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(2012浙江紹興期末)如圖所示,豎直放置的平行金屬導(dǎo)軌EF和GH兩部分導(dǎo)軌間距為2L, IJ和MN兩部分導(dǎo)軌間距為L。整個裝置處在水平向里的勻強磁場中,金屬桿ab和cd的質(zhì)量均為m,可在導(dǎo)軌上無摩擦滑動,且與導(dǎo)軌接觸良好。現(xiàn)對金屬桿ab施 加一個豎直向上的作用力F,使其勻速向上運動,此時cd處于靜止狀態(tài),則力F的大小為
A.mg B.2mg C. 3mg D. 4mg
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(2012河南鄭州一模)如圖所示,把一個裝有Na2S04導(dǎo)電溶液的圓形玻璃器皿放入磁場中,玻璃器皿的中心放一個圓柱形電極,沿器皿邊緣內(nèi)壁放一個圓環(huán)形電極,把兩電極分別與電池的正、負極相連。從器皿上方往下看(俯視),對于導(dǎo)電溶液和溶液中正、負離子的運動,下列說法中正確的是
A.溶液做順時針方向運動
B.溶液做逆時針方向運動
C.正離子沿圓形玻璃器皿的半徑向邊緣移動
D.負離子沿圓形玻璃器皿的半徑向中心移動
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(2012北京石景山期末)法拉第曾做過如下的實驗:在玻璃杯側(cè)面底部裝一導(dǎo)體柱并通過導(dǎo)線與電源負極相連,直立的細圓柱形磁鐵棒下端固定在玻璃杯底部的中心,往杯內(nèi)加入水銀。在玻璃杯的正上方O點吊一可自由轉(zhuǎn)動的直銅棒,銅棒的上端與電源的正極相接,下端浸入玻璃杯的水銀中。由于水銀的密度比銅大,銅棒靜止時處于傾斜狀態(tài),如圖7所示。這樣,可動銅棒、水銀、導(dǎo)體柱和電源就構(gòu)成了一個回路。閉合開關(guān)S,可觀察到的現(xiàn)象是
A.與閉合S前相比,銅棒與豎直方向的夾角不變且仍靜止
B.與閉合S前相比,銅棒與豎直方向的夾角會增大但仍可靜止
C.與閉合S前相比,銅棒與豎直方向的夾角會減小但仍可靜止
D.銅棒會以磁鐵棒為軸轉(zhuǎn)動
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(2012年3月陜西渭南市質(zhì)檢)如圖1所示,長方形線框abcd通有電流I,放在直線電流I'附近,以下關(guān)于線框四個邊受到安培力的說法正確的是
A.線框只有兩個邊受力,合力向左
B.線框只有兩個邊受力,合力向右
C.線框四個邊都受力,合力向左
D.線框四個邊都受力,合力向右
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(2012年3月江蘇省蘇北四星級高中聯(lián)考)如圖所示,質(zhì)量為m、長為L的直導(dǎo)線用兩絕緣細線懸掛于O、O’,并處于勻強磁場中.。當導(dǎo)線中通以沿x正方向的電流I,且導(dǎo)線保持靜止時,懸線與豎直方向夾角為.θ,則磁感應(yīng)強度方向和大小可能為 ( )
A.z正向,
tan.θ B.y正向,
C.z負向,
tan.θ D.沿懸線向上,
sinθ
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(2012年2月西安五校聯(lián)考)在地磁場作用下處于水平靜止的小磁針上方,平行于小磁針水平放置一直導(dǎo)線,當該導(dǎo)線中通有電流時,小磁針會發(fā)生偏轉(zhuǎn)。當通過該導(dǎo)線電流為I時,小磁針偏轉(zhuǎn)了30°,問當發(fā)現(xiàn)小磁針偏轉(zhuǎn)了45º ,通過該導(dǎo)線電流為(已知直導(dǎo)線在某點產(chǎn)生的磁場的磁感應(yīng)強度與通過直導(dǎo)線的電流成正比)( )
A.2I B.3I C.
I D.無法確定
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(2012年3月河南焦作一模)歐姆在探索導(dǎo)體的導(dǎo)電規(guī)律的時候,沒有電流表,他利用小磁針的偏轉(zhuǎn)檢測電流,具體的做法是:在地磁場的作用下,處于水平靜止的小磁針上方,平行于小磁針水平放置一直導(dǎo)線,當該導(dǎo)線中通有電流的時候,小磁針就會發(fā)生偏轉(zhuǎn);當通過該導(dǎo)線的電流為I時,發(fā)現(xiàn)小磁針偏轉(zhuǎn)了30°,由于直導(dǎo)線在某點產(chǎn)生的磁場與通過直導(dǎo)線的電流成正比,當他發(fā)現(xiàn)小磁針偏轉(zhuǎn)了60°時,通過該直導(dǎo)線的電流為
A.3I B..2I C.
I D.. I
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(2012年4月上海虹口二模)如圖所示,電流從A點分兩路通過對稱的半圓支路匯合于B點,在圓環(huán)中心O處的磁感應(yīng)強度
(A)方向垂直于紙面向外
(B)方向垂直于紙而向里
(C)大小為零
(D)無法確定
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(2012年5月陜西寶雞三模)19世紀法國學(xué)者安培提出了著名的分子電流假說.他認為,在原子.分子等物質(zhì)微粒內(nèi)部,存在著一種環(huán)形電流——分子電流(分子電流實際上是由原子內(nèi)部電子的繞核運動形成的),分子電流使每個物質(zhì)微粒都成為微小的磁體,它的兩側(cè)相當于兩個磁極.下面將分子電流(箭頭表示電子運動方向)等效為小磁體的圖示中正確的是
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(浙江省臺州市2012屆高三期末質(zhì)量評估試題)如圖所示,質(zhì)量m=0.1kg的AB桿放在傾角θ=30°的光滑軌道上,軌道間距l=0.2m,電流I=0.5A。當加上垂直于桿AB的某一方向的勻強磁場后,桿AB處于靜止狀態(tài),則所加磁場的磁感應(yīng)強度不可能為( )
A.3T B.6T C.9T D.12T
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