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如圖所示，質(zhì)量為M的半圓形軌道槽放置在水平地面上，槽內(nèi)壁光滑．質(zhì)量為m的小物體從槽的左側(cè)頂端由靜止開始下滑到右側(cè)最高點的過程中，軌道槽始終靜止，則該整個過程中

A．地面對軌道槽的最小壓力為(M+m)g B．地面對軌道槽的最大壓力為(M＋2m)g

C．地面對軌道槽的摩擦力始終為零   D．地面對軌道槽的摩擦力方向先向右后向左

物體自空中的A點以一定的初速度豎直向上拋出，在3s末物體在A點的正上方15m處，不計空氣阻力，下列說法中正確的是

A．初速度有二個解        

B．物體在3s末的速度方向可能豎直向上

C．在3s內(nèi)物體的平均速度的方向一定豎直向下

D．在3s內(nèi)物體的平均速度的方向一定豎直向上

在物理學(xué)的重大發(fā)現(xiàn)中科學(xué)家們創(chuàng)造出了許多物理學(xué)方法，如理想實驗法、控制變量法、極限思想法、類比法和科學(xué)假說法、建立物理模型法等。以下關(guān)于所用物理學(xué)研究方法的敘述不正確的是

A．在不需要考慮物體本身的大小和形狀時，用質(zhì)點來代替物體的方法叫假設(shè)法

B．根據(jù)速度定義式，當(dāng)非常非常小時，就可以表示物體在t時刻的瞬時速度，該定義應(yīng)用了極限思想方法

C．在探究加速度、力和質(zhì)量三者之間的關(guān)系時，先保持質(zhì)量不變研究加速度與力的關(guān)系，再保持力不變研究加速度與質(zhì)量的關(guān)系，該實驗應(yīng)用了控制變量法

D．在推導(dǎo)勻變速運(yùn)動位移公式時，把整個運(yùn)動過程劃分成很多小段，每一小段近似看作勻速直線運(yùn)動，然后把各小段的位移相加，這里采用了微元法

如圖所示，水平地面上靜止放置著物塊B和C，相距L=1.0m。物塊A以速度

v_Ｏ=10m/s沿水平方向與B正碰。碰撞后A和B立刻牢固地粘在一起向右運(yùn)動，并再與C發(fā)生正碰，碰后瞬間C的速度v=2.0m/s。已知A和B的質(zhì)量均為m，C的質(zhì)量為A質(zhì)量的k倍，物塊與地面的動摩擦因數(shù)μ=0.45。（設(shè)碰撞時間很短，A、B、C均可視為質(zhì)點，取10m/s²）

（i）計算與C碰撞前瞬間AB的速度；

（ii）根據(jù)AB與C的碰撞過程分析k的取值范圍，并討論與C碰撞后AB的可能運(yùn)動方向。

下列說法正確的有         

A．如果用紫光照射某種金屬發(fā)生光電效應(yīng)，改用綠光照射這種金屬不一定發(fā)生光電效應(yīng)

B．α粒子散射實驗中少數(shù)α粒子發(fā)生了較大偏轉(zhuǎn)，這是盧瑟福猜想原子核式結(jié)構(gòu)模型的主要依據(jù)之一

C．由玻爾理論可知，氫原子的核外電子由較高能級躍遷到較低能級時，要釋放一定頻率的光子，同時電子的動能減小，電勢能增大

D．原子核發(fā)生α衰變時，新核與原來的原子核相比，中子數(shù)減少了4

E．在康普頓效應(yīng)中，當(dāng)入射光子與晶體中的電子碰撞時，把一部分動量轉(zhuǎn)移給電子，因此，光子散射后波長變長

如右圖所示，兩面平行的玻璃磚下表面涂有反射物質(zhì)，一束與上表面成30°入射的光線，在右端垂直標(biāo)尺上形成了A、B兩個光斑，A、B間距為4cm，已知玻璃磚的折射率為，畫出形成兩光斑的光路圖，并求此玻璃磚的厚度。

如圖甲所示，Ｏ點為振源，，時刻Ｏ點由平衡位置開始振動，產(chǎn)生沿直線向右傳播的簡諧橫波，如圖乙為Ｐ點從時刻開始沿ｙ軸正方向開始振動的振動圖像，則以下說法正確的是

A．時刻振源Ｏ的振動方向沿ｙ軸正方向

B．時刻Ｐ點振動速度最大，方向沿ｙ軸負(fù)方向

C．該波與另一頻率為的同類波疊加能產(chǎn)生穩(wěn)定的干涉現(xiàn)象

D．某障礙物的尺寸為，該波遇到此障礙物時能發(fā)生明顯的衍射現(xiàn)象

如圖，圓柱形氣缸的上部有小擋板，可以阻止活塞滑離氣缸，氣缸內(nèi)部的高度為d，質(zhì)量不計的薄活塞將一定質(zhì)量的氣體封閉在氣缸內(nèi)。開始時活塞離底部高度為，溫度為t₁=27℃，外界大氣壓強(qiáng)為p_Ｏ=1atm，現(xiàn)對氣體緩緩加熱。求：

（i）氣體溫度升高到t₂=127℃時，活塞離底部的高度；

（ii）氣體溫度升高到t₃=357℃時，缸內(nèi)氣體的壓強(qiáng)。

下列說法正確的是           

A．一定量的氣體，在體積不變時，分子每秒平均碰撞次數(shù)隨著溫度降低而減小

B．單晶體有固定的熔點，多晶體和非晶體沒有固定的熔點

C．熱量能夠自發(fā)地從高溫物體傳遞到低溫物體，但不能自發(fā)地從低溫物體傳遞到高溫物體

D．當(dāng)分子間的距離增大時，分子之間的引力和斥力均同時減小，而分子勢能一定增大

E．生產(chǎn)半導(dǎo)體器件時，需要在純凈的半導(dǎo)體材料中摻入其他元素，可以在高溫條件下利用分子的擴(kuò)散來完成

如圖所示為某一儀器的部分原理示意圖，虛線OA、OB關(guān)于y軸對稱，且∠AOB=90°， OA、OB將xOy平面分為Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三個區(qū)域，區(qū)域Ⅰ、Ⅲ內(nèi)存在水平方向的勻強(qiáng)電場，電場強(qiáng)度大小均為E、方向相反�，F(xiàn)有質(zhì)量為m，電量為+q（q>0）的大量帶電粒子從x軸上的粒子源P處以速度v₀沿y軸正方向射出，到達(dá)OA上的M點時速度與OA垂直。（不計粒子的重力及粒子間的相互作用）求：

（1）粒子從P點運(yùn)動到M點的時間；

（2）為使粒子能從M點經(jīng)Ⅱ區(qū)域通過OB上的N點，M、N點關(guān)于y軸對稱，可在區(qū)域Ⅱ內(nèi)加一垂直xOy平面的勻強(qiáng)磁場，求該磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度的最小值和粒子經(jīng)過區(qū)域Ⅲ到達(dá)x軸上Q點的橫坐標(biāo)；

（3）當(dāng)勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度�。�2）問中的最小值時，且該磁場僅分布在區(qū)域Ⅱ內(nèi)的一個圓形區(qū)域內(nèi)。由于某種原因的影響，粒子經(jīng)過M點時的速度并不嚴(yán)格與OA垂直，成散射狀，散射角為θ，但速度大小均相同，如圖所示。求所有粒子經(jīng)過OB時的區(qū)域長度。