科目: 來源:江蘇省南通市通州區(qū)2012屆高三4月查漏補(bǔ)缺專項(xiàng)檢測(cè)物理試題 題型:038
如圖所示,兩根間距為L(zhǎng)的金屬導(dǎo)軌MN和PQ,電阻不計(jì),左端彎曲部分光滑,水平部分導(dǎo)軌與導(dǎo)體棒間的滑動(dòng)摩擦因數(shù)為μ,水平導(dǎo)軌左端有寬度為d、方向豎直向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng)Ⅰ,右端有另一磁場(chǎng)Ⅱ,其寬度也為d,但方向豎直向下,兩磁場(chǎng)的磁感強(qiáng)度大小均為B0,相隔的距離也為d.有兩根質(zhì)量為m、電阻均為R的金屬棒a和b與導(dǎo)軌垂直放置,b棒置于磁場(chǎng)Ⅱ中點(diǎn)C、D處.現(xiàn)將a棒從彎曲導(dǎo)軌上某一高處由靜止釋放并沿導(dǎo)軌運(yùn)動(dòng)下去.
(1)當(dāng)a棒在磁場(chǎng)Ⅰ中運(yùn)動(dòng)時(shí),若要使b棒在導(dǎo)軌上保持靜止,則a棒剛釋放時(shí)的高度應(yīng)小于某一值h0,求h0的大;
(2)若將a棒從彎曲導(dǎo)軌上高度為h(h<h0)處由靜止釋放,a棒恰好能運(yùn)動(dòng)到磁場(chǎng)Ⅱ的左邊界處停止,求a棒克服安培力所做的功;
(3)若將a棒仍從彎曲導(dǎo)軌上高度為h(h<h0)處由靜止釋放,為使a棒通過磁場(chǎng)Ⅰ時(shí)恰好無感應(yīng)電流,可讓磁場(chǎng)Ⅱ的磁感應(yīng)強(qiáng)度隨時(shí)間而變化,將a棒剛進(jìn)入磁場(chǎng)Ⅰ的時(shí)刻記為t=0,此時(shí)磁場(chǎng)Ⅱ的磁感應(yīng)強(qiáng)度為B0,試求出在a棒通過磁場(chǎng)Ⅰ的這段時(shí)間里,磁場(chǎng)Ⅱ的磁感應(yīng)強(qiáng)度隨時(shí)間變化的關(guān)系式.
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科目: 來源:江蘇省南通市通州區(qū)2012屆高三4月查漏補(bǔ)缺專項(xiàng)檢測(cè)物理試題 題型:038
如圖(a)所示,垂直于紙面向里的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng),MN是磁場(chǎng)的上邊界,磁場(chǎng)寬度足夠大,磁感應(yīng)強(qiáng)度B0=1×10-4 T.現(xiàn)有一比荷為
=2×1011 C/kg的正離子以某一速度從P點(diǎn)水平向右射入磁場(chǎng),已知P點(diǎn)到邊界MN的垂直距離d=20 cm,不計(jì)離子的重力,試求:
(1)若離子以速度v1=3×106 m/s水平射入磁場(chǎng),求該離子從MN邊界射出時(shí)的位置到P點(diǎn)的水平距離s;
(2)若要使離子不從MN邊界射出磁場(chǎng),求離子從P點(diǎn)水平射入的最大速度vm;
(3)若離子射入的速度滿足第(2)問的條件,離子從P點(diǎn)射入時(shí),再在該磁場(chǎng)區(qū)域加一個(gè)如圖(b)所示的變化磁場(chǎng)(正方向與B0方向相同,不考慮磁場(chǎng)變化所產(chǎn)生的電場(chǎng)),求該離子從P點(diǎn)射入到第一次回到P點(diǎn)所經(jīng)歷的時(shí)間t.
