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如圖,質(zhì)量分別為mA和mB的兩小球帶有同種電荷,電荷量分別為qA和qB,用絕緣細(xì)線懸掛在天花板上。平衡時,兩小球恰處于同一水平位置,細(xì)線與豎直方向間夾角分別為q1與q2(q1>q2)。兩小球突然失去各自所帶電荷后開始擺動,最大速度分別為vA和vB,最大動能分別為EkA和EkB。則()
A. mA一定小于mB B. qA一定大于qB
C. vA一定大于vB D. EkA一定大于EkB
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如圖所示,為真空中某一點電荷Q產(chǎn)生的電場,a、b分別是其電場中的兩點,其中a點的場強大小為Ea,方向與a、b連線成120°角;b點的場強大小為Eb,方向與a、b連線成150°角。一帶負(fù)電的檢驗電荷q在場中由a運動到b,則( )
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A.a(chǎn)、b兩點場強大小Ea∶Eb=3∶1
B.q在a、b兩點受到的電場力大小之比Fa∶Fb=1∶3
C.a(chǎn)、b兩點電勢相比較![]()
D.q在a、b兩點電勢能相比較εa<εb
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(2013江蘇省揚州中學(xué)質(zhì)量檢測)如圖所示,質(zhì)量為m、長為L的直導(dǎo)線用兩絕緣細(xì)線懸掛于
,并處于勻強磁場中,當(dāng)導(dǎo)線中通以沿x正方向的電流I,且導(dǎo)線保持靜止時,懸線與豎直方向夾角為θ,則磁感應(yīng)強度方向和大小可能為( )
A.z正向,mgtanθ/IL B.y正向,mg/IL
C.z負(fù)向,mgtanθ/IL D.沿懸線向上,mgsinθ/IL
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(2013江蘇省南京市四校聯(lián)考)如圖所示的虛線區(qū)域內(nèi),充滿垂直于紙面向里的勻強磁場和豎直向下的勻強電場。一帶電粒子a(不計重力)以一定的初速度由左邊界的O點射入磁場、電場區(qū)域,恰好沿直線由區(qū)域右邊界的O′點(圖中未標(biāo)出)穿出。若撤去該區(qū)域內(nèi)的磁場而保留電場不變,另一個同樣的粒子b(不計重力)仍以相同初速度由O點射入,從區(qū)域右邊界穿出,則粒子b ( )
A.穿出位置一定在O′點下方 B.穿出位置一定在O′點上方
C.運動時,在電場中的電勢能一定減小 D.在電場中運動時,動能一定減小
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(2013山西省忻州一中模擬)一個帶電粒子在磁場力的作用下做勻速圓周運動,要想確定帶電粒子的電荷量與質(zhì)量之比,則只需要知道 ( )
A.運動速度v和磁感應(yīng)強度B B.磁感應(yīng)強度B和運動周期T
C.軌道半徑r和運動速度v D.軌道半徑r和磁感應(yīng)強度B
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如圖所示的電路,閉合開關(guān)S,滑動變阻器滑片P向左移動,下列結(jié)論正確的是( )
A.電流表讀數(shù)變小,電壓表讀數(shù)變大
B.小電泡L變亮
C.電容器C上電荷量減小
D.電源的總功率變大
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(2013河北省南宮中學(xué)模擬)如圖所示,直線OAC為某一直流電源的總功率P總隨電流I變化的圖線,拋物線OBC為同一直流電源內(nèi)部熱功率Pr隨電流I變化的圖線。若A、B對應(yīng)的橫坐標(biāo)為2A,那么線段AB表示的功率及I=2A對應(yīng)的外電阻是( )
A.2W、0.5Ω B.4W、2Ω C.2W、1Ω D.6W、2Ω
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(2013江西省南昌二中模擬)如圖所示,虛線a、b、c代表電場中的三個等勢面,相鄰等勢面之間的電勢差相等,即Uab=Ubc,實線為一帶負(fù)電的質(zhì)點僅在電場力作用下通過該區(qū)域時的運動軌跡,P、R、Q是這條軌跡上的三點,R同時在等勢面b上,據(jù)此可知( )
A.三個等勢面中,c的電勢最高
B.帶電質(zhì)點在P點的電勢能比在Q點的小
C.帶電質(zhì)點在P點的動能與電勢能之和比在Q點的小
D.帶電質(zhì)點在P點的加速度比在Q的加速度小
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(2013江西省臨川一中模擬)如圖所示,直線上固定兩個正點電荷A與B,其中B帶+Q的電量,C、D兩點將AB連線三等分,現(xiàn)使一個帶負(fù)電的粒子從C點開始以某一速度向右運動,不計粒子的重力,并且已知該負(fù)電荷在CD間運動的速度v與時間t的關(guān)系圖象,則A點電荷的帶電量可能是( )
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A.+Q B.+2Q
C.+3Q D.+4Q
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如圖所示,在y<0的區(qū)域內(nèi)存在勻強磁場,磁場方向垂直于xy平面并指向紙面外,磁感應(yīng)強度為B.一帶正電的粒子以速度υ0從O點射入磁場,入射方向在xy平面內(nèi),與x軸正向的夾角為θ.若粒子射出磁場的位置與O點的距離為l,求該粒子的電量和質(zhì)量之比
。
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