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如圖（甲）所示，兩平行導軌與水平面成θ角傾斜放置，電源、 電阻、金屬細桿及導軌組成閉合回路，細桿與導軌間的摩擦不計。整個裝置分別處在如圖所示的勻強磁場中，其中可能使金屬細桿處于靜止狀態(tài)的是

A．

B．

C．

D．

如圖，水平桌面上固定有一半徑為R的金屬細圓環(huán)，環(huán)面水平，圓環(huán)每單位長度的電阻為r；空間有一勻強磁場，磁感應(yīng)強度大小為B，方向豎直向下；一長度為2R、電阻可忽略 導體棒置于圓環(huán)左側(cè)并與環(huán)相切，切點為棒的中點。棒在拉力的作用下以恒定加速度a從靜止開始向右運動，運動過程中棒與圓環(huán)接觸良好。下列說法正確的是

A．拉力大大小在運動過程中保持不變

B．棒通過整個圓環(huán)所用的時間為

C．棒經(jīng)過環(huán)中心時流過棒的電流為

D．棒經(jīng)過環(huán)心時所受安培力的大小為

如圖，通電導線MN與單匝矩形線圈abcd共面，位置靠近ab且相互絕緣。當MN中電流突然減小時，線圈所受安培力的合力方向

半徑為a右端開小口的導體圓環(huán)和長為2a的導體直桿，單位長度電阻均為R₀.圓環(huán)水平固定放置，整個內(nèi)部區(qū)域分布著豎直向下的勻強磁場，磁感應(yīng)強度為B.桿在圓環(huán)上以速度v平行于直徑CD向右做勻速直線運動，桿始終有兩點與圓環(huán)良好接觸，從圓環(huán)中心O開始，桿的位置由θ確定，如圖所示．則（ ）

A．θ＝0時，桿產(chǎn)生的電動勢為2Bav
B．θ＝ 時，桿產(chǎn)生的電動勢為 Bav
C．θ＝0時，桿受的安培力大小為
D．θ＝時，桿受的安培力大小為

如圖所示，在圓形區(qū)域內(nèi)，存在垂直紙面向外的勻強磁場， ab是圓的一條直徑。一帶電粒子從a點射入磁場，速度大小為2v，方向與ab成時恰好從b點飛出磁場，粒子在磁場中運動的時間為t；若僅將速度大小改為v，則粒子在磁場中運動的時間為（不計帶電粒子所受重力）（ ）

A．3t

B．

C．

D．2t

如圖所示，有一垂直于紙面向外的有界勻強磁場，磁場的磁感應(yīng)強度為B，其邊界為一等腰直角三角形（邊界上有磁場），ACD為三角形的三個頂點，AC=AD=L。今有一質(zhì)量為m、電荷量為+q的粒子（不計重力），以速度從CD邊上的某點P既垂直于CD邊又垂直于磁場的方向射入，然后從AD邊上某點Q射出，則有

A．

B．

C．

D．

如圖所示，兩根長直導線豎直插入光滑絕緣水平桌面上的M、N兩小孔中，O為M、N連線中點，連線上a、b兩點關(guān)于O點對稱．導線通有大小相等、方向相反的電流．已知通電長直導線在周圍產(chǎn)生的磁場的磁感應(yīng)強度，式中k是常數(shù)、I是導線中電流、r為點到導線的距離．一帶正電的小球以初速度v₀從a點出發(fā)沿連線運動到b點．關(guān)于上述過程，下列說法正確的是

在半導體離子注入工藝中，初速度可忽略的磷離子P^＋和P^3＋，經(jīng)電壓為U的電場加速后，垂直進入磁感應(yīng)強度大小為B、方向垂直紙面向里、有一定寬度的勻強磁場區(qū)域，如圖所示．已知離子P^＋在磁場中轉(zhuǎn)動θ＝30°后從磁場右邊界射出．在電場和磁場中運動時，離子P^＋和P^3＋

A．在電場中的加速度之比為1∶1
B．在磁場中運動的半徑之比為∶1
C．在磁場中轉(zhuǎn)過的角度之比為1∶2
D．離開電場區(qū)域時的動能之比為1∶3

空間有一圓柱形勻強磁場區(qū)域，該區(qū)域的橫截面的半徑為R，磁場方向垂直于橫截面．一質(zhì)量為m、電荷量為q(q>0)的粒子以速率v₀沿橫截面的某直徑射入磁場，離開磁場時速度方向偏離入射方向60°.不計重力，該磁場的磁感應(yīng)強度大小為

A．

B．

C．

D．

如圖所示的虛線區(qū)域內(nèi)，充滿垂直于紙面向里的勻強磁場和豎直向下的勻強電場．一帶電粒子a(不計重力)以一定的初速度由左邊界的O點射入磁場、電場區(qū)域，恰好沿直線由區(qū)域右邊界的O′點(圖中未標出)穿出．若撤去該區(qū)域內(nèi)的磁場而保留電場不變，另一個同樣的粒子b(不計重力)仍以相同初速度由O點射入，從區(qū)域右邊界穿出，則粒子b