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科目: 來源:河北省正定中學(xué)2012屆高三第二次綜合考試物理試題 題型:038
在水平長(zhǎng)直的軌道上,有一長(zhǎng)度為L(zhǎng)的平板車在外力控制下始終保持速度v0做勻速直線運(yùn)動(dòng).某時(shí)刻將一質(zhì)量為m的小滑塊輕放到車面的中點(diǎn),滑塊與車面間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ.
(1)證明:若滑塊最終停在小車上,滑塊和車摩擦產(chǎn)生的內(nèi)能與動(dòng)摩擦因數(shù)μ無關(guān),是一個(gè)定值.
(2)已知滑塊與車面間動(dòng)摩擦因數(shù)μ=0.2,滑塊質(zhì)量m=1 kg,車長(zhǎng)L=2 m,車速v0=4 m/s,取g=10 m/s2,當(dāng)滑塊放到車面中點(diǎn)的同時(shí)對(duì)該滑塊施加一個(gè)與車運(yùn)動(dòng)方向相同的恒力F,要保證滑塊不能從車的左端掉下,恒力F大小應(yīng)該滿足什么條件?
(3)在(2)的情況下,力F取最小值,要保證滑塊不從車上掉下,力F的作用時(shí)間應(yīng)該在什么范圍內(nèi)?
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科目: 來源:河北省張家口沽源一中2012屆高三高考預(yù)測(cè)物理試題 題型:038
如圖所示,在直角坐標(biāo)系的第I象限分布著場(chǎng)強(qiáng)E=5×103 V/m,方向水平向左的勻強(qiáng)電場(chǎng),其余三象限分布著垂直紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng).現(xiàn)從電場(chǎng)中M(0.5,0.5)點(diǎn)由靜止釋放一比荷為q/m=2×104 C/kg不計(jì)重力的帶正電微粒,該微粒第一次進(jìn)入磁場(chǎng)后將垂直通過x軸.
(1)求勻強(qiáng)磁場(chǎng)的磁感應(yīng)強(qiáng)度
(2)帶電微粒第二次進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的位置坐標(biāo);
(3)為了使微粒還能回到釋放點(diǎn)M,在微粒第二次進(jìn)入磁場(chǎng)后撤掉第I象限的電場(chǎng),求此情況下微粒從釋放到回到M點(diǎn)所用時(shí)間.
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科目: 來源:上海市長(zhǎng)寧區(qū)2012屆高三4月教學(xué)質(zhì)量檢測(cè)(二模)物理試題 題型:038
如圖1所示,平行金屬導(dǎo)軌寬度為l=0.6 m,與水平面間的傾角為
=37°,導(dǎo)軌電阻不計(jì),底端接有阻值為R=3 Ω的定值電阻,磁感強(qiáng)度為B=1T的勻強(qiáng)磁場(chǎng)垂直穿過導(dǎo)軌平面.有一質(zhì)量為m=0.2 kg,長(zhǎng)也為l的導(dǎo)體棒受導(dǎo)軌上兩支柱p支撐靜止在ab位置,導(dǎo)體棒的電阻為Ro=1 Ω,它與導(dǎo)軌之間的動(dòng)摩擦因數(shù)為μ=0.3.導(dǎo)體棒獲得平行斜面的初速vo=10 m/s向上滑行最遠(yuǎn)至a/b/位置,所滑行距離為 s=4 m.(sin37°=0.6,cos37o=0.8,重力加速度g=10 m/s2).問:
(1)把運(yùn)動(dòng)導(dǎo)體棒視為電源,最大輸出功率是多少?
(2)上滑過程中導(dǎo)體棒所受的安培力做了多少功?
(3)以ab位置為零勢(shì)點(diǎn),若導(dǎo)體棒從ab上滑d=3 m過程中電阻R發(fā)出的熱量QR=2.1 J,此時(shí)導(dǎo)體棒的機(jī)械能
為多大?
