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相關(guān)習(xí)題
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科目: 來源: 題型:

如圖是醫(yī)用回旋加速器示意圖,其核心部分是兩個D形金屬盒,兩金屬盒置于勻強磁場中,并分別與高頻電源相連。現(xiàn)分別加速氘核()和氦核()。下列說法中正確的是(   )

 

A.它們的最大速度相同

B.它們的最大動能相同

C.它們在D形盒中運動的周期相同

D.僅增大高頻電源的頻率可增大粒子的最大動能

 

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科目: 來源: 題型:

如圖所示,在Oxyz坐標系所在的空間中,可能存在勻強電場或勻強磁場,也可能兩者都存在或都不存在,F(xiàn)有一質(zhì)量為m帶正電q的點電荷沿z軸正方向射入此空間中,發(fā)現(xiàn)它做速度為v0的勻速直線運動。不計重力。以E和B分別表示電場強度和磁感應(yīng)強度,電場和磁場的分布有可能是(   )

A. E=0,B≠0, B的方向與x軸平行,B的大小可任意

B. E≠0,B=0, E的方向與z軸平行,E的大小可任意

C. E≠0,B≠0, B和E的方向都平行于xy平面,且互相垂直

D. E≠0,B≠0, B和E的方向都平行于yz平面,且互相垂直

 

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科目: 來源: 題型:

電視機的顯像管中,電子束的偏轉(zhuǎn)是用磁偏轉(zhuǎn)技術(shù)實現(xiàn)的。電子束經(jīng)過加速電場后,進入一圓形勻強磁場區(qū),磁場方向垂直于圓面。不加磁場時,電子束將通過磁場中心O點而打到屏幕上的中心M,加磁場后電子束偏轉(zhuǎn)到P點外側(cè),F(xiàn)要使電子束偏轉(zhuǎn)回到P點,可行的辦法是(    )

A.增大加速電壓                    B.增加偏轉(zhuǎn)磁場的磁感應(yīng)強度

C.將圓形磁場區(qū)域向屏幕靠近些      D.將圓形磁場的半徑增大些

 

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科目: 來源: 題型:

如圖所示,帶有正電荷的A粒子和B粒子同時從勻強磁場的邊界上的P點以等大的速度,以與邊界 成30°和60°的交角射入磁場,又恰好不從另一邊界飛出,設(shè)邊界上方的磁場范圍足夠大,下列說法中正確的是  (    )

A. A 、B兩粒子在磁場中做圓周運動的半徑之比為

B. A 、B兩粒子在磁場中做圓周運動的半徑之比為

C. A 、B兩粒子的之比為    

D. A 、B兩粒子的之比為

 

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科目: 來源: 題型:

如圖所示,平行于紙面水平向右的勻強磁場,磁感應(yīng)強度B1=1 T.位于紙面內(nèi)的細直導(dǎo)線,長L=1 m,通有I=1 A的恒定電流.當(dāng)導(dǎo)線與B1成60°夾角時,發(fā)現(xiàn)其受到的安培力為零.則該區(qū)域同時存在的另一勻強磁場的磁感應(yīng)強度B2的可能值 (  )

 

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科目: 來源: 題型:

如圖所示,邊界OA與OC之間分布有垂直紙面向里的勻強磁場,邊界OA上有一粒子源S。某一時刻,從S平行于紙面向各個方向發(fā)射出大量帶正電的同種粒子(不計粒子的重力及粒子間的相互作用),所有粒子的初速度大小相同,經(jīng)過一段時間有大量粒子從邊界OC射出磁場。已知∠AOC=600從邊界OC射出的粒子在磁場中運動的最長時間等于T/2 ( T為粒子在磁場中運動的周期),則從邊界OC射出的粒子在磁場中運動的時間不可能為(  )

A.T/8      B.T/6     C.T/4     D.T/3

 

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1.在“長度的測量”實驗中,調(diào)整游標卡尺兩測量腳間距離,主尺和游標的位置如

圖甲所示,此時游標卡尺的讀數(shù)為_______mm;若要游標卡尺的讀數(shù)為0.20mm,應(yīng)使游標上除0刻度線外第_______條刻度線與主尺上的刻度線對齊.

2.如圖乙所示,螺旋測微器測出的金屬絲的直徑是__________mm.

 

 

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科目: 來源: 題型:

某物理學(xué)習(xí)小組的同學(xué)在研究性學(xué)習(xí)過程中,通過一塊電壓表和一塊多用電表的歐姆擋接成電路就能一次性既能測出電壓表的內(nèi)阻又能測出多用電表中歐姆擋的內(nèi)部電源的電動勢.已知電壓表的內(nèi)阻約在15~25 kΩ之間,量程為15 V,多用電表歐姆擋的電阻刻度中間值為20.

1.請用筆跡代替導(dǎo)線將紅、黑表筆連在電壓表上.

2.他們在實驗過程中,歐姆的選擇開關(guān)應(yīng)撥至倍率為“×________”.

3.在實驗中,同學(xué)們讀出電壓表的讀數(shù)為U,歐姆表指針所指的刻度為n,并且在實驗過程中,一切操作都是正確的,由此可得歐姆表內(nèi)電池的電動勢的表達式為________.

 

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科目: 來源: 題型:

如圖所示,豎直放置的半圓形絕緣軌道半徑為R,下端與光滑絕緣水平面平滑連接,整個裝置處于方向豎直向上的勻強電場E中。一質(zhì)量為m、帶電量為+q的物塊(可視為質(zhì)點),從水平面上的A點以初速度v0水平向左運動,沿半圓形軌道恰好通過最高點C,場強大小為EE小于mg/q)。

1.試計算物塊在運動過程中克服摩擦力做的功。

2.證明物塊離開軌道落回水平面時的水平距離與場強大小E無關(guān),且為一常量。

 

 

 

 

 

 

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科目: 來源: 題型:

如圖所示,在某空間實驗室中,有兩個靠在一起的等大的圓柱形區(qū)域,分別存在著等大反向的勻強磁場,磁感應(yīng)強度B=0.10 T,磁場區(qū)域半徑r= m,左側(cè)區(qū)圓心為O1,磁場向里,右側(cè)區(qū)圓心為O2,磁場向外,兩區(qū)域切點為C.今有質(zhì)量m=3.2×10-26  kg、帶電荷量q=1.6×10-19  C的某種離子,從左側(cè)區(qū)邊緣的A點以速度v=10m/s正對O1的方向垂直射入磁場,它將穿越C點后再從右側(cè)區(qū)穿出.求:

1.該離子通過兩磁場區(qū)域所用的時間.

2.離子離開右側(cè)區(qū)域的出射點偏離最初入射方向的側(cè)移距離多大?(側(cè)移距離指垂直初速度方向上移動的距離).

 

 

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同步練習(xí)冊答案