂SiO₃等混合溶液在75～90℃反應(yīng)25～35 min，效果良好�；卮鹣铝袉栴}

Ⅰ.（1）寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式               ，對單晶制絨1990年化學(xué)家Seidel提出了一種的電化學(xué)模型，他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng)，首先是Si與OH^一反應(yīng)，生成SiO₄^4一，然后SiO₄^4一迅速水解生成H₄SiO₄�；�于此原理分析反應(yīng)中氧化劑為                   。

（2）本�；瘜W(xué)興趣小組同學(xué)，為驗(yàn)證Seidel的理論是否正確，完成以下實(shí)驗(yàn)：

結(jié)論：從實(shí)驗(yàn)上說明堿性水溶液條件下，H₂O可作                劑；NaOH作_____             劑，降低反應(yīng)             。高溫?zé)o水環(huán)境下，NaOH作               劑。

Ⅱ.在工業(yè)中利用鎂制取硅：2Mg＋SiO₂2MgO＋Si，同時(shí)有副反應(yīng)發(fā)生：2Mg＋SiMg₂Si，Mg₂Si遇鹽酸迅速反應(yīng)生成SiH₄(硅烷)，SiH₄在常溫下是一種不穩(wěn)定、易分解的氣體。如圖是進(jìn)行Mg與SiO₂反應(yīng)的實(shí)驗(yàn)裝置：

由于氧氣的存在對該實(shí)驗(yàn)有較大影響，實(shí)驗(yàn)中應(yīng)通入氣體X作為保護(hù)氣，試管中的固體藥品可選用________(填序號)。        a．石灰石　　　b．鋅粒　　　c．純堿

（4）實(shí)驗(yàn)開始時(shí)，必須先通入X氣體，再加熱反應(yīng)物，其理由是______________________________，當(dāng)反應(yīng)開始后，移走酒精燈反應(yīng)能繼續(xù)進(jìn)行，其原因是___________________________。

（5）反應(yīng)結(jié)束后，待冷卻至常溫時(shí)，往反應(yīng)后的混合物中加入稀鹽酸。可觀察到閃亮的火星，產(chǎn)生此現(xiàn)象的原因用化學(xué)方程式表示為_______________________________________。

清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學(xué)清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)（如某些有機(jī)物，無機(jī)鹽，金屬、Si、SiO₂粉塵等）。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機(jī)溶劑、雙氧水、濃酸、強(qiáng)堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH，Na₂SiO₃等混合溶液在75～90℃反應(yīng)25～35 min，效果良好。

回答下列問題

（1）能否用玻璃試劑瓶來盛HF溶液，為什么?用化學(xué)方程式加以解釋                           ；

（2）寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式                                    ，對單晶制絨1990年化學(xué)家Seidel提出了一種的電化學(xué)模型，他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng)，首先是Si與OH^一反應(yīng)，生成SiO₄^4一，然后SiO₄^4一迅速水解生成H₄SiO₄�；�于此原理分析反應(yīng)中氧化劑為                     。

（3）本�；瘜W(xué)興趣小組同學(xué)，為驗(yàn)證Seidel的理論是否正確，完成以下實(shí)驗(yàn)：

結(jié)論：從實(shí)驗(yàn)上說明堿性水溶液條件下，H₂O可作                 劑；NaOH作               劑，降低反應(yīng)             。高溫?zé)o水環(huán)境下，NaOH作               劑。

（4）在太陽能電池表面沉積深藍(lán)色減反膜——氮化硅晶膜。常用硅烷（SiH₄）與氨氣（NH₃）在等離子體中反應(yīng)。硅烷是一種無色、有毒氣體，常溫下與空氣和水劇烈反應(yīng)。下列關(guān)于硅烷、氮化硅的敘述不正確的是                。

A．在使用硅烷時(shí)要注意隔離空氣和水，SiH₄能與水發(fā)生氧化還原反應(yīng)生成H₂；

B．硅烷與氨氣反應(yīng)的化學(xué)方程式為：3SiH₄+4NH₃＝Si₃N₄+12H₂↑，反應(yīng)中NH₃作氧化劑；

C．它們具有卓越的抗氧化、絕緣性能和隔絕性能，化學(xué)穩(wěn)定性很好，不與任何酸、堿反應(yīng)；

D．氮化硅晶體中只存在共價(jià)鍵，Si₃N₄是優(yōu)良的新型無機(jī)非金屬材料。

清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學(xué)清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)（如某些有機(jī)物，無機(jī)鹽，金屬、Si、SiO₂粉塵等）。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機(jī)溶劑、雙氧水、濃酸、強(qiáng)堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH，Na₂SiO₃等混合溶液在75～90℃反應(yīng)25～35 min，效果良好。
回答下列問題
（1）能否用玻璃試劑瓶來盛HF溶液，為什么?用化學(xué)方程式加以解釋                          ；
（2）寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式                                   ，對單晶制絨1990年化學(xué)家Seidel提出了一種的電化學(xué)模型，他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng)，首先是Si與OH^一反應(yīng)，生成SiO₄^4一，然后SiO₄^4一迅速水解生成H₄SiO₄。基于此原理分析反應(yīng)中氧化劑為                    。
（3）本�；瘜W(xué)興趣小組同學(xué)，為驗(yàn)證Seidel的理論是否正確，完成以下實(shí)驗(yàn)：

清洗和制絨是硅晶片制作的重要步驟之一，硅片化學(xué)清洗的主要目的是除去硅片表面雜質(zhì)（如某些有機(jī)物，無機(jī)鹽，金屬、Si、SiO₂粉塵等）。常用的化學(xué)清洗劑有高純水、有機(jī)溶劑、雙氧水、濃酸、強(qiáng)堿等。其中去除硅的氧化物，通常用一定濃度的HF溶液，室溫條件下將硅片浸泡1至數(shù)分鐘。制絨是在硅片表面形成金字塔形的絨面，增加硅對太陽光的吸收。單晶制絨通常用NaOH、Na₂SiO₃等混合溶液在75～90℃反應(yīng)25～35 min，效果良好�；卮鹣铝袉栴}
Ⅰ.（1）寫出晶片制絨反應(yīng)的離子方程式              ，對單晶制絨1990年化學(xué)家Seidel提出了一種的電化學(xué)模型，他指出Si與NaOH溶液的反應(yīng)，首先是Si與OH^一反應(yīng)，生成SiO₄^4一，然后SiO₄^4一迅速水解生成H₄SiO₄�；�于此原理分析反應(yīng)中氧化劑為                  。
（2）本�；瘜W(xué)興趣小組同學(xué)，為驗(yàn)證Seidel的理論是否正確，完成以下實(shí)驗(yàn)：