(4)在圖2中畫出圖線,要求能反映導(dǎo)體棒在上滑和下滑過程中機(jī)械能E隨位移x變化的大致規(guī)律.(x正方向沿斜面向上,坐標(biāo)原點(diǎn)O在ab位置)
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科目: 來源:天津市天津一中2012屆高三4月月考物理試題 題型:038
如圖所示,兩平行光滑的金屬導(dǎo)軌MN、PQ固定在水平面上,相距為L(zhǎng),處于豎直向下的磁場(chǎng)中,整個(gè)磁場(chǎng)由n個(gè)寬度皆為x0條形勻強(qiáng)磁場(chǎng)區(qū)域1、2……n組成,從左向右依次排列,磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為B、2B、3B……nB,兩導(dǎo)軌左端MP間接入電阻R,一質(zhì)量為m的金屬棒ab垂直于MN、PQ放在水平軌道上,與導(dǎo)軌電接觸良好,不計(jì)導(dǎo)軌和金屬棒的電阻.
(1)對(duì)導(dǎo)體棒ab施加水平向右的力,使其從圖示位置開始運(yùn)動(dòng)并穿過n個(gè)磁場(chǎng)區(qū),求導(dǎo)體棒穿越磁場(chǎng)1區(qū)的過程中通過電阻R的電量q
(2)對(duì)導(dǎo)體棒ab施加水平向右的恒力F0,讓它從磁場(chǎng)1區(qū)左側(cè)邊界處開始運(yùn)動(dòng),當(dāng)向右運(yùn)動(dòng)距離x0/2時(shí)做勻速運(yùn)動(dòng),求棒通過磁場(chǎng)1區(qū)所用的時(shí)間t
(3)對(duì)導(dǎo)體棒ab施加水平向右的拉力,讓它從距離磁場(chǎng)1區(qū)左側(cè)x=x0位置由靜止開始做勻加速運(yùn)動(dòng),當(dāng)棒ab進(jìn)入磁場(chǎng)1區(qū)時(shí)開始做勻速運(yùn)動(dòng),此后在不同的磁場(chǎng)區(qū)施加不同的拉力,使棒ab保持做勻速運(yùn)動(dòng)穿過整個(gè)磁場(chǎng)區(qū),求棒ab通過第i磁場(chǎng)區(qū)時(shí)的水平拉力Fi,和棒ab在穿過整個(gè)磁場(chǎng)區(qū)過程中回路產(chǎn)生的電熱Q.
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科目: 來源:上海市徐匯區(qū)2012屆高三4月學(xué)習(xí)能力診斷物理試題 題型:038
如圖所示,光滑水平面上有正方形金屬線框abcd,邊長(zhǎng)為L(zhǎng)、電阻為R、質(zhì)量為m.虛線P
和Q
之間有一豎直向上的勻強(qiáng)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,寬度為H,且H>L.線框在恒力F0作用下由靜止開始向磁場(chǎng)區(qū)域運(yùn)動(dòng),cd邊運(yùn)動(dòng)S后進(jìn)入磁場(chǎng),ab邊進(jìn)入磁場(chǎng)前某時(shí)刻,線框已經(jīng)達(dá)到平衡狀態(tài).當(dāng)cd邊到達(dá)Q
時(shí),撤去恒力F0,重新施加外力F,使得線框做加速度大小為F0/m的勻減速運(yùn)動(dòng),最終離開磁場(chǎng).
(1)cd邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)cd兩端的電勢(shì)差;
(2)cd邊從進(jìn)入磁場(chǎng)到Q
這個(gè)過程中安培力做的總功;
(3)寫出線框離開磁場(chǎng)的過程中,F(xiàn)隨時(shí)間t變化的關(guān)系式.
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科目: 來源:山東省濟(jì)寧市微山一中2012屆高三高考預(yù)測(cè)練習(xí)(1)物理試題 題型:038
如圖所示,兩塊足夠大的平行金屬板a、b豎直放置,板間有場(chǎng)強(qiáng)為E的勻強(qiáng)電場(chǎng),兩板距離為d,今有一帶正電微粒從a板下邊緣以初速度v0豎直向上射入板間,當(dāng)它飛到b板時(shí),速度大小不變,而方向變?yōu)樗椒较颍覄偤脧母叨纫矠閐的狹縫穿過b板而進(jìn)入bc區(qū)域,bc區(qū)域的寬度也為d,所加電場(chǎng)大小為E,方向豎直向上,磁感應(yīng)強(qiáng)度
,方向垂直紙面向里.求:
(1)微粒的帶電量q;
(2)微粒穿出bc區(qū)域的位置到a板下邊緣的豎直距離L(用d表示);
(3)微粒在ab、bc區(qū)域中運(yùn)動(dòng)的總時(shí)間t(用d、v0表示).
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科目: 來源:江蘇省南京市2012屆高三第二次模擬考試物理試題 題型:038
如圖甲所示,空間分布著有理想邊界的勻強(qiáng)電場(chǎng)和勻強(qiáng)磁場(chǎng).勻強(qiáng)磁場(chǎng)分為Ⅰ、Ⅱ兩個(gè)區(qū)域,其邊界為MN、PQ,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小均為B,方向如圖所示,Ⅰ區(qū)域高度為d,Ⅱ區(qū)域的高度足夠大.一個(gè)質(zhì)量為m、電量為q的帶正電的小球從磁場(chǎng)上方的O點(diǎn)由靜止開始下落,進(jìn)入電、磁復(fù)合場(chǎng)后,恰能做勻速圓周運(yùn)動(dòng).
(1)求電場(chǎng)強(qiáng)度E的大;
(2)若帶電小球運(yùn)動(dòng)一定時(shí)間后恰能回到O點(diǎn),求帶電小球釋放時(shí)距MN的高度h;
(3)若帶電小球從距MN的高度為3 h的
點(diǎn)由靜止開始下落,為使帶電小球運(yùn)動(dòng)一定時(shí)間后仍能回到
點(diǎn),需將磁場(chǎng)Ⅱ向下移動(dòng)一定距離(如圖乙所示),求磁場(chǎng)Ⅱ向下移動(dòng)的距離y及小球從
點(diǎn)釋放到第一次回到
點(diǎn)的運(yùn)動(dòng)時(shí)間T.
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科目: 來源:江蘇省南京市2012屆高三第二次模擬考試物理試題 題型:038
如圖a所示,水平桌面的左端固定一個(gè)豎直放置的光滑圓弧軌道,其半徑R=0.5 m,圓弧軌道底端與水平桌面相切C點(diǎn),桌面CD長(zhǎng)L=1 m,高h2=0.5 m,有質(zhì)量為m(m為末知)的小物塊從圓弧上A點(diǎn)由靜止釋放,A點(diǎn)距桌面的高度h1=0.2 m,小物塊經(jīng)過圓弧軌道底端滑到桌面CD上,在桌面CD上運(yùn)動(dòng)時(shí)始終受到一個(gè)水平向右的恒力F作用.然后從D點(diǎn)飛出做平拋運(yùn)動(dòng),最后落到水平地面上.設(shè)小物塊從D點(diǎn)飛落到的水平地面上的水平距離為x,如圖b是x2-F的圖像,取重力加速度g=10 m/s2.
(1)試寫出小物塊經(jīng)D點(diǎn)時(shí)的速度vD與x的關(guān)系表達(dá)式;
(2)小物體與水平桌面CD間動(dòng)摩擦因數(shù)μ是多大?
(3)若小物體與水平桌面CD間動(dòng)摩擦因數(shù)μ是從第(2)問中的值開始由C到D均勻減少,且在D點(diǎn)恰好減少為0,再將小物塊從A由靜止釋放,經(jīng)過D點(diǎn)滑出后的水平位移大小為1 m,求此情況下的恒力F的大?
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